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《2009半導體物理試卷-A卷答案》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……電子科技大學二零九至二零一零學年第一學期期末考試半導體物理課程考試題A卷（120分鐘）考試形式：閉卷考試日期2010年元月18日課程成績構成：平時10分，期中5分，實驗15分，期末70分一二三四五六七八九十合計復核人簽名得分簽名得分一、選擇題（共25分，共25題，每題1分）1、本征半導體是指（A）的半導體。A.不含雜質和缺陷B.電阻率最高C.電子密度和空穴密度相等D.電子密度與本征載流子
2、密度相等2、如果一半導體的導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，那么該半導體必定（D）。A.不含施主雜質B.不含受主雜質第1頁共19頁學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……C.不含任何雜質D.處于絕對零度3、對于只含一種雜質的非簡并n型半導體，費米能級EF隨溫度上升而（D）。A.單調上升B.單調下降C.經過一個極小值趨近EiD.經過一個極大值趨近Ei4、如某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升，該材料為（C）。A.金屬B.本征半導體C.摻
3、雜半導體D.高純化合物半導體*5、公式m=qt/m中的t是半導體載流子的（C）。A.遷移時間B.壽命C.平均自由時間D.擴散時間6、下面情況下的材料中，室溫時功函數(shù)最大的是（A）第2頁共19頁學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……15-316-3A.含硼1×10cm的硅B.含磷1×10cm的硅15-316-3C.含硼1×10cm，磷1×10cm的硅D.純凈的硅14-37、室溫下，如在半導體Si中，同時摻有1×10cm的硼15
4、-3和1.1×10cm的磷，則電子濃度約為（B），空穴濃度為（D），費米能級為（G）。將該半導體由室溫度升至570K，則多子濃度約為（F），少子濃度為（F），10-3費米能級為（I）。（已知：室溫下，ni≈1.5×10cm；570K時，17-3ni≈2×10cm）14-315-315-3A、1×10cmB、1×10cmC、1.1×10cm5-315-317-3D、2.25×10cmE、1.2×10cmF、2×10cmG、高于EiH、低于EiI、等于Ei8、最有效的復合中心能級位置在（D）附近；最
5、有利陷阱作用的能級位置在（C）附近，常見的是E）陷阱。第3頁共19頁學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……A、EAB、EDC、EFD、EiE、少子F、多子9、MIS結構的表面發(fā)生強反型時，其表面的導電類型與體材料的（B），若增加摻雜濃度，其開啟電壓將（C）。A、相同B、不同C、增加D、減少10、對大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（D）。A、平衡載流子濃度成正比B、非平衡載流子濃度成正比C、平衡載流子濃度成反
6、比D、非平衡載流子濃度成反比11、可以由霍爾系數(shù)的值判斷半導體材料的特性，如一種半導體材料的霍爾系數(shù)為負值，該材料通常是（A）第4頁共19頁學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……A、n型B、p型C、本征型D、高度補償型12、如在半導體中以長聲學波為主要散射機構是，m電子的遷移率n與溫度的（B）。3A、平方成正比B、次方成反比23C、平方成反比D、次方成正比213、為減少固定電荷密度和快界面態(tài)的影響，在制備MOS器件時通常選擇
7、硅單晶的方向為（A）。A、【100】B、【111】C、【110】D、【111】或【110】14、簡并半導體是指（A）的半導體。A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0C、能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度D、導帶底和價帶頂能容納多個狀態(tài)相同的電子第5頁共19頁學院姓名學號任課老師選課號/座位號………密………封………線………以………內………答………題………無………效……15、在硅基MOS器件中，硅襯底和SiO2界面處的固定電荷是（B），它的存在使得半導體表面的能帶
8、（C），在C-V曲線上造成平帶電壓（F）偏移。A、鈉離子B、過剩的硅離子C、向下D、向上E、向正向電壓方向；F、向負向電壓方向得分二、填空題（共15分，共15空，每空1分）1、硅的導帶極小值位于布里淵區(qū)的＜100＞方向上，根據(jù)晶體的對稱性共有6個等價能谷。2、n型硅摻砷后，費米能級向Ec(上)移動，如升高材料的工作溫度，則費米能級向Ei(下)移動。3、對于導帶為多能谷的半導體，如GaAs，當能量適當高的子能谷的曲率較小時，有可能觀察導負微分電導現(xiàn)象，這是因為這種子能谷中的電子的有效質量較大。4、
