HAL581單極高靈敏度霍爾開關(guān) 高溫型霍爾傳感器

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1、,HAL581高靈敏度單極霍爾開關(guān)電路1.概述HAL581是一款基于混合信號(hào)CMOS技術(shù)的單極鎖存型霍爾效應(yīng)傳感器，器件內(nèi)部集成了電壓調(diào)節(jié)器、帶動(dòng)態(tài)偏置補(bǔ)償系統(tǒng)的霍爾傳感器、施密特觸發(fā)器和一個(gè)開漏極輸出驅(qū)動(dòng)，這些都在一個(gè)封裝里。這款I(lǐng)C采用了先進(jìn)的斬波穩(wěn)定技術(shù)，因而能夠提供準(zhǔn)確而穩(wěn)定的磁開關(guān)點(diǎn)。除了以下“應(yīng)用”中列出的應(yīng)用外，這款傳感器還有很多其他應(yīng)用。因?yàn)镠AL581的寬工作電壓以及寬泛的溫度選擇范圍，使得它非常適合用于汽車、工業(yè)以及消費(fèi)行業(yè)中。這款I(lǐng)C有貼片型的SOT封裝和可以直接插入的單排直插TO-92扁平型封裝，這兩款3個(gè)引腳的封裝都符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。2.特點(diǎn)3.

2、應(yīng)用?寬工作電壓范圍：3.5V~24V?汽車、消費(fèi)、工業(yè)?高磁靈敏度?固態(tài)開關(guān)?CMOS工藝?斷流器?穩(wěn)定的斬波放大?速度檢測?優(yōu)越的溫度穩(wěn)定性?線性位置檢測?極低的開關(guān)點(diǎn)漂移?角位置檢測?對(duì)物理應(yīng)力不敏感?接近探測?低電流消耗?開漏極輸出?貼片型SOT23-3L及扁平型TO-923L封裝，都符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)4.功能框圖VDDVoltageOUTRegulatorChopperUA封裝SO封裝Pin1–VDDPin1–VDDHallPin2–GNDPin2–OUTPlatePin3–OUTPin3–GNDGND高靈Rev3.0.4.1310211/6,HAL5815.專業(yè)

3、術(shù)語術(shù)語描述MilliTesla(mT)高斯，磁感應(yīng)強(qiáng)度單位1mT=10高斯RoHS危險(xiǎn)物質(zhì)限制SOT小輪廓晶體管（SOT封裝）—也可以用封裝號(hào)“SO”引用ESD防靜電BLDC無刷直流OperatingPoint(BOP)使輸出導(dǎo)通的作用于封裝標(biāo)記面的磁感應(yīng)強(qiáng)度（VOUT=VDSon）ReleasePoint(BRP)使輸出截止的作用于封裝標(biāo)記面的磁感應(yīng)強(qiáng)度（VOUT=high）6.管腳定義和描述SO引腳編號(hào)UA引腳編號(hào)名稱類型功能11VDD電源電源電壓引腳23OUT輸出開漏極輸出引腳32GND地接地引腳HAL581xxxxx581ym7.獨(dú)特特性基于混合信號(hào)CMOS工藝

4、HAL581是一款高磁靈敏度的霍爾效應(yīng)器件，這種多用途鎖存器符合大多數(shù)應(yīng)用需求。斬波穩(wěn)定放大器使用開關(guān)電容技術(shù)以消除霍爾傳感器和放大器的偏置電壓。CMOS工藝使比Bipolar工藝得到更小的芯片尺寸以及更低的功耗這種先進(jìn)的技術(shù)成為可能。更小的芯片尺寸也是減少物理應(yīng)力影響的一個(gè)重要因素。這些結(jié)合能得到更穩(wěn)定的磁特性以及使得設(shè)計(jì)更快更精確。寬電壓范圍從3.5V~24V，低功耗以及L，E級(jí)的寬工作溫度范圍使得該器件適合于汽車、工業(yè)以及消費(fèi)行業(yè)。4.1310212/6,HAL5818.極限參數(shù)參數(shù)符號(hào)參數(shù)值單位電源電壓VDD28V電源電流IDD50mA輸出電壓VOUT28V輸出電

5、流IOUT50mA儲(chǔ)存溫度范圍TS-50~150℃最大結(jié)溫TJ165℃操作溫度范圍符號(hào)參數(shù)值單位工作溫度TA-40~150℃注意：超過以上極限參數(shù)，可能會(huì)造成永久性傷害。長時(shí)間處于極限條件下可能影響器件的可靠性。為保障器件正常工作，應(yīng)滿足以下電學(xué)特性一節(jié)中規(guī)定的工作條件。9.電學(xué)特性直流工作參數(shù)：TA=25℃，VDD=3.5V~24V（除非另有說明）參數(shù)符號(hào)測試條件最小值典型值最大值單位電源電壓VDDOperating3.524V電源電流IDDBBOP0.5V輸出漏電流IOFFB

6、A輸出上升時(shí)間TRRL=1K?,CL=20pF0.25μs輸出下降時(shí)間TFRL=1K?,CL=20pF0.25μs最大轉(zhuǎn)換頻率FSW10KHz封裝熱阻RTHSinglelayer(1S)JEDECboard301℃/W注意：HAL581的輸出在電源電壓超過2.2V時(shí)改變，但是磁特性只有在電源電壓超過3.5V時(shí)才正常。10.磁場特性直流工作參數(shù)：VDD=3.5V~24V（除非另有說明）參數(shù)符號(hào)（測試條件）最小值典型值最大值單位工作點(diǎn)BOP(TA=25℃,VDD=12VDC)5.07.010.0mT釋放點(diǎn)BRP(TA=25℃,VDD=12VDC)2.04.58.5mT磁滯BH

7、YS(TA=25℃,VDD=12VDC)2.02.54.0mTRev3.0.4.1310213/6,HAL581直流工作參數(shù)：TA=-40℃~150℃，VDD=3.5V~24V（除非另有說明）參數(shù)測試條件輸出S極(UA)B>BOP低N極(SO)B>BOP低沒有或磁場較弱B=0orB