用于無(wú)線充電中的nicuzn鐵氧體屏蔽材料的研究

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1、＇Ｉ：｜Ｉｕ．ＩＩｒＩＩＩＩ１＇｜，；‘．’’’Ｉ＂‘Ｉｎ．１ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＯＦＣＨＩＮＡＩ專(zhuān)業(yè)學(xué)位碩±學(xué)位論文ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＯＮＡＬＤＥＧＲＥＥＩＳＦＯＲＰＲＯＦＥＳＳ．．，＂．ｉＢｒ論丈題目用于無(wú)線充電中的ＮｉＣｕＺｎ鐵氧體屛蔽材料的硏究專(zhuān)業(yè)學(xué)位類(lèi)別工程碩±學(xué)號(hào)２０１２２２０３０６

2、５６作者姓名李東月ｉ指導(dǎo)教師梁迪飛教授１節(jié)＇皆護(hù)Ｉ獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加標(biāo)注和致謝的地方夕ｈ，論文中不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。作者簽名：日期：年ｒ月曰￣細(xì)論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全

3、了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部口或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可＾＾將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可１＾采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存。、匯編學(xué)位論文（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）／作者簽名：導(dǎo)師簽名：＿日期＇：弘５年Ｓ月聲日分類(lèi)號(hào)密級(jí)注1UDC學(xué)位論文用于無(wú)線充電中的NiCuZn鐵氧體屏蔽材料的研究（題名和副題名）李東月（作者姓名）指導(dǎo)教師梁迪飛教授電子科技大

4、學(xué)成都（姓名、職稱(chēng)、單位名稱(chēng)）申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)學(xué)位類(lèi)別工程碩士工程領(lǐng)域名稱(chēng)電子與通信工程提交論文日期2015.03.28論文答辯日期2015.05.26學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)2015年06月30日答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人注1：注明《國(guó)際十進(jìn)分類(lèi)法UDC》的類(lèi)號(hào)。RESEARCHOFNICUZNFERRITESHIELDINGMATERIALSUSEDINWIRELESSCHARGINGAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandT

5、echnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:LiDongyueAdvisor:ProfessorLiangDifeiSchool:SchoolofMicroelectronics&Solid-StateElectronics摘要摘要近幾年來(lái)無(wú)線充電技術(shù)已成為了熱點(diǎn)，現(xiàn)有的且比較有市場(chǎng)的無(wú)線充電設(shè)備，是基于電磁感應(yīng)和電磁諧振技術(shù)，前者的主要應(yīng)用頻段為100～205KHz（參考Qi標(biāo)準(zhǔn)），后者應(yīng)用頻段為10MHz左右（可與NFC技術(shù)結(jié)合）。但無(wú)線充電設(shè)備還沒(méi)

6、有普及，主要是因?yàn)槠浼夹g(shù)還存在諸多問(wèn)題，最主要的是如何提高充電效率，從而使其能夠與有線充電相比較。Qi標(biāo)準(zhǔn)中指出可以用NiZn鐵氧體作為屏蔽材料。而鐵氧體屏蔽材料的磁性能參數(shù)對(duì)充電效率在一定程度上有著關(guān)鍵性的影響。首先，針對(duì)應(yīng)用于低頻段（100～205KHz）NiCuZn鐵氧體進(jìn)行了研究，目標(biāo)是制備出具有高起始磁導(dǎo)率、高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度和低功耗的材料。主要集中在配方的設(shè)計(jì)和工藝調(diào)節(jié)方面。得出結(jié)論：ZnO含量的范圍從26.78mol%增加到29.87mol%，材料μi在上升，Bs、Br、Hc和Pcv都在逐漸減

7、小，經(jīng)綜合衡量，ZnO含量在28.84mol%～29.87mol%之間選取比較合適。CuO有助于燒結(jié)，μi隨CuO含量的增加呈現(xiàn)出先升高后下降的現(xiàn)象，其含量設(shè)置在6.695mol%～8.24mol%左右能較好的兼顧材料磁性能。Fe2O3含量為48.5mol%時(shí)，μi值達(dá)到最大，主配方中其含量控制在47.5mol%～48.5mol%之間最有利于實(shí)現(xiàn)研究目標(biāo)。V2O5的摻入可以使晶粒增大且生長(zhǎng)比較均勻，起始磁導(dǎo)率變大，但是過(guò)量摻雜，會(huì)使材料的磁性能惡化。合適的預(yù)燒溫度可以優(yōu)化材料的性能，本文中溫度設(shè)置在800

8、℃～850℃之間為最佳；適當(dāng)延長(zhǎng)二次球磨時(shí)間有利于對(duì)預(yù)燒粉料進(jìn)行更徹底的破碎，從而促進(jìn)粉料的燒結(jié)，使其結(jié)晶更徹底，提高結(jié)晶程度，二磨的時(shí)間設(shè)置為4～5小時(shí)達(dá)到的效果最好。其次，選擇應(yīng)用于高頻段（10～13.56MHz）的NiCuZn鐵氧體屏蔽材料為研究對(duì)象，其目標(biāo)是提磁導(dǎo)率??值（13.56MHz處大于210），降低磁導(dǎo)率的虛部值即損耗（13.56MHz處小于10）。此過(guò)程分析了調(diào)節(jié)工藝，以及摻雜Co2O3和Co2O3-V2O