硅烷偶聯(lián)劑的種類與結(jié)構(gòu)對(duì)二氧化硅表面聚合物接枝改性的影響_毋偉

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1、第32卷第5期硅酸鹽學(xué)報(bào)Vol.32,No.52004年5月JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETYMay,2004硅烷偶聯(lián)劑的種類與結(jié)構(gòu)對(duì)二氧化硅表面聚合物接枝改性的影響毋偉,陳建峰,屈一新(北京化工大學(xué),教育部超重力工程研究中心,北京100029)摘要:在超細(xì)二氧化硅表面接枝聚合改性工藝的基礎(chǔ)上,通過(guò)透射電子顯微鏡、紅外光譜、X射線光電子能譜等檢測(cè)手段,并結(jié)合模型計(jì)算,研究了硅烷偶聯(lián)劑(silanecouplingagent)對(duì)超細(xì)二氧化硅表面聚合物接枝改性的影響及其機(jī)理

2、。認(rèn)為硅烷偶聯(lián)劑KH570和KH858都是有效的預(yù)處理劑,硅烷偶聯(lián)劑的種類對(duì)改性影響很大。由于KH570中含有的雙鍵與羰基形成了離域4鍵,使其雙鍵結(jié)合力減弱;而在KH858中4由于硅原子的供電子效應(yīng),使其雙鍵結(jié)合力有所加強(qiáng);使用KH570預(yù)處理的超細(xì)二氧化硅表面含有的聚合物更多,分散性更好。KH570更適合用作超細(xì)二氧化硅表面接枝聚合改性的預(yù)處理劑。關(guān)鍵詞:硅烷偶聯(lián)劑;超細(xì)二氧化硅;接枝改性;影響機(jī)理中圖分類號(hào):TQ127.2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):04545648(2004)05057006INFLUE

3、NCEOFTHEKINDSANDSTRUCTUREOFSILANECOUPLINGAGENTONPOLYMERGRAFTINGMODIFICATONOFTHEULTRAFINESILICONDIOXIDESURFACEWUWei,CHENJianfeng,QUYixin(ResearchCenteroftheMinistryofEducationforHighGravityofEngineering&Technology,BeijingUniversityofChemicalTechnology,Beijing

4、100029,China)Abstract:BasedonthestudyoftheprocessofpolymergraftingmodificationonthesurfaceofultrafinesilicondioxideandcomparedbyusingTEM,IR,XPS,andmodelcalculation,theinfluenceandmechanismofdifferentsilanecouplingagentsonthemodificationofultrafinesilicondio

5、xidewereinvestigated.Theeffectsofmodificationarevariedsignificantlywiththedifferenceofsilanecouplingagents,anditisconcludedthatKH570andKH858areeffectivepretreatingagents.TheduplexbondsofcarboninKH570areweak4enedduetotheformationof4delocalizationbondsbetwe

6、entheduplexbondsandcarbonylgroups,whereastheduplexbondsofcarboninKH858arestrengthenedduetotheelectrondonatingeffectsofsiliconatoms.ThesurfaceofultrafinesilicondioxidemodifiedwithKH570hencecontainsmorepolymersandhasbetterdispersion.ItissuggestedthatKH570ismo

7、resuitedasapretreatingagentforpolymergraftingmodificationonthesurfaceofultrafinesilicondioxide.Keywords:silanecouplingagent;ultrafinesilicondioxide;graftingmodification;influencemechanism超細(xì)二氧化硅是一種白色無(wú)定型粉末,其晶體接,形成一維、二維、三維的鏈狀、球狀及空間骨架點(diǎn)結(jié)構(gòu)是以硅原子為中心,氧原子為頂點(diǎn)所形成的不陣結(jié)構(gòu)

8、,不同的化學(xué)環(huán)境可使這一發(fā)展過(guò)程停留在太規(guī)則的四面體結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)單元是SiO2,4個(gè)頂點(diǎn)的某一狀態(tài)。超細(xì)二氧化硅表面上的硅原子并不是規(guī)氧原子與另外的四面體頂點(diǎn)的硅原子經(jīng)共價(jià)鍵連則排列的,連在超細(xì)二氧化硅表面上的羥基也不是收稿日期:20030702。修改稿收到日期:20031114。Receiveddate:20030702.Approveddate:20031114.基金項(xiàng)目:教育部科

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