考慮谷間散射效應(yīng)的一維谷電子學(xué)器件輸運(yùn)性質(zhì)的研究

考慮谷間散射效應(yīng)的一維谷電子學(xué)器件輸運(yùn)性質(zhì)的研究

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1、:0285滬.學(xué)校代號(hào):1’:::V學(xué)號(hào)20134208075巧;..°’...申..'^呼巧子'.'片:.;、-.。.遇—巧蘆,'軒托芒?:縣,搪靖乂爭(zhēng)如1麵SOOCHOWUNIVER別TY'考慮谷間散歷應(yīng)的-維各電子學(xué)器件i‘m等拭.詞輸運(yùn)性質(zhì)麵究mj—■'扣巧麻.祉、.【'Effectsofintervalleyscatterinonthetransortgp'roert—roncevcesppiesinonedimensionalvallevtidi1^

2、1研究生姓名周嬌嬌m請(qǐng)?jiān)u電心:指導(dǎo)教師姓名江華9...'、—.'1、'專業(yè)名稱物理學(xué)研究方向凝緊態(tài)物理?^物理與光電能源學(xué)部,所在院部蘇州大學(xué)_—就、論文提交日期2016年4月劇西評(píng)寺氏戶艇■記'齡'?。?jī)妒巧戶:I強(qiáng)姐門學(xué)位論文使用授權(quán)聲明本人完全了解蘇州大學(xué)關(guān)于收集、保存和使用學(xué)位論文的規(guī)定,良P:學(xué)位論文著作權(quán)歸屬蘇州大學(xué)。本學(xué)位論文電子文檔的內(nèi)容和紙一致、質(zhì)論文的內(nèi)容。蘇州大學(xué)有權(quán)向國(guó)家圖書館中國(guó)社科院文獻(xiàn)信()、、含萬(wàn)方數(shù)據(jù)電出版中息情報(bào)

3、中也中國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所子社()送電文盤版電子志學(xué)論文的印件和子國(guó)學(xué)術(shù)期刊光雜社交本位復(fù)、段,允論文查閱和,可W用影印印或其他復(fù)制手保檔許被借閱采縮,全內(nèi)編入數(shù)據(jù)和匯編學(xué)位論文可論文的部或部分容有關(guān)存將學(xué)位進(jìn)。索庫(kù)行檢論渉密文□解密后適用規(guī)定。論文屬年月本本學(xué)位在__/非密論文因涉'I藝。^2搗:論簽:聞文日期作者名^W(::;X日:瓜午,U簽名期導(dǎo)師?。牽紤]谷間散射效應(yīng)的一維谷電子學(xué)器件輸運(yùn)性質(zhì)的研究中文摘要近幾年,谷作為一種全新的載流子自由度受到了廣泛的關(guān)注。并且,大家將基于谷自由度的電子調(diào)控稱為谷電子

4、學(xué)。本文提出了一個(gè)一維的異質(zhì)結(jié)格點(diǎn)模型,并且詳細(xì)討論了基于該模型的谷極化載流子的界面隧穿問(wèn)題。在這個(gè)格點(diǎn)模型中,假設(shè)電子僅在S軌道和最近鄰格點(diǎn)的PX軌道之間有躍遷,采用緊束縛模型的方法,我們可以計(jì)算出這個(gè)模型在動(dòng)量空間上有兩個(gè)不等價(jià)的谷結(jié)構(gòu),K和K’,并得到它們所對(duì)應(yīng)的波函數(shù)??紤]波函數(shù)在界面處的連續(xù)條件,我們可以得到透射系數(shù)和反射系數(shù)的解析形式。在這樣的情況下,我們帶入相關(guān)物理量的數(shù)值,就可以研究這些物理量對(duì)谷極化載流子界面輸運(yùn)的影響。接下來(lái)的關(guān)于谷異質(zhì)結(jié)的輸運(yùn)性質(zhì)被分為三個(gè)部分來(lái)討論:1)異質(zhì)結(jié)界面兩端都為無(wú)帶隙的谷結(jié)構(gòu)材料(????0);2)異質(zhì)結(jié)界面

5、兩端只有一端是無(wú)帶隙的谷LR結(jié)構(gòu)材料,另一端是有帶隙的谷結(jié)構(gòu)材料(??0,??0或??0,??0);3)異質(zhì)LRLR結(jié)界面兩端都為有帶隙的谷結(jié)構(gòu)材料(??0,??0)。我們的解析結(jié)果清晰地表明LR載流子在異質(zhì)結(jié)的界面處會(huì)受到很強(qiáng)的谷間散射作用,這一現(xiàn)象將會(huì)對(duì)谷電子學(xué)器件中的電子隧穿產(chǎn)生很大的影響。具體來(lái)說(shuō)就是,當(dāng)異質(zhì)結(jié)界面兩端都為無(wú)帶隙的谷材料時(shí),谷間散射會(huì)使得隧穿的載流子有一定的幾率發(fā)生反射,沒(méi)有100%的透射現(xiàn)象。然而,在這種谷異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中,透射載流子仍然保持著原有的谷極化方向。與之對(duì)比的是,當(dāng)異質(zhì)結(jié)兩端存在有帶隙的谷結(jié)構(gòu)材料時(shí),載流子的谷極化方向在透射

6、過(guò)程中可以被改變。除此之外,在有帶隙的谷結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)中,我們發(fā)現(xiàn)了谷共振輸運(yùn)的現(xiàn)象,并且給出了共振存在的條件。這一現(xiàn)象未來(lái)有可能在的谷電子學(xué)器件中得到應(yīng)用。關(guān)鍵詞:谷電子學(xué);緊束縛模型;谷間散射;谷共振輸運(yùn)作者:周嬌嬌指導(dǎo)教師:江華IEffectsofintervalleyscatteringonthetransportpropertiesinone?dimensionalvalleytronicdevicesAbstractInrecentyears,thecommunityhavegeneratedextensiveinterestinmanipulati

7、ngandcontrollingofvalley,whichisanewdegreeoffreedomofthechargecarriers,andthusstimulateabloomingfieldofvalleytronics.Here,webeginwithconstructingaone-dimensionallatticemodelandaddresssuchanissueonthebasisofinvestigatingthevalleytransportpropertiesinthisvalleymaterialjunctiondevices

8、.Weassumethattheelectronho

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