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《部分耗盡結(jié)構(gòu)絕緣體上硅器件低頻噪聲特性》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、物理學(xué)報(bào)ActaPhys.Sin.Vol.64,No.10(2015)108501部分耗盡結(jié)構(gòu)絕緣體上硅器件的低頻噪聲特性王凱1)2)劉遠(yuǎn)2)y陳海波3)鄧婉玲1)恩云飛2)張平1)2)1)(暨南大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,廣州510632)2)(工業(yè)和信息化部電子第五研究所,電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣州510610)3)(中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,無錫214035)(2014年10月9日收到;2014年12月2日收到修改稿)針對(duì)部分耗盡結(jié)構(gòu)絕緣體上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低頻噪聲特性展開實(shí)驗(yàn)與理論研究.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,
2、器件低頻噪聲主要來源于SiO2-Si界面附近缺陷態(tài)對(duì)載流子的俘獲與釋放過程;基于此理論可提取17
