反沖質(zhì)子法d-t快中子能譜測(cè)量方法研究

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1、分類號(hào)：０５７１．５密級(jí)！公開Ｗ才確、Ｉ研究生學(xué)位論文論文題目－（中文）反沖質(zhì)子法ＤＴ快中子能譜測(cè)量方法研究ｏｎ－ＳｔｕｄｙＤＴｎｅｕｔｒｏｎｅｎｅｒｓｅｃｔｒａｇｙｐ論文題目（外文）ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｕｓｉｎｒｅｃｏｉｌｒｏｔｏｎｍｅｔｈｏｄｇｐ研究生姓名王潔學(xué)科？、專業(yè)物理學(xué)粒子物理與原子核物理中子物Ｓ研巧方向今；．＿．，Ｊ學(xué)位級(jí)別碩±導(dǎo)師姓名、職稱姚澤恩教授論文工作起止年月２０１２年９月至２０１５年６月論文提交日期

2、２０１５年６月論文答辯日期２０１５年６月學(xué)位授予日期２０１５年６月校址：甘肅省蘭州巧－＇＇’—３Ｖ．‘？．－Ｖ－．、（ｒ．Ｊ．ｒ－審’Ｉ或：為／．．．．．管ｖ屑芽＇ｉ原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：本人所呈交的學(xué)位論文，是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的成果。學(xué)位論文中凡引用他人己經(jīng)發(fā)表或未發(fā)表的成果、數(shù)據(jù)、觀點(diǎn)等，均己明確注明出處。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，不包含任何其他個(gè)人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的科研成果。對(duì)本文的研究成果做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，

3、均已在文中Ｗ明確方式標(biāo)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。＇論文作者簽名：日期：＾也Ｌ（關(guān)于學(xué)位論文使用授權(quán)的聲明。本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下所完成的論文及相關(guān)的職務(wù)作品，知識(shí)產(chǎn)權(quán)歸屬蘭州大學(xué)、本人完全了解蘭州大學(xué)有關(guān)保存使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保存或向國(guó)家有關(guān)部口或機(jī)構(gòu)送交論文的紙質(zhì)版和電子版，允許論文被查悶和借閱；本人授權(quán)蘭州大學(xué)可１＾？將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)巧進(jìn)行檢索，可＾？采用任何復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。本人離校后發(fā)表、使用學(xué)位論文或與該論文直接巧關(guān)的學(xué)術(shù)論文或成

4、果時(shí)一，第署名單位仍然為蘭州大學(xué)。本＾論文研巧內(nèi)容：公開口不宜公開，己在學(xué)位辦公室辦理保密申請(qǐng)，解密后適用本授權(quán)書。一＂＂（請(qǐng)?jiān)冢蓿奚线x項(xiàng)內(nèi)選擇其中項(xiàng)打Ｖ）１論文作者簽名：導(dǎo)師簽名；．基＂＞〇／？－Ｃ．日親／日期：廠／合ｒ如反沖質(zhì)子法Ｄ－Ｔ快中子能譜測(cè)量方法研究摘要Ｄ－Ｔ中子發(fā)生器是重要的單能快中子源Ｄ－Ｔ中子，在利用發(fā)生器開展中子物理及中子應(yīng)用技術(shù)的研究中一，中子能譜是需要測(cè)量的重要數(shù)據(jù)之。針對(duì)蘭州大學(xué)正在研制的ＺＦ－４００Ｉ旋轉(zhuǎn)祀強(qiáng)流Ｄ－Ｔ反應(yīng)中子發(fā)生器的應(yīng)用需

5、一求－Ｔ快中子能譜測(cè)量的方案Ｄ－Ｔ，提出了種采用反沖質(zhì)子法進(jìn)行Ｄ，即讓快中子轟擊聚己婦膜產(chǎn)生反沖質(zhì)子，由厚耗盡層金桂面壘探測(cè)器Ｓｉ（Ａｕ）測(cè)量反沖質(zhì)－子能譜，再通過反沖質(zhì)子能譜反演來(lái)確定ＤＴ中子能譜。采用ＭＣＮＰＸ程序?qū)Γ保矗埃停澹挚熘性诰垡彝茨ど系姆礇_質(zhì)子積分產(chǎn)額、平均能譜、微分產(chǎn)額、角分布、不同角度的質(zhì)子能譜等進(jìn)行了模擬研巧，根據(jù)模擬結(jié)果，并考慮快中子束直射對(duì)Ｓｉ（Ａｕ）造成的損傷及快中子與Ｓｉ的（ｎ，〇〇、知，Ｐ）°反應(yīng)對(duì)反沖質(zhì)子能譜測(cè)量造成的影響，確定應(yīng)將探測(cè)器放置在與中子束呈４５夾

6、ＰＥ厚０￣．２ｍｍ０．４ｍｍ之間。角方向，此時(shí)的度應(yīng)該選擇在一針對(duì)如何由所測(cè)禱的反沖質(zhì)子能譜反演得到中子能譜運(yùn)基本問題，開展了最小二乘法和逸代法兩種能譜反演理論和算法的研巧，分別給出了兩種能譜反演算法方程，并利用Ｍａｔｌ油和Ｃ＋＋平臺(tái)開發(fā)了相應(yīng)的能譜反演算法計(jì)算機(jī)程序。°°設(shè)置了一系列單能中子束轟擊聚石賺膜ＭＣＮＰＸ程序５，采用模巧了０和４方向上出射的反沖質(zhì)子能譜－４００Ｉ，確定了探測(cè)器的響應(yīng)矩陣民。根據(jù)蘭州大學(xué)ＺＦ中于發(fā)生器的祀結(jié)構(gòu)及初步構(gòu)想的反沖質(zhì)子法中子能譜測(cè)量系統(tǒng)方案，通過ＭＣＮＰＸ

7、模一擬，設(shè)定了個(gè)入射中子束能譜，同時(shí)模擬了巧方向和４＾方向的反沖質(zhì)子譜，并將其數(shù)據(jù)視為反沖質(zhì)子測(cè)量譜。在此基礎(chǔ)上，錄用所開發(fā)的能譜反演算法計(jì)算機(jī)程序，開展了兩種能譜反演方法的模擬測(cè)試。最小二乘法反演測(cè)試結(jié)果顯示，此算法會(huì)造成反演能譜的震蕩和負(fù)值出現(xiàn)，不適合用于反沖質(zhì)子法Ｄ－Ｔ中子能譜反演的顯示器位數(shù)據(jù)處理，應(yīng)該剔除；迭代法反演測(cè)試結(jié)果，探測(cè)°°５方向的反演能譜均能較好的與設(shè)定的Ｄ－Ｔ中子譜相符合于０方向和４，證明迭一種比較理想的求解中子能譜的方法代法是。Ｄ－Ｔ開展了反沖質(zhì)子法快中子能譜測(cè)量系統(tǒng)的

8、初步模擬與設(shè)計(jì)。采用ＳＲＩＭ模擬了質(zhì)子在Ｓｉ中的射程，確定Ｓｉ（Ａｕ）探測(cè)器耗盡層厚度應(yīng)該大于１．６１ｍｍ，由－此確定了探測(cè)器型號(hào)。采用ＭＣＮＰＸ程序，通過對(duì)反沖質(zhì)子法ＤＴ快中子能譜測(cè)量系統(tǒng)中粒子輸運(yùn)的模擬，研究了中子準(zhǔn)直屏蔽體對(duì)中子能譜的影響，并給化ＩＩ＇了測(cè)量系統(tǒng)的探測(cè)效率；