納米zno及zno稀土粒子的制備和性能的研究

納米zno及zno稀土粒子的制備和性能的研究

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1、』J[1lltllllf[ffllulrl,rplllrlllll/llllllilrlJlllY1436169分類號:UDC:密級:編號:工學(xué)碩士學(xué)位論文納米ZnO及ZnO/稀土粒子的制備和性能的研究碩士研究生指導(dǎo)教師學(xué)位級別學(xué)科、專業(yè)所在單位:匡巍巍:景曉燕教授:工學(xué)碩士:化學(xué)工藝:材料科學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院論文提交日期:2008年4月論文答辯日期:2008年6月學(xué)位授予單位:哈爾濱工程大學(xué)哈爾濱工程大學(xué)碩士學(xué)位論文捅芰ZnO是一種重要的半導(dǎo)體材料,室溫下的帶隙寬為3.37eV,激子束縛能高達(dá)60meV。由于其良好的光電性能,可以廣泛應(yīng)用在室溫紫外激光器

2、,傳感器和光催化等領(lǐng)域。ZnO中存在氧空位、鋅間隙等諸多本征點(diǎn)缺陷,對ZnO進(jìn)行摻雜是改進(jìn)其性能的方法之一。本文采用水熱法制備了La摻雜ZnO粉體,討論了pH、摻雜量、反應(yīng)時(shí)間對ZnO復(fù)合粒子的粒徑和形貌的影響,并通過XRD、SEM、EDS、UV.Vis對產(chǎn)物進(jìn)行表征。結(jié)果表明,摻雜La時(shí),出現(xiàn)抑制ZnO生長的現(xiàn)象,得到粒徑為20--,40nlil的ZnO/La203復(fù)合粉體;由于La3+離子的半徑比Zn2+離子的半徑大,當(dāng)La摻雜進(jìn)入ZnO晶格中,造成局部晶格的畸變,導(dǎo)致晶胞參數(shù)的改變;La摻雜量為3%時(shí)提高了ZnO的光催化活性。采用高分子網(wǎng)絡(luò)法制備了

3、La、Y、Nd對ZnO摻雜的復(fù)合粉體,討論了摻雜量、燒結(jié)溫度對粒徑和形貌的影響,并通過XRD、SEM、TEM、EDS和FT—IR對產(chǎn)物進(jìn)行表征。結(jié)果表明,La、Y、Nd的摻雜對ZnO的生長產(chǎn)生了抑制的作用,復(fù)合粒子的粒徑隨摻雜量的增加而減小,隨燒結(jié)溫度的升高而增大。采用微波法和微波水熱法制備納米ZnO粉體,討論了pH對微波水熱法和傳統(tǒng)水熱法制備粒子尺寸和形貌的影響,并通過XRD和SEM對產(chǎn)物進(jìn)行表征。結(jié)果表明,微波在合成中具有節(jié)能高效的特點(diǎn),可直接合成形貌均一,粒徑為37.8nln的納米粒子。采用聚苯胺對ZnO、ZnO/La203.、ZnO/Y203、Z

4、nO/Nd203表面修飾制備得到導(dǎo)電復(fù)合材料,并通過XRD、SEM進(jìn)行表征。通過四探針電導(dǎo)率儀測試,ZnO—PANI為2.326s-m-1,比摻雜稀土?xí)r高一個(gè)數(shù)量級。關(guān)鍵詞:納米氧化鋅;稀土;摻雜;微波;光催化哈爾濱T程大學(xué)碩士學(xué)何論文AbstractZnOisoneofthemostattractivefunctionalsemiconductormaterials.Ithasawidebandgap(3.37eV)andahighexcitonbindingenergy(60meV)atroomtemperature.Duetoitsgoodopto

5、electronicproperties,itcanbewidelyappliedinthefieldsofroom—temperatureultravioletlasing,sensorandphotocatalysisetc.ZnOhasmanyintrinsicpointdefectssuchasoxygenvacancyandzincinterstitialatom.DopingtoZnOisoneofthemethodstoimproveitsperformance.La-dopedZnOwassynthesizedbyhydrothermal

6、method.TheeffectofpH,dopingcontentandreactiontimeonthesizeandmorphologyoftheparticleswasevaluated.TheproductswerecharacterizedbyXRD,SEM,EDSandUV—Vis.TheresultsindicatedthatthegrowthofZnOcrystalswasinhibitedduringthedopingprocess.TheZnO/La203compositepowderswithsizeof20--40姍wereob

7、tained;AstheradiusofLa3+isbiggerthanthatofZn2+,thedopingwithLaintoZnOcrystallatticecausedthedistortionoflatticeandthechangeoflatticeparameters;ThephotocatalysispropertiesofZnOwereimprovedwhenthedopingcontentwas3%.ZnOcompositepowersdoped謝tllLa,YandNdwerepreparedbypolymernetworkmet

8、hod.Theinfluenceofdopingcontentandsinter

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