資源描述：
《SOI+MOSFET單粒子效應(yīng)電荷收集機(jī)制研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、代號10701學(xué)號1105122170分類號TN4密級公開題（中、英文）目SOIMOSFET單粒子效應(yīng)電荷收集機(jī)制研究ResearchonmechanismofchargecollectioninsingleeventeffectsforSOIMOSFET作者姓名代崇光指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)梁燕萍、杜磊教授學(xué)科門類工學(xué)學(xué)科、專業(yè)材料物理與化學(xué)提交論文日期二〇一四年一月萬方數(shù)據(jù)萬方數(shù)據(jù)西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性（或創(chuàng)新性）聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研
2、究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請學(xué)位論文與資料若有不實之處，本人承擔(dān)一切的法律責(zé)任。本人簽名：日期:西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)
3、。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。同時本人保證，畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再撰寫的文章一律署名單位為西安電子科技大學(xué)。（保密的論文在解密后遵守此規(guī)定）本學(xué)位論文屬于保密，在年解密后適用本授權(quán)書。本人簽名：日期:導(dǎo)師簽名：日期:萬方數(shù)據(jù)萬方數(shù)據(jù)摘要摘要隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，越來越多的半導(dǎo)體器件應(yīng)用于航天技術(shù)，其單粒子效應(yīng)已經(jīng)成為一個影響微電子器件可靠性的重要因素。作為一種器件輻射加固的方法，絕緣襯底上硅（SO
4、I）工藝有許多優(yōu)點(diǎn)，例如較低的功耗、較快的速度、無閂鎖、較強(qiáng)的抗單粒子翻轉(zhuǎn)和瞬時輻射能力等。但是，由于SOIMOS器件的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，可能產(chǎn)生多種寄生效應(yīng)。研究表明，SOI結(jié)構(gòu)中寄生雙極晶體管效應(yīng)嚴(yán)重影響器件對單粒子效應(yīng)的敏感性，已經(jīng)不可忽視。因此，研究單粒子效應(yīng)下SOIMOSFET的電荷收集機(jī)制，使得先進(jìn)半導(dǎo)體器件單粒子效應(yīng)模型更加完善，并建立正確的在軌預(yù)計方法。首先，本文在分析SOIMOSFET結(jié)構(gòu)和特性的基礎(chǔ)上，比較體硅MOSFET和SOIMOSFET的單粒子效應(yīng)。其次，結(jié)合前人的研究成果，通過理論分析和
5、數(shù)值模擬，深入研究SOIMOSFET電荷收集機(jī)理，建立了適合SOIMOSFET的包含雙極效應(yīng)的動態(tài)單粒子效應(yīng)電荷收集模型。最后，通過與相同器件的TCAD模擬數(shù)據(jù)對比，驗證了模型的正確性，并對影響因素進(jìn)行分析。關(guān)鍵詞：SOI單粒子效應(yīng)電荷收集寄生雙極效應(yīng)萬方數(shù)據(jù)SOIMOSFET單粒子效應(yīng)電荷收集機(jī)制研究萬方數(shù)據(jù)ABSTRACTABSTRACTWiththedevelopmentofsemiconductortechnology,moreandmoreadvancedsemiconductordevicesa
6、reusedinspace,andsingleeventeffectsarebecomingasignificantreliabilityconcernformicroelectronicdevices.Asakindofradiation-hardenedmethod,Silicon-on-insulator(SOI)hastheadvantagesoflowpowerconsumption,highspeed,nolatch-up,lowsensitivitytosingleeventeffects(S
7、EE)andtransientradiation.However,becauseoftheuniquestructureofSOIMOSFET,thereareavarietyofparasiticeffects,suchasparasiticbipolartransistoreffect,whichseriouslyaffectsthesensitivityofdevicestoSEE.Therefore,thestudyofchargecollectionmechanismofSOIMOSFETinSE
8、Ewouldimprovethemodelandestablishanaccurateon-orbitcalculationsalgorithmofsingleeventupsetforadvancedsemiconductordevices.Firstofall,basedonthesummaryofthestructureandcharacteristicsofSOIMOSFET,singleeventeff
