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《克酮酸單晶制備及介電性能論文》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、碩士學(xué)位論文克酮酸單晶的制備及介電性能PREPARATIONOFCROCONICACIDSINGLECRYSTALSANDSTUDYINGITSDIELECTRICPROPERTIES申斌哈爾濱工業(yè)大學(xué)2012年7月國(guó)內(nèi)圖書(shū)分類(lèi)號(hào):TG15學(xué)校代碼:10213國(guó)際圖書(shū)分類(lèi)號(hào):621.78密級(jí):公開(kāi)工學(xué)碩士學(xué)位論文克酮酸單晶的制備及介電性能碩士研究生:申斌導(dǎo)師:王福平教授申請(qǐng)學(xué)位:工程碩士學(xué)科:化學(xué)工程與技術(shù)所在單位:化工學(xué)院答辯日期:2012年7月授予學(xué)位單位:哈爾濱工業(yè)大學(xué)ClassifiedInde
2、x:TG15U.D.C:621.78DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringPREPARATIONOFCROCONICACIDSINGLECRYSTALSANDSTUDYINGITSDIELECTRICPROPERTIESCandidate:ShenBinSupervisor:Prof.WangFupingAcademicDegreeAppliedfor:MasterofEngineeringChemicalEngineeringandSpeciality:
3、TechnologySchoolofChemicalEngineeringandAffiliation:TechnologyDateofDefence:July2012Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要近年來(lái),隨著微電子技術(shù)、微計(jì)算機(jī)技術(shù)和信息技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求越來(lái)越高,尤其在航空航天領(lǐng)域。而鐵電存儲(chǔ)器擁有優(yōu)異的抗輻射能力,快速的讀寫(xiě)能力,低功耗,較低的工作電壓等優(yōu)越的性能,
4、成為該領(lǐng)域最具發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)品。本文以四氯苯醌為原料經(jīng)四甲氧基苯醌、四羥基苯醌制備克酮酸,通過(guò)紅外、氫核磁、質(zhì)譜等表征了克酮酸的制備過(guò)程中中間產(chǎn)物以及副產(chǎn)物的結(jié)構(gòu),并討論了四甲氧基苯醌與四羥基苯醌的制備工藝,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在最佳工藝條件下克酮酸的最大產(chǎn)率為27.5%。以制備的克酮酸為原料,利用溶液法中的蒸發(fā)法生長(zhǎng)克酮酸單晶,研究了pH值等生長(zhǎng)環(huán)境對(duì)克酮酸單晶的影響,最終在1mol/L的HCl溶液中生長(zhǎng)出較為理想的晶體。對(duì)克酮酸單晶進(jìn)行了X射線單晶結(jié)衍射分析,結(jié)果表明,克酮酸單晶屬于正交晶系,mm2點(diǎn)群,一
5、個(gè)晶胞含有4個(gè)克酮酸分子,晶格參數(shù)為a=8.7038(4)?,b=5.1695(2)?,c=10.9622(4)?。從克酮酸單晶的晶體結(jié)構(gòu)可以得出克酮酸單晶屬于有序-無(wú)序型鐵電材料,分別分析了克酮酸單晶的介電常數(shù)與溫度的關(guān)系曲線、介電損耗、電滯回線、漏電流等介電性能,結(jié)果表明:在外加電場(chǎng)為420V/cm,頻率為100Hz時(shí),克酮酸單晶具有較好的電滯回線,此22時(shí)飽和極化為3.54μC/cm,剩余極化為1.73μC/cm,矯頑場(chǎng)為170V/cm。分析了克酮酸單晶具有鐵電性的原因。關(guān)鍵詞:克酮酸;有機(jī)單晶;
6、鐵電性;介電性-I-哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文AbstractInrecentyears,withmoreandmorerapidlydevelopmentofallkindsofnewtechnologyinfieldofmicroelectronics,micro-computertechnologyandIT,therequirementofmemoryperformanceisincreasinglyhigherandhigher,especiallyintheaerospacefield.
7、Theferroelectricmemoryhasexcellentresistancetoradiation,superiorperformanceoffastreadingandwritingcapability,lowoperatingvoltage.Soitisconsideredtobethemostpotentialproductsinthefieldofmemories.CroconicAcid(4,5-dihydroxy-4-cyclopentene-1,2,3-trione)waspr
8、eparedfromtherawmaterialofC6Cl4O2(tetrachoro-1,4-benzoquinone)throughtheintermediatesofC10H12O6(tetramethoxy-1,4-benzoquinone)andC6H4O6(tetrahydroxy-1,4-benzoquinone).TheproductsofeverystepandbyproductswerecharacterizedbyI