合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征

合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征

ID:33976478

大小:704.70 KB

頁數(shù):59頁

時間:2019-03-02

合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征_第1頁
合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征_第2頁
合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征_第3頁
合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征_第4頁
合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征_第5頁
資源描述:

《合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫

1、上海交通大學碩士學位論文AbstractCRYSTALLIZATIONANDTEXTURECHARACTERISTICSOFCOBALT-SILICONTHINFILMSPUTTEREDBYALLOYTARGETABSTRACTThetargetmaterialsofCoSi2alloywasdesignedandprepared,andthefilmsystemwasdepositedbyusingthemagnetronsputteringmethod.Testingresultsshownt

2、hat,theelementsdistributehomogeneouslyinfilm,andsimilartothetargetmaterials.ThecrystallizationandphasetransformationofamorphousCoSi2thinfilmswereinvestigatedbyinsituX-raydiffraction,differentialscanningcalorimeter,EDXAandScanningElectronMicroscope.The

3、resultshownthatthesputteredCoSi2filmswereamorphousfilm,CoSiphaseformedfirstly,astemperatureincreasingthefilmchangetobeCoSi2finally.ThroughcalculationwegotGibbsfreeenergy-compositioncurve,fromwhichwecanfindoutthechangeofGibbsfreeenergyaccordingtodiffer

4、entfilmcomposition.Usethecommontangentlineprinciple,thecurvewasdividedintothreeregions,TheGibbsfreeenergy-compositioncurvesupportthatamorphousphasehadlowerGibbsfreeenergyatCoSi2.Crystallizationtemperatureofcobaltandsiliconalloyfilmatdifferentcompositi

5、onwasstudied,therearemainlythreedifferentmechanismsatdifferentcomposition:theyareMIC,minusenthalpyanddiffusion.Fromthesecalculationsandanalyses,wegaveoutcleardepictionofcrystallization.Thefilm’stexturecharacterwasstudied,asimpleexpressionmethodofthewi

6、retexturewasestablished,andthefilmtexturewasmeasuredquantitatively.ThroughthedeductionoftheimprovedKnuyt’smodelandtheeffectsofthesizeoftheoriginalgrain,wesuccessfullyexplainedwhythe(111)texturegrowwithaprivilege;explainedtheeffectsofthesputteringparam

7、etersontexture:sputteringpowerandpressurewereinlinearrelationshipwiththe(111)texture,Ifthesputteringpowerraise,theII上海交通大學碩士學位論文Abstract(111)textureofcrystalfilmincreased;withthepressurereducing,thefilmtextureincreased;Withthesubstratetemperaturerisin

8、g,thefilmtextureincreasedatinitial,uptothemaximumthendecreased.Keywords:Magnetronsputtering,silicide,film,crystallization,textureIII上海交通大學學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所呈交的學位論文是本人在導師的指導下獨立進行研究工作所取得的成果除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果對本文的研究做出重要貢獻的個人和集

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學公式或PPT動畫的文件,查看預覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負責整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細閱讀文檔內(nèi)容,確認文檔內(nèi)容符合您的需求后進行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。