考慮谷間散射效應的一維谷電子學器件輸運性質的研究

《考慮谷間散射效應的一維谷電子學器件輸運性質的研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。

1、：０２８５滬．學校代號：１’：：：Ｖ學號２０１３４２０８０７５巧；．．°’．．．申．．＇＾呼巧子＇．＇片：．；、－．。．遇—巧蘆，＇軒托芒？：縣，搪靖乂爭如１麵ＳＯＯＣＨＯＷＵＮＩＶＥＲ別ＴＹ＇考慮谷間散歷應的－維各電子學器件ｉ‘ｍ等拭．詞輸運性質麵究ｍｊ—■＇扣巧麻．祉、．【＇Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｉｎｔｅｒｖａｌｌｅｙｓｃａｔｔｅｒｉｎｏｎｔｈｅｔｒａｎｓｏｒｔｇｐ＇ｒｏｅｒｔ—ｒｏｎｃｅｖｃｅｓｐｐｉｅｓｉｎｏｎｅｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｖａｌｌｅｖｔｉｄｉ１＾

2、１研究生姓名周嬌嬌ｍ請評電心：指導教師姓名江華９．．．＇、—．＇１、＇專業(yè)名稱物理學研究方向凝緊態(tài)物理？＾物理與光電能源學部，所在院部蘇州大學＿—就、論文提交日期２０１６年４月劇西評寺氏戶艇■記＇齡＇?。兌是蓱簦海崳姡蓮娊汩T學位論文使用授權聲明本人完全了解蘇州大學關于收集、保存和使用學位論文的規(guī)定，良Ｐ：學位論文著作權歸屬蘇州大學。本學位論文電子文檔的內容和紙一致、質論文的內容。蘇州大學有權向國家圖書館中國社科院文獻信（）、、含萬方數(shù)據(jù)電出版中息情報

3、中也中國科學技術信息研究所子社（）送電文盤版電子志學論文的印件和子國學術期刊光雜社交本位復、段，允論文查閱和，可Ｗ用影印印或其他復制手保檔許被借閱采縮，全內編入數(shù)據(jù)和匯編學位論文可論文的部或部分容有關存將學位進。索庫行檢論渉密文□解密后適用規(guī)定。論文屬年月本本學位在＿＿／非密論文因涉＇Ｉ藝。＾２搗：論簽：聞文日期作者名＾Ｗ（：：；Ｘ日：瓜午，Ｕ簽名期導師?。牽紤]谷間散射效應的一維谷電子學器件輸運性質的研究中文摘要近幾年，谷作為一種全新的載流子自由度受到了廣泛的關注。并且，大家將基于谷自由度的電子調控稱為谷電子

4、學。本文提出了一個一維的異質結格點模型，并且詳細討論了基于該模型的谷極化載流子的界面隧穿問題。在這個格點模型中，假設電子僅在S軌道和最近鄰格點的PX軌道之間有躍遷，采用緊束縛模型的方法，我們可以計算出這個模型在動量空間上有兩個不等價的谷結構，K和K’，并得到它們所對應的波函數(shù)。考慮波函數(shù)在界面處的連續(xù)條件，我們可以得到透射系數(shù)和反射系數(shù)的解析形式。在這樣的情況下，我們帶入相關物理量的數(shù)值，就可以研究這些物理量對谷極化載流子界面輸運的影響。接下來的關于谷異質結的輸運性質被分為三個部分來討論：1）異質結界面兩端都為無帶隙的谷結構材料（????0）；2）異質結界面

5、兩端只有一端是無帶隙的谷LR結構材料，另一端是有帶隙的谷結構材料（??0,??0或??0,??0）；3）異質LRLR結界面兩端都為有帶隙的谷結構材料（??0,??0）。我們的解析結果清晰地表明LR載流子在異質結的界面處會受到很強的谷間散射作用，這一現(xiàn)象將會對谷電子學器件中的電子隧穿產(chǎn)生很大的影響。具體來說就是，當異質結界面兩端都為無帶隙的谷材料時，谷間散射會使得隧穿的載流子有一定的幾率發(fā)生反射，沒有100%的透射現(xiàn)象。然而，在這種谷異質結結構中，透射載流子仍然保持著原有的谷極化方向。與之對比的是，當異質結兩端存在有帶隙的谷結構材料時，載流子的谷極化方向在透射

6、過程中可以被改變。除此之外，在有帶隙的谷結構異質結中，我們發(fā)現(xiàn)了谷共振輸運的現(xiàn)象，并且給出了共振存在的條件。這一現(xiàn)象未來有可能在的谷電子學器件中得到應用。關鍵詞：谷電子學；緊束縛模型；谷間散射；谷共振輸運作者：周嬌嬌指導教師：江華IEffectsofintervalleyscatteringonthetransportpropertiesinone?dimensionalvalleytronicdevicesAbstractInrecentyears,thecommunityhavegeneratedextensiveinterestinmanipulati

7、ngandcontrollingofvalley,whichisanewdegreeoffreedomofthechargecarriers,andthusstimulateabloomingfieldofvalleytronics.Here,webeginwithconstructingaone-dimensionallatticemodelandaddresssuchanissueonthebasisofinvestigatingthevalleytransportpropertiesinthisvalleymaterialjunctiondevices

8、.Weassumethattheelectronho