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《銀納米線_氧化鋅透明導電薄膜的復合制備及其性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、分類號學校代碼10408密級研究生學號1520032001銀納米線/氧化鋅透明碩士學位論文導電薄膜的復合銀納米線/氧化鋅透明導電薄膜的復合制備制備及其性能研究及其性FabricationandStudyonPropertiesofAgNWs/ZnO能研TransparentConductiveFilms究學位申請人勞子軒勞子軒導師姓名及職稱胡躍輝教授專業(yè)名稱電子科學與技術研究方向光電薄膜材料與器件所在學院機械電子工程學院論文提交日期2018-05碩士學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導師的指導下獨
2、立進行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標注引用的內容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經發(fā)表或撰寫的成果作品。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔。作者簽名：日期：年月日碩士學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權景德鎮(zhèn)陶瓷大學可以將本學位論文的全部或部分內容編入有關數據庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手
3、段保存和匯編本學位論文。保密?，在年解密后適用本授權書。本學位論文屬于不保密□。（請在以上相應方框內打“√”）作者簽名：日期：年月日導師簽名：日期：年月日摘要隨著光電智能器件的迅速發(fā)展，諸如太陽能電池、光電顯示器、可穿戴設備對透明導電薄膜的需求日益增加。傳統(tǒng)的銦錫氧化物（ITO）透明導電材料已不能完全滿足各種光電器件的要求。目前，有希望替代ITO的材料包括石墨烯、碳納米管、金屬納米線、金屬納米網格和一些導電聚合物。其中，銀納米線（AgNWs）具有超高的電導率、長徑比，優(yōu)異的柔韌性能，是最有希望替代ITO的材料。但是
4、，銀納米線基導電網絡通常有兩個缺點限制了其穩(wěn)定性。1）由于具有超高的比表面積，AgNWs在空氣中容易被氧化而影響其導電性能；2）AgNWs導電網絡與基底之間的附著力較差，使用過程中容易從基底上脫落。本論文的目的是改善AgNWs基柔性透明導電薄膜的光電性能、彎曲性能以及抗氧化性。首先，利用多元醇法合成了AgNWs溶液并制備成膜，通過溶膠凝膠法及磁控濺射法制備了AZO薄膜研究其光電性能，然后，將AZO薄膜沉積于AgNWs薄膜表面作為其抗氧化層提升AgNWs薄膜綜合性能。主要包括以下幾個方面：（1）通過多元醇法合成AgN
5、Ws分散液，并成功通過旋涂法制得分布均勻，直徑統(tǒng)一的不同覆蓋密度的AgNWs薄膜。通過調節(jié)銀納米線密度控制復合薄膜的方阻和透光率。制備得到了透光率高達91.59%和方阻低至55Ω/sq的AgNWs透明導電薄膜。此外，對AgNWs薄膜的彎曲性能及穩(wěn)定性測試顯示，歷經大量重復彎曲后，銀納米線與PET基底之間的附著力比較弱，AgNWs透明導電薄膜的導電性能受到破壞，且在空氣中一定時間后其導電性能急劇下降。（2）分別使用了溶膠凝膠法和磁控濺射法制備了AZO薄膜。1）針對溶膠凝膠法制備AZO薄膜，研究了不同退火氣氛及退火溫度
6、對AZO薄膜的性能影響，結果表明在退火溫度為500℃時，氮氣氛圍中中處理的AZO薄膜性能表現最佳；2）針對磁控濺射法制備AZO薄膜，探討不同濺射時間對AZO薄膜的光電性能影響。結果表明濺射時間為10min時薄膜綜合光電性能達到最佳，此時薄膜透光率為89.66%，方阻為322Ω/sq。（3）研究了AgNWs薄膜與AZO薄膜的復合制備。利用旋涂法在PET基底上沉積得到AgNWs導電網絡，然后在AgNWs導電網絡上面覆蓋一層AZO保護層，其中AZO保護層的沉積分別使用了溶膠凝膠法以及磁控濺射法來制備。實驗中制備獲得了透光
7、率高達92%和方塊電阻低至40.1Ω/sq的復合透明導電薄膜，由于AgNWs被鑲嵌在AZO薄膜中，樣品的彎曲性能和熱穩(wěn)定性有了極大的提升，明顯優(yōu)于未覆蓋保護層的AgNWs柔性透明導電薄膜。使用AZO薄膜作為保護層可以填充AgNWs之間的空隙以降低薄膜電阻，保護納米線免受氧化或熔化，改善AgNWs薄膜的機械和熱穩(wěn)定性。因此，AgNWs/AZO復合透明薄I膜具有良好的光電性能、彎曲性能以及抗氧化穩(wěn)定性，在柔性電子器件以及除冰霜設備中有著巨大的應用前景。關鍵詞：銀納米線AZO薄膜光電性能穩(wěn)定性IIAbstractWith
8、therapiddevelopmentofphotoelectricsmartdevices,therehasbeenanincreasingdemandfortransparentconductivefilmssuchassolarcells,optoelectronicdisplays,andwearabledevices.Traditionalindi
