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《SOI-LDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、摘要摘要射頻(RF)電路的應(yīng)用越來(lái)越多，以橫向雙擴(kuò)散金屬一氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(LDMOs)技術(shù)為基礎(chǔ)的功率晶體管作為RF電路的重要組成部分，在整個(gè)RF電路中起著重要的作用。體硅技術(shù)的LDMOS具有隨著漏電壓變化而且較高的輸出電容，這會(huì)降低功率效率和增益，尤其會(huì)使輸出匹配的設(shè)計(jì)更困難。絕緣體上硅的橫向雙擴(kuò)散金屬一氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(s0I．LDMOs)不僅具有良好的絕緣性能、較小的寄生電容和泄露電流，提高功率增益和耐高溫操作性能，而且工藝與s0I．cM0s工藝兼容，相對(duì)體硅LDMOs工藝更加簡(jiǎn)單。本文采用IsE二維器件仿真軟件對(duì)sOI．LDM0s器件進(jìn)行電學(xué)性能仿真，并與普通LDMOS結(jié)
2、構(gòu)進(jìn)行比較，SOI．LDMOS結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出良好的性能：良好的輸出特性，較小的寄生電容等。針對(duì)SoI．LDMOS射頻應(yīng)用中嚴(yán)重的自熱效應(yīng)和浮體效應(yīng)，采用圖形化sOI．LDMOs結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保留了SOI．LDMos優(yōu)勢(shì)的同時(shí)消除了部分負(fù)面影響。對(duì)圖形化SoI．LDMOS的跨導(dǎo)特性進(jìn)行研究，為提高器件的跨導(dǎo)提供了依據(jù)。并采用多種方法改進(jìn)其電容特性。本文建立了sOI高壓器件的耐壓模型，給出了擊穿判據(jù)，為了使sOI功率器件具有較高的擊穿電壓，介紹了場(chǎng)板結(jié)構(gòu)、降低表面電場(chǎng)(REsuRF)結(jié)構(gòu)等多種耐壓結(jié)構(gòu)。SOI．LDM0s應(yīng)用于RF功率放大器時(shí)，都在某一特定頻率下工作。為了保證電路不會(huì)因?yàn)槠骷刂?/p>
3、而導(dǎo)致整個(gè)電路在高頻狀態(tài)下失效，器件必須具有高截止頻率。本文介紹了一些結(jié)構(gòu)工藝參數(shù)對(duì)截止頻率的影響，給出了結(jié)構(gòu)參數(shù)隨截止頻率變化的參考圖示，為提高器件的頻率特性提供了依據(jù)。關(guān)鍵詞：S0卜LDM0s圖形化s0I跨導(dǎo)電容3AbstractTheradio矗嗍uencycircllitisusedmorcarldmorepoplllarilltllefieldsofmobilecommllIlicationequip】[Ilents，wirelesslocalareanet、vork，aviationelectro-equipments，mdar，microwaVeeminerandsO0I
4、LThepower脅sistorWhichba∞sonmetecllnologyofLDMOSleadsakeye儂斌iIlⅡ圮raIdio丘明uellcycircIlit．mtecllIlologyofLDMOSl粥agreatdealofdefbcts．nh鷦11i91loutpmcapacitance，Ⅵ血ichc孤reduccpowere伍ciency鋤dpowerplus，especially，canmakemedesi印ofou_IputmatchiIlglmrder．Compared、ⅣitllLDMOS，tlleSOI-LDMOShasmanyadV鋤tagesthat
5、completelydielectricis01ation，10wou_Iputc印acitaIlce，hi曲powefplllsandhi曲ternpcramreresis缸mtcllamcteristic．I協(xié)tccllnicswhichise懿iert11鋤LDMOSiscompatible塒mSOICMOS．ByIIsingthesofhvareofISE，wesinlulatetheelcctricsperfb珊a11ceof吐屺SOI-LDMOSa11dcomparet11ereslllts、ⅣithmeU)MOS．Theresultsi11dicatewelloutpll
6、tcharacteIiStics，lowoutputc印acit鋤ce鋤detc．Howev％SOI-LDMoStecIlIlologyh邪tofacetllepmblemofnoatiIlgbodye航cts鋤dself-heatinge丘＆ts．Wbmakea何慚tht11epatt鋤edSOI-LDMOS，whjchh硒adiscontinuityBOX．ThesiIIlulationshowsitcaneliminatesomedisadVantages．ItalsodemoIls眥es也efactorswllichafrecttlle們nscondllctaIlceando丘
7、brsareferencctoiIlcreaseme仃ansconduct鋤ce．Wealsollseagreatdealofmetllodsto曲provetllecapacitancecharacteristics．Abreakdo、vnmodelofSOIhi曲VoltagedeViceisproposediIltllisp印盯．Bysolving2-DPoissonequation，meanalyticaldescriptionoftl
