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《ITO表面處理對OLED性能的影響》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內(nèi)容在學術論文-天天文庫。
1、《半導體光電》2002年第23卷第3期劉陳等:ITO表面處理對OLED性能的影響材料、結構及工藝ITO表面處理對OLED性能的影響劉陳,徐重陽,鐘志有,尹盛,王長安(華中科技大學電子科學與技術系,湖北武漢430074)摘要:根據(jù)實驗,分析了表面處理對OLED性能的影響。對OLED的ITO陽極進行表面處理將改變ITO膜的表面化學組成及表面形態(tài),這將直接影響ITO膜表面的功函數(shù),從而影響ITO向有機層的空穴注入;同時還將間接影響有機層的成膜過程及其分子組織形態(tài)及ITO膜表面有機層之間的結合。關鍵詞:ITO;表面處理;OLED中圖分
2、類號:TN38311文獻標識碼:A文章編號:1001-5868(2002)03-0205-05InfluenceofITOSurfaceTreatmentonOLEDPerformanceLIUChen,XUChong2yang,ZHONGZhi2you,YINSheng,WANGChang2an(Dept.ofElectronicScienceandTechnol.,HuazhongUniversityofScienceandTechnol.,Wuhan430074,CHN)Abstract:Accordingtotheex
3、periments,theinfluenceofITOsurfacetreatmentonOLEDperformanceisanalyzed.SurfacetreatmentofITO,anodeofOLEDwillchangeitssurfacechemicalcompositionandsurfacemorphologywhichwilldirectlyinfluenceitssurfaceworkfunction,andinturnaffectitsabilityofholeinjection.Meanwhile,tho
4、sechangeswillindirectlyinfluencethegrowingprocessoftheorganicfilmsandtheorganicmolecularconfiguration,aswellasthecohesionofITOfilmsurfaceandtheorganicfilms.Keywords:ITO;surfacetreatment;OLED1引言電極廣泛應用于有機電致發(fā)光器件(OLED)。但ITO屬于非化學計量學化合物,淀積條件、由于ITO(銦錫氧化物)具有優(yōu)良的透光性和導清洗方法、后處理
5、工藝等因素都將影響ITO薄膜特電能力,在光電器件中得到了廣泛的應用。ITO的性,特別是薄膜表面的化學組成,它將影響ITO的導帶主要由In和Sn的5s軌道組成,價帶是氧的2p表面功函數(shù)。另外,上述因素還會影響ITO薄膜的軌道占主導地位,氧空位及Sn取代摻雜原子構成施表面形態(tài),這將影響ITO薄膜和有機層的接觸,進主能級并影響導帶中的載流子濃度。ITO由于淀積而影響OLED的性能。過程中在薄膜中產(chǎn)生氧空位和Sn摻雜取代而形成ITO玻璃目前已經(jīng)商用化,可直接在其上制作高度簡并的n型半導體,費米能級EF位于導帶底OLED,但為了改善OL
6、ED的性能,需對ITO膜表面20Ec之上,因而具有很高的載流子濃度(1×10～1×進行處理,使之適應有機物薄膜。雖然表面處理不213～4～4[1]10cm)及低電阻率(2×10～4×10Ω·f)。能改變ITO膜內(nèi)部的電學、光學性能,但對ITO膜此外,ITO的帶隙較寬(Eg=3.5～4.3eV),因而表面的電學性能和表面形態(tài)卻能得到改進,從而提ITO薄膜對可見光和近紅外光具有很高的透過率。高OLED的性能。對OLED而言,常用的表面處理由于具有以上獨特的性質,ITO已被作為透明方法有:化學方法(酸或堿處理)和物理方法(氧等離子體
7、處理、惰性氣體濺射、氧輝光放電及臭氧環(huán)境紫收稿日期:2001-11-16.外線處理等)。·205·SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSVol.23No.3June,2002下面將著重從電學及表面性質兩方面討論ITOITO制作的OLED相比,發(fā)光性能(效率和亮度)并[1]表面處理的作用及其對OLED性能的影響。不是最優(yōu)。T1Osada等人采用H2O2對來自三個不同廠家的ITO玻璃進行處理,處理后三種ITO的2表面處理對ITO表面性能的影響功函數(shù)大致相同(B≈C≈A),表面粗糙度有相當?shù)牟顒e(B>C>A),但制
8、得的三種OLED的開啟電壓2.1表面處理對ITO表面形態(tài)的影響Von卻不相同(B
