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《電子行業(yè)：內存接口芯片行業(yè)科創(chuàng)板公司，瀾起科技》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分目錄內存接口芯片是CPU存取內存數據的必由通路4內存接口芯片市場規(guī)模有望穩(wěn)步增長，競爭格局穩(wěn)定7投資建議12風險提示12第18頁共18頁有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分圖表目錄圖1：內存接口芯片是CPU存取內存數據的必由通路4圖2：內存接口芯片封裝在內存條中，用于數據中心等領域4圖3：DDR2時代1個內存模組中使用1個AMB芯片4圖4：DDR3時代1個內存模組使用1個緩沖器芯片（RCD/MB）5圖5：DDR4時代一個內存模組使用9個DB+1個RCD6圖6：美光將于2019年開始量產DDR5D
2、RAM6圖7：DDR5時代一個內存模組使用10個DB+1個RCD6圖12：從DDR2-DDR5，單個內存模組使用的內存接口芯片數量不斷增加7圖13：從DDR3-DDR5，內存模組容量和價值量不斷增加7圖14：全球內存接口芯片市場規(guī)模（億美元）8圖15：18-20年中國X86服務器出貨量將持續(xù)增長（臺）8圖8：Intel在全球服務器CPU的市占率高達95%9圖9：全球DRAM市場被前三家壟斷9圖10：內存接口芯片市場集中度高9圖11：瀾起科技采用fabless模式9圖16：瀾起發(fā)展歷程10圖17：瀾起科技內存接口產品覆蓋DDR2-DDR511圖18：瀾起科技營收構成情況1
3、1第18頁共18頁有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分內存接口芯片是CPU存取內存數據的必由通路內存接口芯片是內存模組（又稱內存條）的核心器件，是CPU存取內存數據的必由通路，作用主要是提升內存數據訪問的速度和穩(wěn)定性，以匹配CPU日益提高的運行速度和性能。內存接口芯片按功能可分為寄存緩沖器（RCD）、數據緩沖器（DB）和內存緩沖器（MB）三類。其中，RCD用于存儲緩沖來自內存控制器的地址/命令/控制信號，作用是進行數據傳輸的控制和分配，DB用于存儲來自內存控制器或內存的數據信號，MB同時具備RCD和DB功能，可由單顆芯片（高級內存緩沖器AMB或MB）
4、實現，也可由RCD和DB套片實現。搭載不同數量RCD、DB和MB構成了不同內存接口協議（DDR）標準下的DRAM模組。圖1：內存接口芯片是CPU存取內存數據的必由通路圖2：內存接口芯片封裝在內存條中，用于數據中心等領域數據來源：電子技術設計、數據來源：互聯網、根據JEDEC（固態(tài)技術協會）標準，內存接口芯片依次走過了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5時代，性能逐漸提高。DDR2即第2代雙倍速率SDRAM內存標準，早在1998年開始研究，在2003年通過LEDEC規(guī)格標準化，2006年開始普及。DDR2在時鐘上升或下降沿同時進行數據傳輸，支持4位數據內存預讀取能力。在
5、DDR2時代，AMB（高級內存緩沖器）是FBDIMM（全緩沖雙直插內存模組）架構的關鍵芯片。FBDIMM的意義在于通過高速、串行和點對點接口與內存控制器和其他FBDIMM通信，有效解決了傳統并行內存架構存在的速度與容量難以兼顧的問題，帶來服務器和高性能計算機性能的飛躍，但AMB功耗高的問題。DDR2時代1個內存模組中使用1個AMB芯片。第18頁共18頁圖3：DDR2時代1個內存模組中使用1個AMB芯片第18頁共18頁數據來源：瀾起科技官網、DDR3即第3代雙倍速率SDRAM內存標準，于2002年開始開發(fā)，2009年底三星正式推出當時全球單顆密度最大的DDR3芯片，標志著
6、行業(yè)進入DDR3時代。與DDR2相比，DDR3支持8位數據內存預讀取能力，即內存預讀取能力提高了兩倍，且使用電壓更低，更為節(jié)能。DDR3時代1個內存模組使用1個緩沖器芯片（RCD/MB）。圖4：DDR3時代1個內存模組使用1個緩沖器芯片（RCD/MB）第18頁共18頁數據來源：瀾起科技官網、有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分DDR4即第4代雙倍速率SDRAM內存標準，于2014年年底2015年年初推出。與DDR3和DDR2相比，DDR4的傳輸速率和數據可靠性進一步提升，可實現8n-bit內存預讀取，最高可實現32位，且采用1.2V工作電壓，更為節(jié)能
7、。DDR4時代一個內存模組使用9個DB+1個RCD。第18頁共18頁有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分圖5：DDR4時代一個內存模組使用9個DB+1個RCD數據來源：瀾起科技官網、DDR5即第五代雙倍速率SDRAM內存標準，美光預計將于2019年推出。與DDR4相比，DDR5工作電壓更低（1.1V），且傳輸有效性和可靠性再次得以提升，可輕松實現4800MT/s的高運行速率，是DDR4最高速率的1.5倍。DDR5將滿足高端云計算和高速存儲的需求。DDR5時代一個內存模組使用10個DB+1個RCD。圖6：美光將于2019
