直接帶隙與間接帶隙躍遷

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1、第二節(jié)直接帶隙與間接帶隙躍遷一.豎直躍遷與非豎直躍遷豎直躍遷:電子躍遷的初態(tài)、終態(tài)對應(yīng)著布里淵的同一波矢K。GaAs,Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。非豎直躍遷:電子躍遷的初態(tài)、態(tài)終不對應(yīng)著布里淵區(qū)的同一波矢K。Ge、Si中。二.躍遷的K選擇定則以上兩種躍遷均滿足:①能量守恒②動量守恒三.直接帶隙躍遷光子的波數(shù)很小直接帶隙躍遷(豎直躍遷)參與者:光子、電子、空穴躍遷幾率大,屬一級微擾過程。四.間接帶隙躍遷電子躍遷初、終態(tài)的值不相等,有聲子參與()有聲子參加才滿足動量守恒的躍遷稱為間接帶隙躍遷。有四種量子參與的躍遷二.躍遷幾率首先確

2、定包括微擾在內(nèi)的描述能量的哈密頓量和該系統(tǒng)的波函數(shù),再求解薛定諤方程.三.電子在淺雜質(zhì)能級和與其相對的能帶之間躍遷束縛電子波函數(shù):四.重?fù)诫s下帶-帶躍遷當(dāng)摻雜濃度↑→外層電子的波函數(shù)交疊形成雜質(zhì)能帶→進(jìn)入本征拋物線能帶→帶尾→帶隙變窄→光譜變寬躍遷矩陣元

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