oled銦封裝技術(shù)的研究

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2、．二．‘．．．，辛一＂‘，護０Ｌ孤銅封裝技術(shù)的妍究皆；巧．論文題目ｍ專業(yè)學(xué)位類別工程碩±ｎ．學(xué)號２０１３２２０５０５１５作者姓．名１？１＾１指導(dǎo)教師李軍建副教授．－■ｒ；■．－：?。墸В牎觯崳姡觯牐保牐?；ｑ社‘＇．．．＇．二ｉ；Ｊ古絲ｒ獨劍性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中恃別加Ｗ標注和致謝的地方外，論文中不包含其＾也人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含

3、為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。作者簽名：聲雪今日期：２〇／《年（月２日論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部口或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可Ｗ將學(xué)位論－｜文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進斤檢索，可［＾采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。．（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此

4、規(guī)定）作者簽名；著雪導(dǎo)師簽名：呼興日期：？／名年／月么日分類號密級注1UDC學(xué)位論文OLED銦封裝技術(shù)的研究（題名和副題名）曹雪峰（作者姓名）指導(dǎo)教師李軍建副教授電子科技大學(xué)成都（姓名、職稱、單位名稱）申請學(xué)位級別碩士專業(yè)學(xué)位類別工程碩士工程領(lǐng)域名稱光學(xué)工程提交論文日期2016.4.6論文答辯日期2016.5.20學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)2016年6月答辯委員會主席評閱人注1：注明《國際十進分類法UDC》的類號。THESTUDYOFINDIUMSEALINGINGTECHNOLOGYFOROLEDAMasterTh

5、esisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:CaoXuefengSupervisor:AssProf.LiJunjianSchool:SchoolofOptoelectronicInformation摘要摘要近十年來OLED技術(shù)在全球范圍內(nèi)發(fā)展很迅猛。OLED器件具有：自主發(fā)光、超輕、超薄、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度塊、耗能低以及能用于柔性顯示等優(yōu)點，是一種非常理想的照明材料，同時在顯示器件領(lǐng)域被

6、譽為下一代顯示器件之星。現(xiàn)階段OLED器件存在著良品率不高，器件使用壽命短等致命缺點，嚴重的阻礙了OLED器件的商業(yè)化進程，如何提高器件的壽命一直是國內(nèi)外研究的熱點問題。由于發(fā)光材料會由于微量水蒸氣和氧氣的存在而性能下降或失效，如果水蒸氣和氧氣對封裝材料或封裝結(jié)構(gòu)的滲透率大，會嚴重的縮短器件的壽命，所以提升OLED器件壽命最有效的方法之一是對器件進行對水蒸氣和氧氣的高阻隔性封裝。本文首先介紹了OLED器件的發(fā)展進程，分析了OLED器件相對于其他顯示器件的優(yōu)點和不足，總結(jié)出提高OLED器件的使用壽命對加快器件商業(yè)化進程具有十分重要的意義。

7、詳細闡述了OLED器件的結(jié)構(gòu)和發(fā)光原理，分析了OLED器件的失效機理和主要外界因素，然后對目前用于OLED器件封裝的各種方法進行了研究，分析了各封裝方法與工藝的優(yōu)缺點，選擇熱熔銦封接方法作為研究方向，并著重介紹了已有的熱熔銦封裝方法，發(fā)現(xiàn)了熱熔銦封裝工藝在封裝OLED器件時分析了這些方法的優(yōu)點和不足，提出了用激光局部加熱完成OLED器件封裝的新方法，以及激光銦封接要解決的關(guān)鍵問題。針對激光銦封接OLED器件的關(guān)鍵問題，論文在第四章中首先設(shè)計了激光加熱銦封接OLED器件的結(jié)構(gòu)，提出玻璃/SiO2/Cr/Ag-Cu結(jié)構(gòu)作為OLED銦封接中的

8、絕緣層和金屬過渡層，根據(jù)設(shè)計的結(jié)構(gòu)，采用磁控濺射技術(shù)鍍制了SiO2絕緣層和金屬過渡層，制備了用于銦封裝的器件基板和蓋板，隨后對比銦熔點更低的In-Sn合金的成分配比與合金熔點的關(guān)系進行了研究，將In:Sn=