資源描述:
《low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、5學(xué)校代碼:1028學(xué)號(hào);20134328110易1牡考SOOCHOWUNIVERSITYbibbmi'—---—:Low-k介質(zhì)枉晶圓切割崩裂失效研究—ResearchontheDieChippinailureofgFLow-kDiele幻liesWaferinWaferSawing:硏究生姓名趙臘玲:_:指導(dǎo)教師姓名專業(yè)名稱集成電路工程"研究方向集成電路封裝^:lj所在院部電子信息學(xué)院論文提交日期2016年12月-J.」_遠(yuǎn)置;
2、Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究中文摘要Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究中文摘要輕薄短小成為半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢(shì),而硅晶圓的切割劃片技術(shù)是集成電路封裝小型化的關(guān)鍵基礎(chǔ)工藝技術(shù)。隨著薄型化及Low-k(低介電常數(shù))介質(zhì)硅晶圓的出現(xiàn),由于材料其本身的特性,傳統(tǒng)機(jī)械切割(刀片切割)方式加工過程中經(jīng)常出現(xiàn)芯片崩裂,會(huì)造成可靠性失效的嚴(yán)重后果,所以通常需要通過工藝參數(shù)的優(yōu)化以及引入激光切割工藝來改善Low-k介質(zhì)硅晶圓切割中產(chǎn)生的崩裂現(xiàn)象。本文在切割工藝分析、失效機(jī)制研究的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)研究改善Low-k介質(zhì)硅晶圓因切割崩裂而導(dǎo)致的可靠性失效問題。本論文包含以下幾個(gè)研究?jī)?nèi)容:
3、(1)硅晶圓切割工藝原理的研究從研究機(jī)械切割的工藝原理入手,結(jié)合研究Low-k介質(zhì)硅晶圓材料的特點(diǎn)指出機(jī)械切割針對(duì)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝限制,從而引入激光切割,進(jìn)一步對(duì)其工藝原理以及工藝參數(shù)進(jìn)行研究。(2)切割崩裂失效現(xiàn)象及改善的研究切割中的常見同時(shí)也是最嚴(yán)重的異常就是切割崩裂,從失效現(xiàn)象及失效機(jī)理的研究找出影響崩裂的主要因素并進(jìn)行改善。(3)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝優(yōu)化為了解決Low-k介質(zhì)硅晶圓切割產(chǎn)生的崩裂,同時(shí)控制其他相應(yīng)問題的產(chǎn)生,通過分別對(duì)主要參數(shù)的優(yōu)化驗(yàn)證,找到最佳工藝生產(chǎn)條件。本文在切割工藝分析、失效機(jī)制研究的基礎(chǔ)上,找出了影響Low-k介質(zhì)
4、硅晶圓切割崩裂的主要原因。在此基礎(chǔ)上有針對(duì)性的進(jìn)行優(yōu)化實(shí)驗(yàn),確定了合適的工藝條件和范圍,解決了Low-k介質(zhì)硅晶圓的崩裂問題,達(dá)到了達(dá)到了確保切割品質(zhì)與可靠性的目的。I中文摘要Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究關(guān)鍵詞:Low-k介質(zhì)硅晶圓,切割,崩裂,可靠性,工藝參數(shù)作者:趙臘玲指導(dǎo)教師:張冬利IIResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSawingAbstractResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSa
5、wingAbstractSlimmerandthinnersemiconductorproductisnowatrendrequiredbythemarket,whilethetechnologyofwafersawingisinfactthekeyandfundamentalprocesstominiaturizeintegratedcircuitassemblyproduction.WiththeapplicationsofthinnerandLow-k(lowdielectricconstant)wafer,inthetraditionalmechanicalwaf
6、ersawing(bladesawing)process,diechippingconstantlyoccursduetothecharacteristicsofthematerialitself,resultinginaseriousconsequenceofreliabilityfailure.ThusitisessentialtoresolvediechippingissuesduringLow-kdielectricswaferthroughoptimizingtheprocessparametersandintroducinglasergroovetechnol
7、ogy.Basedontheanalysisoftechnologyandfailuremechanismofwafersawingprocess,thisthesisfocusesonhowtoovercometheproductreliabilityfailurewhichiscausedbyLow-kdielectricswaferdiechipping.Thisthesisincludesthefollowing:(1)Studiesonthewafersawingprocessprinciple;Startingwi