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《全國高考物理分類匯編電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)》由會員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、17電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)專題十七、電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)1(2013高考山東理綜第21(2)題)(2)霍爾效應(yīng)是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學(xué)家在該領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)研究上取得了突破性進(jìn)展。如圖丙所示,在一矩形半導(dǎo)體薄片的P、Q間通入電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)電壓UH,這個(gè)現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng),UH稱為霍爾電壓,且滿足,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù)。某同學(xué)通過實(shí)驗(yàn)來測定該半導(dǎo)體薄片的霍爾系數(shù)。①若該半導(dǎo)體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導(dǎo)電,電流與磁場方向如圖丙所示,該同學(xué)用電壓表測量UH時(shí),應(yīng)將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導(dǎo)線相連。矚慫潤厲
2、釤瘞睞櫪廡賴。②已知薄片厚度d=0.40mm,該同學(xué)保持磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量相應(yīng)的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示。聞創(chuàng)溝燴鐺險(xiǎn)愛氌譴凈。根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)(見答題卡)畫出UH—I圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為_______________×10-3VA-1T-1(保留2位有效數(shù)字)。殘騖樓諍錈瀨濟(jì)溆塹籟。③該同學(xué)查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導(dǎo)體薄片中的電流反向再次測量,取兩個(gè)方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖丁所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關(guān),虛線框內(nèi)為半導(dǎo)體薄片(未畫出)。為使電流從Q端流入,P端流出,
3、應(yīng)將S1擲向_______(填“a”或“b”),S2擲向_______(填“c”或“d”)。釅錒極額閉鎮(zhèn)檜豬訣錐。為了保證測量安全,該同學(xué)改進(jìn)了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應(yīng)串聯(lián)在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。彈貿(mào)攝爾霽斃攬磚鹵廡。答案:①M(fèi)②如圖所示。1.5③bcS1E解析:①若該半導(dǎo)體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導(dǎo)電,第8頁共8頁17電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)由左手定則,空穴所受洛倫茲力方向指向M,M側(cè)電勢高,用電壓表測量UH時(shí),應(yīng)將電壓表的“+”接線柱與M端通過導(dǎo)線相連。謀蕎摶篋飆鐸懟類
4、蔣薔。②由可知UH---I圖線的斜率等于KB/d,由UH---I圖線可求得圖線的斜率等于0.38,由KB/d=0.38可得:霍爾系數(shù)K=1.5×10-3VA-1T-1。廈礴懇蹣駢時(shí)盡繼價(jià)騷。③為使電流從Q端流入,P端流出,應(yīng)將S1擲向“b”,S2擲向“c”。為了保證測量安全,可以將一合適的定值電阻與電源串聯(lián)連接在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應(yīng)串聯(lián)在相鄰器件S1和E之間。煢楨廣鰳鯡選塊網(wǎng)羈淚。2(2013高考福建理綜第19(2)題)(2)(12分)硅光電池在無光照時(shí)不產(chǎn)生電能,可視為一電子元件。某實(shí)驗(yàn)小組設(shè)計(jì)如圖甲電路,給硅光電池加反向電壓(硅光電池負(fù)極接高電
5、勢點(diǎn),正極接低電勢點(diǎn)),探究其在無光照時(shí)的反向伏安特性。圖中電壓表的V1量程選用3V,內(nèi)阻為6.0kΩ;電壓表V2量程選用15V,內(nèi)阻約為30kΩ;R0為保護(hù)電阻;直流電源電動勢E約為12V,內(nèi)阻不計(jì)。鵝婭盡損鵪慘歷蘢鴛賴。①根據(jù)圖甲,用筆畫線代替導(dǎo)線,將圖乙連接成完整電路。②用遮光罩罩住硅光電池,閉合開關(guān)S,調(diào)節(jié)變阻器R,讀出電壓表V1、V2的示教U1、U2。(ⅰ)某次測量時(shí),電壓表V1示數(shù)如圖丙,則U1=V.可算出通過硅光電池的反向電流大小為mA(保留兩位小數(shù))?;[叢媽羥為贍僨蟶練淨(jìng)。(ⅱ)該小組測出大量數(shù)據(jù),篩選出下表所示的9組U1、U2數(shù)據(jù),算出相應(yīng)的硅光電池兩端反向
6、電壓UX和通過反向電流IX(表中“-”表示反向),并在坐標(biāo)紙上建立IX-UX坐標(biāo)系,標(biāo)出了與表中前5組UX、IX數(shù)據(jù)對應(yīng)的5個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)。請你標(biāo)出余下的4個(gè)坐標(biāo)點(diǎn),并繪出IX-UX圖線。預(yù)頌圣鉉儐歲齦訝驊糴。第8頁共8頁17電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)(ⅲ)由IX-UX圖線可知,硅光電池?zé)o光照下加反向電壓時(shí),IX與UX成____(填“線性”或“非線性”)關(guān)系。滲釤嗆儼勻諤鱉調(diào)硯錦。答案:①連線如圖。②(i)1.400.23(ⅱ)繪出IX-UX圖線如圖所示。(iii)非線性解析:電壓表V1示數(shù)U1=1.4V,內(nèi)阻為RV=6.0kΩ,由歐姆定律可知通過的電流為I=U1/RV=0.23A。根據(jù)表中數(shù)據(jù)
7、標(biāo)出余下的4個(gè)坐標(biāo)點(diǎn),用描點(diǎn)法平滑曲線繪出IX-UX圖線如圖所示。由IX-UX圖線可知,硅光電池?zé)o光照下加反向電壓時(shí),IX與UX成非線性關(guān)系。鐃誅臥瀉噦圣騁貺頂廡。3.(17分)(2013高考四川理綜第8題)第8頁共8頁17電學(xué)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)(1)(6分)在探究兩電荷間相互作用力的大小與哪些因素有關(guān)的實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)猜想可能與兩電荷的間距和帶電量有關(guān)。他選用帶正電的小球A和B,A球放在可移動的絕座上,B球用絕緣絲線懸掛于玻璃棒C點(diǎn),如圖所示。擁締鳳襪備訊顎輪爛薔。 實(shí)驗(yàn)時(shí),先保持兩電荷量不變,使A球從遠(yuǎn)處逐漸