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《大功率射頻ldmos器件設計優(yōu)化與建?！酚蓵T上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
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2、指導教師鄧小川副教授．，‘．＇＇＂■’‘‘，．■－Ｖ，＼．、－，‘，＇．?！牐牐蓿?？Ｘ■’—，’‘ｆＶＶ＼＇‘術’’Ｖ‘．Ｉ：獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及?。崳姷玫难芯砍晒?。據我所知，除了文中特別加レッ標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學或其它教育機構的學位或證書而使用過的材料一。與我同工作的同志對本研究所做的任何貢
3、獻均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。作者簽名．；甘言論曰期：＞４年月多。曰文使用授權本學位論文作者完全了解電子科技大學有關保留、使用學位論文的規(guī)定，有權保留并向國家有關部口或機構送交論文的復印件和磁盤，允許或論文被查閱和借閱。本人授權電子科技大學可將學位論文的全部部分內容編入有關數(shù)據庫進行檢索，可Ｗ采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位論文。（保密的學位論文在解密后應遭守此規(guī)定）７?。鬃髡吆灻呵稍酰墝熀灻海牐墸崳娤氯掌冢耗辏拊氯缛眨崳姺诸愄柮芗壸?UDC學位論文大功率射頻
4、LDMOS器件設計優(yōu)化與建模(題名和副題名)甘志(作者姓名)指導教師鄧小川副教授電子科技大學成都(姓名、職稱、單位名稱)申請學位級別碩士學科專業(yè)微電子學與固體電子學提交論文日期2016.04論文答辯日期2016.05學位授予單位和日期電子科技大學2016年6月答辯委員會主席評閱人注1：注明《國際十進分類法UDC》的類號。DESIGNOPTIMIZATIONANDMODELINGOFHIGHPOWERRFLDMOSTRANSISTORAThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceand
5、TechnologyofChinaMajor:MicroelectronicsandSolid-StateElectronicsAuthor:GanZhiSupervisor:AssociatePro.DengXiaochuanSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics摘要摘要LDMOS(LateralDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor)器件以其各方面的優(yōu)勢已經基本取代雙極型器件成為射頻領域的主流技術，由于RFLDMOS器
6、件巨大的市場前景和重要的軍用價值，成為了半導體行業(yè)研究的熱點，我國也已展開了對硅基RFLDMOS器件的研發(fā)工作。本設計的目標是獲得一款大功率RFLDMOS器件，該器件采用雙層源極場板和背面源結構，利用半導體仿真軟件優(yōu)化設計器件結構和各區(qū)域雜質注入劑量，使器件具有較好的直流特性和頻率特性，然后根據器件具體結構繪制器件版圖，并在上海華虹宏力半導體制造有限公司完成器件的制造。對小柵寬器件的直流測試結果表明，器件擊穿電壓大于100V，飽和電流密度大于180μA/μm，閾值電壓約為2.2V，對大柵寬封裝器件的測試結果表明，在頻率為1090M
7、Hz、漏源電壓為50V的測試條件下，器件最大輸出功率達到500W，效率達到45%，增益達到18dB，達到了設計指標的要求。本論文還嘗試性地對器件進行了小信號建模，提取了器件小信號等效電路中的寄生參數(shù)和本征參數(shù)，并在ADS中進行了優(yōu)化，基本完成了器件小信號模型的建立。探討了大信號建模的意義和基本思想，介紹了一種大信號建模方法。關鍵詞：LDMOS，大功率，高頻，建模IABSTRACTABSTRACTLateraldoublediffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)transistorhasbasic
8、allyreplacedbipolardevicesandbecomethemainstreamtechnologyintheradiofrequency(RF)fieldbecauseofitsallkindsofadvantages.Dueto
