資源描述:
《gis中隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的電磁干擾問題研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、:./.V:.'.:V';>.馬今..U.專f.諸.'■.為'7-;感".片v璧A叫-...v-v■’.、...;‘-:巧帥化?,';旱瑪'v;./一4:;:%方—一.太;//詳L皆巧rV-;;:簾"'''.."-\-.^''";.省■‘:.^v.':'.■..^r巧中積嘗關(guān)E向哇秦.f,....’:.:,?NK0'',託.請問^.香...'...二爭".噸.舊。<1,,’v詩‘:.;馬.-:'v'黯'.一':又苦
2、‘'^:'..’^s騎,{京.1;h一.'叫.產(chǎn)安:..7.;.'-:運(yùn)..琴...T'v滬話.心巧'.'v.辛.真.:':',1/.:‘舍v^.;-’:'.. ̄.'■號.:芒’V'..’'/氏.苗'..5中;.V'j-.'、/./',.r;專?遂;'可‘;.站'0:-.:i'苦,'.焉陳■餐.、V.;.\.w'氣;'、H.r片;..;7.‘;^畜;>.-.兔J''‘.’為苗畜.姑■-,、.:.';H、^、.安軍r■
3、巧4i馬當(dāng).>,.<V.0,這爺二-r:.巧':;.巧‘;■竄;:'?■.0:^與.弓.,:才‘r4女.:'三V'/.wv乂—4*v.v../‘'島v.—;心'v'/..V一■.?’.、廣’.簽’V-''V..占/V;/、.r:J.如年^.'-.'巧..-馬'.V;.-■SI;一;:巧.■.x'.;..v:c:'-3其.;衣-.vv',磚■■寺/.‘?....V'苗v:>
4、?.葛域V,—V分類號TM%4密級公開1UDC62.3碩±學(xué)位論文GIS中隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的電磁干擾問題研究陳鵬學(xué)科專業(yè)電力系統(tǒng)及其自動(dòng)化指導(dǎo)教師李世作副教授論文答辯日期2016.05.27學(xué)位授予日期2016.06.30答辯委員會(huì)主席杭乃善教授廣西大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)聲明本人聲明所呈交的論文,是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得。的研究成果除已特別加W標(biāo)注和致謝的地方外,論文不包含任何其他個(gè)人
5、或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫的研究成果,也不包含本人或他人為獲得廣西大學(xué)一或其它單位的學(xué)位而使用過的材料。與我同工作的同事對本論文的研究工作所做的貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確說明。本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下所完成的學(xué)位論文及相關(guān)的職務(wù)作品,知識產(chǎn)權(quán)歸目:屬廣西大學(xué)。本人授權(quán)廣西大學(xué)擁有學(xué)位論文的部分使用權(quán),P學(xué)校有權(quán)保存并向國家有關(guān)部口或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版,允許論文被查閱和借閱,可W將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢、。索和傳播,可[^采用影印縮印或其它復(fù)
6、制手段保存、匯編學(xué)位論文本學(xué)位論文屬于:□。保密,在年解密后適用授權(quán)口不保密。""(請?jiān)冢咨舷鄳?yīng)方框內(nèi)打V)^.>論文作者簽名:昧辭日期://指導(dǎo)教師簽名:巧巧曰期戶從:作者聯(lián)系電話:電子郵箱GIS中隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的電磁干擾問題研究摘要GIS中隔離開關(guān)操作會(huì)產(chǎn)生電弧重燃,觸頭間隙上電壓突然跌落建立起階躍電壓。在GIS內(nèi)部傳播時(shí)產(chǎn)生特快速暫態(tài)過電壓(VFTO)危害內(nèi)部設(shè))二備絕緣;向外部傳播時(shí)產(chǎn)生暫態(tài)殼體電壓(TEV干擾次設(shè)備正常運(yùn)行甚至
7、危害人身安全。隨著電力系統(tǒng)的電壓等級越來越高電磁環(huán)境越來越復(fù)雜,GIS的暫態(tài)過程中內(nèi)部設(shè)備絕緣和二次系統(tǒng)干擾稱合問題越來越突出。一kV創(chuàng)S。針對這問題,本文陳家橋500為例首先運(yùn)用貝瑞隆法等效各元件模型并選擇恰當(dāng)參數(shù),建立EMTP電磁暫態(tài)電路模型計(jì)算節(jié)點(diǎn)上的VFTO;其次,利用理想變壓器模型等效套管部件,建立GIS外部H傳輸線模型計(jì)算殼體上的TEV,;最后分別討論在電容式電壓互感器(CVT)或一二電流互感器(CT)的情況下,次系統(tǒng)暫態(tài)過電壓或暫態(tài)過電流通過次電纜對二次
8、設(shè)備的傳導(dǎo)干擾,觀察幾種抑制傳導(dǎo)干擾措施的效果。分析結(jié)果表明;GIS中的VFTO幅值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過系統(tǒng)電壓,其中殘余電壓、入口電容及合間電阻對VFTO的影響較大;母線殼體的TEV除與內(nèi)部VFTO。TEV,有關(guān)外,主要決定于殼體的接地狀況接地電感越小則的幅值越小通常采用導(dǎo)電率高的接地材料或多點(diǎn)接地的方式減?。裕牛?;二次側(cè)的傳導(dǎo)干擾的抑制措施主要是加強(qiáng)二次電纜的防護(hù)效果。采用多股導(dǎo)線接地和加裝濾波電容的方式都能較好抑制傳導(dǎo)干擾影響。關(guān)鍵詞:氣體絕緣變電站快速暫態(tài)過電壓暫態(tài)殼體電