資源描述:
《畢業(yè)論文--集成電路的單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、湘潭大學(xué)畢業(yè)論文題目:集成電路的單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)學(xué)院:材料與光電物理學(xué)院專業(yè):學(xué)號:姓名:指導(dǎo)教師:完成日期:2012年5月20日V湘潭大學(xué)畢業(yè)論文(設(shè)計)任務(wù)書論文(設(shè)計)題目:集成電路的單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)學(xué)號:姓名:專業(yè):微電子學(xué)指導(dǎo)教師:系主任:一、主要內(nèi)容及基本要求1、了解論文研究的背景和意義;2、理解單粒子多位翻轉(zhuǎn)的形成機理和各種影響因素;3、學(xué)會用SentaurusTCAD建立模型,建立單管模型對引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)的雙極放大效應(yīng)進行模擬分析和建立雙管模型對引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)的雙極放大效應(yīng)和擴散效應(yīng)進行有效機理分析;4、依據(jù)“理論-建模-加固”的原則對
2、集成電路加固電路進行分析和討論?;疽螅?、了解集成電路單粒子多位翻轉(zhuǎn)的機制及各種影響因素;2、會用一些基本軟件例如SentaurusTCAD等來仿真所要研究的問題;3、建立基本的模型仿真單粒子多位翻轉(zhuǎn)的各種特性;4、能根據(jù)仿真結(jié)果,按“機制-建模-加固”的思路,提出有效的加固措施。二、重點研究的問題1、集成電路單粒子多位翻轉(zhuǎn)的機制及各種影響因素;2、如何建立單粒子多位翻轉(zhuǎn)的模型;3、如何用可行的方法來抑制單粒子多位翻轉(zhuǎn)。V三、進度安排序號各階段完成的內(nèi)容完成時間1查看文獻1月20日~3月5日2學(xué)習(xí)TCAD工具仿真3月6日~4月5日3建立模型并仿真4月6日~5月
3、6日4撰寫論文5月7日~5月17日5修改論文并制作ppt5月18日~5月26日6答辯5月26日四、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻[1]P.Roche,G.Gasiot,eta1.ComparisonofsofterrorrateforSRAMsincommercialSOIandbulkbelowthe130nmtechnologynode[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2003,50(6):2046-2454.[2]劉必慰.集成電路的單粒子效應(yīng)建模與加固方法研究[D].博士學(xué)位論文.國防科技大學(xué),2009.[3]J.A.Zoutendyk,H.R.Sc
4、hwartz,etal.Lateralchargetransportfromheavy-iontracksinintegratedcircuits[J].IEEETrans.Nucl.Sci,1988,35(6):1644-1647.[4]O.A.Ausan,A.F.Witulski,eta1.Chargecollectionandchargesharingina130nmCMOStechnology[J]IEEETrans.Nucl.Sci,2006,53(6):3253-3258.[5]賀朝會,李國政等.CMOSSRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的解析分析[J].半導(dǎo)體學(xué)
5、報,2000,21(2):174-178.[6]劉征.納米集成電路單粒子效應(yīng)電荷收集及若干影響因素的研究[D].博士學(xué)位論文.國防科技大學(xué),2011.[7]M.Zhu,L.Y.Xiao,etal.Reliabilityofmemoriesprotectedbymulti-biterrorcorrectioncodesagainstMBUs[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2011,58(1):289-295.[8]A.D.Tipton,X.W.Zhu,etal.Increasedrateofmultiple-bitupsetfromneutronsat
6、largeanglesofincidence[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2008,8(3):565-570.[9]B.W.Liu,S.M.Chen,etal.TemperaturedependencyofchargesharingandMBUsensitivityin130nmCMOStechnology[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2009,56(4):2473-2479.[10]劉衡竹,劉凡宇等.90納米CMOS雙阱工藝下STI深度對電荷共享的影響[J].國防科技大學(xué)學(xué)報,2011,33(2):136-139.[11]陳超,吳
7、龍勝等.130nmNMOS器件的單粒子輻射電荷共享效[J].半導(dǎo)體技術(shù),2010,35(1):46-49.V湘潭大學(xué)畢業(yè)論文(設(shè)計)評閱表學(xué)號姓名專業(yè)畢業(yè)論文(設(shè)計)題目:集成電路的單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)評價項目評價內(nèi)容選題1.是否符合培養(yǎng)目標,體現(xiàn)學(xué)科、專業(yè)特點和教學(xué)計劃的基本要求,達到綜合訓(xùn)練的目的;2.難度、份量是否適當(dāng);3.是否與生產(chǎn)、科研、社會等實際相結(jié)合。能力1.是否有查閱文獻、綜合歸納資料的能力;2.是否有綜合運用知識的能力;3.是否具備研究方案的設(shè)計能力、研究方法和手段的運用能力;4.是否具備一定的外文與計算機應(yīng)用能力;5.工科是否有經(jīng)濟分析能力。論文
8、(設(shè)計)質(zhì)