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《PECVD對膜層的影響分析》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、國立中央大學(xué)物理研究所碩士論文非晶矽繞射光學(xué)元件的製作與分析FabricationandAnalysisofAmorphousSiliconDiffractiveOpticalElements研究生：陳建勳指導(dǎo)教授：紀(jì)國鐘博士中華民國九十四年七月國立中央大學(xué)圖書館碩博士論文電子檔授權(quán)書(93年5月最新修正版)本授權(quán)書所授權(quán)之論文全文電子檔，為本人於國立中央大學(xué)，撰寫之碩/博士學(xué)位論文。(以下請擇一勾選)(ˇ)同意(立即開放)()同意(一年後開放)，原因是：()同意(二年後開放)，原因是：()不同意，
2、原因是：以非專屬、無償授權(quán)國立中央大學(xué)圖書館與國家圖書館，基於推動讀者間「資源共享、互惠合作」之理念，於回饋社會與學(xué)術(shù)研究之目的，得不限地域、時間與次數(shù)，以紙本、微縮、光碟及其它各種方法將上列論文收錄、重製、公開陳列、與發(fā)行，或再授權(quán)他人以各種方法重製與利用，並得將數(shù)位化之上列論文與論文電子檔以上載網(wǎng)路方式，提供讀者基於個人非營利性質(zhì)之線上檢索、閱覽、下載或列印。研究生簽名:陳建勳論文名稱:非晶矽繞射光學(xué)元件的製作與分析指導(dǎo)教授姓名：紀(jì)國鐘系所：物理所§博士X碩士班學(xué)號：92222022日期：民國9
3、4年7月20日備註：1.本授權(quán)書請?zhí)顚憗K親筆簽名後，裝訂於各紙本論文封面後之次頁（全文電子檔內(nèi)之授權(quán)書簽名，可用電腦打字代替）。2.請加印一份單張之授權(quán)書，填寫並親筆簽名後，於辦理離校時交圖書館（以統(tǒng)一代轉(zhuǎn)寄給國家圖書館）。3.讀者基於個人非營利性質(zhì)之線上檢索、閱覽、下載或列印上列論文，應(yīng)依著作權(quán)法相關(guān)規(guī)定辦理。I非晶矽繞射光學(xué)元件的製作與分析研究生：陳建勳指導(dǎo)教授：紀(jì)國鐘國立中央大學(xué)物理研究所摘要本實驗主要目的為以電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PlasmaEnhancedChemicalVaporDe
4、position:PECVD)在石英基板上成長平坦的非晶矽薄膜，並進(jìn)一步以平坦的非晶矽薄膜製作高繞射效率二階相位Fresnellens。在實驗中，改變電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的SiH4氣體流量、腔體工作壓力、RFpower大小，成功沉積出表面粗度小於3nm的非晶矽薄膜。製作非晶矽薄膜二階相位Fresnellens時，我們以G-solver軟體模擬及理論計算，求出當(dāng)以入射光波長633nm，元件所需厚度，以期達(dá)到高繞射效率。再利用微影製程及蝕刻技術(shù)，製作出二階相位Fresnellens，當(dāng)厚度為320n
5、m，有最高繞射效率可達(dá)32%，與模擬值34%相當(dāng)接近。II致謝在這研究所的兩年裡，在這學(xué)到的東西，不只是研究方面，做人處事方面也有許多的成長。然而，在這裡要先感謝許多人，有了你們的幫助，使我在求學(xué)的過程能更加順利。首先我要感謝紀(jì)國鐘老師，他教導(dǎo)我做事的方法與態(tài)度，讓我受用無窮，再來是張正陽、藍(lán)山明老師，對我論文的指正，以及口試時觀念的釐清，還有彭保仁、李建階博士，平常給我許多的建議，謝謝你們。在半導(dǎo)體物理實驗室裡，與學(xué)長及同學(xué)共同努力，也受到大家的照顧。陳景宜，敦俊儒、陳孟炬、高治舟、潘敬仁、張志仰
6、、廖宜銘、李明洪學(xué)長們，感謝你們在實驗方面幫忙，尤其是陳景宜學(xué)長，在我實驗迷失方向的時候，與我討論，給我許多的建議。而金福、平盛、煥哲、吉興、阿胖、天蔚和光電所的同學(xué)，與你們一起，使我研究所兩年多采多姿，謝謝你們。最後感謝我的父母，有你們的支持，讓我在求學(xué)研究的過程，能無後顧之憂。III目錄摘要..……..………………………………………………………………………..Ⅰ致謝………………………………………………………………..………………Ⅱ目錄……………………………………………………………………………….
7、.Ⅲ圖目錄……………………………………………………………………………..Ⅵ表目錄……………………………………………………………………………..Ⅸ第一章簡介…………………………………………………………….1參考資料……………………………………………………….3第二章非晶矽薄膜製作………………...……………………………..42.1非晶矽薄膜........…....................................................................42.2電
8、漿輔助化學(xué)氣相沉積的基本原理………….........................42.2.1電漿輔助化學(xué)氣相沉積基本原理........................................42.2.2電漿輔助化學(xué)氣象沉積的優(yōu)點…………………………….62.3電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)非晶矽薄膜之成長.............72.3.1非晶矽薄膜成長機(jī)制.............................................
