資源描述：
《MOV壓敏電阻器的基本特性》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、MOV壓敏電阻器的基本特性Maintopics:1.Varistorcharacteristicandparameters;(壓敏電阻器的基本特性及參數(shù))2.Microstructureandconductionmechanism(壓敏電阻的顯微結(jié)構(gòu)和傳導(dǎo)機(jī)理)3.Productionflowandprocesscontrol(生產(chǎn)工藝流程及工藝控制)4.Productclassandtype(產(chǎn)品種類及型號(hào)含義)1.壓敏電阻器的基本特性及參數(shù)壓敏電阻器是一類對(duì)電壓敏感的敏感元件，是電壓超過某一值后，其電阻值隨所加電壓顯著變化的電阻器。因此也有
2、人稱之為變阻器(Varistor=variableresistor)或非線性電阻器。壓敏電阻器的基本特性──V/I特性壓敏電阻器的基本參數(shù)Uv──壓敏電壓：流過壓敏電阻器的電流為1mA時(shí)，加在它兩端的電壓降稱為壓敏電壓。Is──漏電流：壓敏電阻器在進(jìn)入擊穿區(qū)之前正常工作時(shí)所流過的電流，稱為漏電流。測量時(shí)，我們是給壓敏電阻器施加一定值的直流電壓（大小約等于最大交流工作電壓），測量流過壓敏電阻器的電流。Us──漏電流電壓：流過壓敏電阻器的電流為Is時(shí)，加在它兩端的電壓降稱為漏電流電壓。Is一般為3mA，對(duì)于低壓產(chǎn)品（最大交流工作電壓<50V）Is為
3、9mA。Uk──鉗制電壓（保護(hù)水平）：流過壓敏電阻器的電流為Ik時(shí)，加在它兩端的電壓降稱為鉗制電壓，鉗制電壓也稱為壓敏電阻器的保護(hù)水平。Ik：與壓敏電阻器的電極面積及電壓等級(jí)有關(guān)，對(duì)于S-VAR，Ik為1~100A。型號(hào)瓷片直徑[mm]最大交流工作電壓[V]最大保護(hù)水平Ik[A]Uk[V]S05K11~K40511~401.036~135S07K11~K40711~402.536~135S10K11~K401011~405.036~135S14K11~K401411~4010.036~135S20K11~K402011~4020.036~135
4、S05K50~K460550~4605.0135~1240S07K50~K460750~46010.0135~1240S10K50~K6801050~68025.0135~1815S14K50~K6801450~68050.0135~1815S20K50~K6802050~680100.0135~1815S14K100014100050.02970S20K1000201000100.02970?壓敏電阻的允許偏差允許偏差：?J：±5%K：±10%L：±15%M：±20%S：特殊偏差最大交流工作電壓-URMS?在最高工作溫度下連續(xù)施加1000小時(shí)
5、的交流電壓，然后在室溫和正常濕度下存放1-2小時(shí)，壓敏電阻器的壓敏電壓的變化絕對(duì)值小于10%所能施加的最大電壓，稱為最大交流工作電壓。最大直流工作電壓-UDC在最高工作溫度下連續(xù)施加1000小時(shí)的直流電壓，然后在室溫和正常濕度下存放1-2小時(shí)，壓敏電阻器的壓敏電壓的變化絕對(duì)值小于10%所能施加的最大電壓，稱為最大直流工作電壓。通流容量/耐浪涌電流能力-Imax壓敏電阻器經(jīng)大脈沖電流沖擊后，其U/I特性會(huì)產(chǎn)生蛻變。蛻變的結(jié)果會(huì)使漏電流增大，Uv下降，這對(duì)許多應(yīng)用來說是不允許的，因此，必須對(duì)經(jīng)高浪涌電流沖擊后，U1mA的下降有所限制。把滿足U1mA
6、下降要求的壓敏電阻器所承受的最大沖擊電流，稱為壓敏電阻器的通流容量，也稱為通流能力或通流量，它是表征壓敏電阻器耐受高浪涌電流沖擊的能力的一個(gè)參量。通流容量與脈沖幅度，脈沖持續(xù)時(shí)間及所承受的脈沖次數(shù)有關(guān)，如下圖所示最大浪涌電流Imax是用8/20ms的脈沖沖擊后壓敏電壓變化的絕對(duì)值小于10%且樣品無機(jī)械破損所能通過的最大電流。最大能量吸收能力-Wmax?施加能量為某一定值的規(guī)定波形（持續(xù)時(shí)間相對(duì)較長）的沖擊電流，沖擊后壓敏電壓變化的絕對(duì)值小于10%且樣品無機(jī)械破損所能通過的最大能量稱為壓敏電阻器的最大能量吸收能力。最大能量吸收能力wmax是用2m
7、s的波形沖擊后壓敏電壓變化的絕對(duì)值小于10%且樣品無機(jī)械破損所能吸收的最大能量。2.??壓敏電阻的顯微結(jié)構(gòu)和傳導(dǎo)機(jī)理ZnO壓敏電阻是由ZnO與金屬氧化物添加劑經(jīng)過充分混合、研磨、成型后，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而形成的一種多晶氧化物半導(dǎo)體陶瓷元件。?從微觀結(jié)構(gòu)上看，這種多晶半導(dǎo)體陶瓷主要由晶粒和晶界兩部分組成。?晶粒：主要成分?ZnO；電阻率較低：0.1~10W.cm。?晶界：添加劑的富集區(qū)；電阻率很高：>106W.cm。每個(gè)晶粒交界處(晶界)可以看成是一個(gè)微壓敏電阻，其保護(hù)水平約為3.5V，壓敏電阻器的電學(xué)性能可以看成是由這樣無數(shù)個(gè)微壓敏電阻相互串并聯(lián)而成
8、。因此，壓敏電阻器的電學(xué)性能與幾何尺寸有密切的聯(lián)系，對(duì)于相同的材料體系，其電學(xué)參數(shù)與幾何尺寸有如下關(guān)系：l陶瓷體的厚度增加一倍，其保護(hù)水平將隨之增加一
