雷達(dá)對(duì)抗_等離子體隱身技術(shù)

雷達(dá)對(duì)抗_等離子體隱身技術(shù)

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1、雷達(dá)對(duì)抗等離子體隱身技術(shù)林惠祖雷達(dá)是現(xiàn)代軍事探測(cè)的主要設(shè)備,它能迅速、準(zhǔn)一、等離子體確地確定遠(yuǎn)距離目標(biāo)并指引火力攻擊,在軍事領(lǐng)域等離子體是由大量起著極其重要的作用,所以研究雷達(dá)對(duì)抗、發(fā)展隱身帶電粒子組成的非束縛技術(shù)是十分重要的。隱身技術(shù)是提高武器系統(tǒng)生態(tài)宏觀體系,它由自由電存、突防和縱深打擊能力的有效手段。在海灣戰(zhàn)爭(zhēng)子、自由離子和中性粒子中,F117A隱身戰(zhàn)斗機(jī)執(zhí)行空襲任務(wù)約1270架次,混合而成,是除固體、液體、氣體之外的第四種物質(zhì)摧毀巴格達(dá)95%的目標(biāo),而自身卻無(wú)一傷亡,展示

2、形態(tài)。一般地,不帶電的普通氣體在受外界高能作了隱身技術(shù)的巨大優(yōu)越性。等離子體隱身技術(shù)作為用后,部分原子中的電子吸收的能量超過(guò)原子電離新的隱身技術(shù),以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)備受世界各國(guó)青睞,能后,會(huì)脫離原子核而成為自由電子,同時(shí)原子因失許多國(guó)家投入大量人力、物力和財(cái)力研究等離子體去電子而成為正離子,就可形成等離子體。等離子隱身技術(shù)和等離子體隱身武器系統(tǒng),等離子體隱身體具有足夠高的電離度并表現(xiàn)出明顯的集體行為,技術(shù)已成為集陸、海、空、天多維一體的立體化現(xiàn)代對(duì)電磁波的傳播有很大影響。戰(zhàn)爭(zhēng)中最重要、最有效的突防技戰(zhàn)術(shù)手段。據(jù)稱(chēng),武二、

3、等離子體隱身原理器設(shè)備采用等離子體隱身技術(shù)后被發(fā)現(xiàn)的概率不到人們從航天器返回大氣層時(shí)在黑障區(qū)發(fā)生的通原來(lái)的1%,可實(shí)現(xiàn)全隱身!,因而等離子體隱身技訊中斷現(xiàn)象中,認(rèn)識(shí)到等離子體對(duì)電磁波的屏蔽作術(shù)已成為隱身技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。用,產(chǎn)生等離子體用于隱身技術(shù)的設(shè)想,并進(jìn)行了大隱身技術(shù)是指通過(guò)各種措施對(duì)雷達(dá)目標(biāo)的特征量試驗(yàn)研究,取得了一定成果。等離子體隱身技術(shù)信號(hào)進(jìn)行控制,使其難于被發(fā)現(xiàn)、識(shí)別、跟蹤和打擊是利用磁化或非磁化冷等離子體規(guī)避雷達(dá)探測(cè)的一的技術(shù),包括有源隱身和無(wú)源隱身兩類(lèi)。隱身技術(shù)種新技術(shù)。在入射電磁波頻率小于等離子

4、體頻率的的核心是降低雷達(dá)散射截面(RCS),從而減小目標(biāo)條件下,等離子體能夠反射雷達(dá)波。當(dāng)存在磁場(chǎng)時(shí),被雷達(dá)發(fā)現(xiàn)的概率,達(dá)到隱身目的。目前已經(jīng)應(yīng)用等離子體中沿磁場(chǎng)方向傳播的電磁波極化方向與發(fā)的隱身技術(shù)主要集中在外形隱身、材料隱身等方面,射時(shí)不一致,造成極化失真,即使場(chǎng)強(qiáng)極小,也能造下面先簡(jiǎn)要介紹一下這兩種隱身技術(shù)。成較大的極化失真,這種極化失真是不容忽視的。外形隱身技術(shù)外形隱身技術(shù)的實(shí)質(zhì)是將目標(biāo)等離子體的這些性質(zhì),可用于對(duì)雷達(dá)進(jìn)行無(wú)源的強(qiáng)反射結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為弱反射結(jié)構(gòu),即通過(guò)改變目標(biāo)干擾(有源干擾是指向雷達(dá)主動(dòng)發(fā)射干擾信

5、號(hào)干擾的表面形狀,在一定角度范圍內(nèi)顯著減少其RCS,雷達(dá)探測(cè);無(wú)源干擾是指通過(guò)某些方法改變雷達(dá)波但某個(gè)角度RCS的減少必然伴隨著另外某些角度的傳播方向和反射雷達(dá)波強(qiáng)弱的干擾,但不主動(dòng)發(fā)RCS的增加,所以外形隱身技術(shù)存在一定的威脅區(qū)射干擾信號(hào))。在入射電磁波頻率大于等離子體頻域(即在該區(qū)域內(nèi)目標(biāo)容易被發(fā)現(xiàn))。率的條件下,等離子體又能吸收電磁波并改變電磁材料隱身技術(shù)以雷達(dá)吸波材料有效地吸收入波的傳播方向,理論推導(dǎo)可得電磁波在等離子體中射雷達(dá)波,使目標(biāo)總的回波強(qiáng)度顯著降低,能在所有2傳播距離為L(zhǎng)時(shí)衰減的分貝數(shù)N=18ne

6、L/(1+方向同時(shí)減小RCS,達(dá)到隱身目的。但該技術(shù)對(duì)吸212-3)。若電子密度ne=10cm,電子碰撞頻率=波材料的要求極高。雷達(dá)吸波材料包括涂覆型吸波11-1材料和結(jié)構(gòu)型吸波材料兩種,其中涂覆型吸波材料10s,雷達(dá)波長(zhǎng)=3cm(雷達(dá)波頻率1=的應(yīng)用研究一直是隱身材料重要的研究方向。10GHz);在此等離子體中傳播L=1m的電磁波,將美國(guó)F117A、B2、F22A等隱形飛機(jī)反映了外衰減178dB(分貝)(N=10lg(E末/E初),E末為末能形隱身和吸波材料研究的巨大成就。此外,有源隱量、E初為初

7、能量、N為衰減分貝數(shù),單位為dB),即178身技術(shù)、無(wú)源對(duì)消技術(shù)在隱身方面也有重要應(yīng)用。能量只剩原來(lái)的1/10。可見(jiàn),等離子體通過(guò)吸?26?現(xiàn)代物理知識(shí)收雷達(dá)波使目標(biāo)隱身,具有可靠的理論依據(jù)。此外,對(duì)雷達(dá)進(jìn)行電子干擾,同時(shí)通過(guò)電子與離子的碰撞等離子體還能造成射頻信號(hào)譜的離散和假調(diào)制,從吸收入射到等離子體內(nèi)部的電磁波的大部分能量。而干擾雷達(dá)探測(cè)。等離子體隱身技術(shù)的基本原理就為減小RCS、提高隱身效果,自由電子密度分布應(yīng)是利用等離子體層吸收和折射雷達(dá)波的特性,盡可盡可能地使等離子體能在很寬的頻帶范圍內(nèi)較強(qiáng)地能降低反射回

8、雷達(dá)接收機(jī)的能量,使敵方的探測(cè)系吸收入射波,同時(shí)盡量減小對(duì)入射電磁波的反射,使統(tǒng)難于偵察和發(fā)現(xiàn),從而達(dá)到隱身目的。美國(guó)休斯等離子體對(duì)電磁波的反射系數(shù)降至最小,因此理想(Huges)實(shí)驗(yàn)室的實(shí)驗(yàn)表明,采用等離子體隱身技術(shù)的隱身等離子體的自由電子密度應(yīng)滿(mǎn)足以下條件:可使充滿(mǎn)等離子體的陶瓷內(nèi)微波反射器波長(zhǎng)為等離子體自由電子密度應(yīng)是不均勻的,即形成梯度

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