low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究

ID:35033064

大?。?.73 MB

頁(yè)數(shù):68頁(yè)

時(shí)間:2019-03-16

low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第1頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第2頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第3頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第4頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第5頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第6頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第7頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第8頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第9頁(yè)
low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究_第10頁(yè)
資源描述:

《low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。

1、5學(xué)校代碼:1028學(xué)號(hào);20134328110易1牡考SOOCHOWUNIVERSITYbibbmi'—---—:Low-k介質(zhì)枉晶圓切割崩裂失效研究—ResearchontheDieChippinailureofgFLow-kDiele幻liesWaferinWaferSawing:硏究生姓名趙臘玲:_:指導(dǎo)教師姓名專業(yè)名稱集成電路工程"研究方向集成電路封裝^:lj所在院部電子信息學(xué)院論文提交日期2016年12月-J.」_遠(yuǎn)置;

2、Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究中文摘要Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究中文摘要輕薄短小成為半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢(shì),而硅晶圓的切割劃片技術(shù)是集成電路封裝小型化的關(guān)鍵基礎(chǔ)工藝技術(shù)。隨著薄型化及Low-k(低介電常數(shù))介質(zhì)硅晶圓的出現(xiàn),由于材料其本身的特性,傳統(tǒng)機(jī)械切割(刀片切割)方式加工過程中經(jīng)常出現(xiàn)芯片崩裂,會(huì)造成可靠性失效的嚴(yán)重后果,所以通常需要通過工藝參數(shù)的優(yōu)化以及引入激光切割工藝來改善Low-k介質(zhì)硅晶圓切割中產(chǎn)生的崩裂現(xiàn)象。本文在切割工藝分析、失效機(jī)制研究的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)研究改善Low-k介質(zhì)硅晶圓因切割崩裂而導(dǎo)致的可靠性失效問題。本論文包含以下幾個(gè)研究?jī)?nèi)容:

3、(1)硅晶圓切割工藝原理的研究從研究機(jī)械切割的工藝原理入手,結(jié)合研究Low-k介質(zhì)硅晶圓材料的特點(diǎn)指出機(jī)械切割針對(duì)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝限制,從而引入激光切割,進(jìn)一步對(duì)其工藝原理以及工藝參數(shù)進(jìn)行研究。(2)切割崩裂失效現(xiàn)象及改善的研究切割中的常見同時(shí)也是最嚴(yán)重的異常就是切割崩裂,從失效現(xiàn)象及失效機(jī)理的研究找出影響崩裂的主要因素并進(jìn)行改善。(3)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝優(yōu)化為了解決Low-k介質(zhì)硅晶圓切割產(chǎn)生的崩裂,同時(shí)控制其他相應(yīng)問題的產(chǎn)生,通過分別對(duì)主要參數(shù)的優(yōu)化驗(yàn)證,找到最佳工藝生產(chǎn)條件。本文在切割工藝分析、失效機(jī)制研究的基礎(chǔ)上,找出了影響Low-k介質(zhì)

4、硅晶圓切割崩裂的主要原因。在此基礎(chǔ)上有針對(duì)性的進(jìn)行優(yōu)化實(shí)驗(yàn),確定了合適的工藝條件和范圍,解決了Low-k介質(zhì)硅晶圓的崩裂問題,達(dá)到了達(dá)到了確保切割品質(zhì)與可靠性的目的。I中文摘要Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究關(guān)鍵詞:Low-k介質(zhì)硅晶圓,切割,崩裂,可靠性,工藝參數(shù)作者:趙臘玲指導(dǎo)教師:張冬利IIResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSawingAbstractResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSa

5、wingAbstractSlimmerandthinnersemiconductorproductisnowatrendrequiredbythemarket,whilethetechnologyofwafersawingisinfactthekeyandfundamentalprocesstominiaturizeintegratedcircuitassemblyproduction.WiththeapplicationsofthinnerandLow-k(lowdielectricconstant)wafer,inthetraditionalmechanicalwaf

6、ersawing(bladesawing)process,diechippingconstantlyoccursduetothecharacteristicsofthematerialitself,resultinginaseriousconsequenceofreliabilityfailure.ThusitisessentialtoresolvediechippingissuesduringLow-kdielectricswaferthroughoptimizingtheprocessparametersandintroducinglasergroovetechnol

7、ogy.Basedontheanalysisoftechnologyandfailuremechanismofwafersawingprocess,thisthesisfocusesonhowtoovercometheproductreliabilityfailurewhichiscausedbyLow-kdielectricswaferdiechipping.Thisthesisincludesthefollowing:(1)Studiesonthewafersawingprocessprinciple;Startingwi

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁(yè),下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁(yè),下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動(dòng)畫的文件,查看預(yù)覽時(shí)可能會(huì)顯示錯(cuò)亂或異常,文件下載后無此問題,請(qǐng)放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫(kù)負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對(duì)本文檔版權(quán)有爭(zhēng)議請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系客服。
3. 下載前請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時(shí)可能由于網(wǎng)絡(luò)波動(dòng)等原因無法下載或下載錯(cuò)誤,付費(fèi)完成后未能成功下載的用戶請(qǐng)聯(lián)系客服處理。
关闭