《薄膜電容講解》PPT課件

《《薄膜電容講解》PPT課件》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、薄膜電容器講解:liangda部門:時(shí)間:2011-10-13目錄電容器的基礎(chǔ)知識(shí)薄膜電容器的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)薄膜電容器的命名方法薄膜電容器的應(yīng)用薄膜電容器品牌簡介薄膜電容器認(rèn)定書介紹電容器基礎(chǔ)知識(shí)電容器的特性：1.對(duì)直流信號(hào)和交流信號(hào)的自動(dòng)識(shí)別能力（通交流，隔直流）2.對(duì)不同頻率的交流信號(hào)做出容抗大小不同的反應(yīng)(Xc=1/2πfc）電容器表示方法:電容量的常用單位pF,nF,uF1uF=103nF=106pF薄膜電容器重要參數(shù)1.容量2.損耗角正切3.耐壓4.額定電壓薄膜電容器指以（電工級(jí)）塑料薄膜為電介質(zhì)的電

2、容器。與陶瓷和電解電容器相比具有頻率特性好，介電損耗小，可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，但容量小，耐熱能力差，價(jià)格高。主要以聚酯膜介質(zhì)和聚丙烯膜介質(zhì)應(yīng)用最廣。薄膜電容器的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)穩(wěn)定性高溫度系數(shù)小絕緣電阻大缺點(diǎn)體積大價(jià)格較高高溫特性差介質(zhì)的影響：電容量的影響因素之一是介電常數(shù)，而介質(zhì)的介電常數(shù)又與頻率有關(guān)，這樣就會(huì)使電容量隨頻率而變化?！罘菢O性介質(zhì)的介電常數(shù)幾乎與頻率無關(guān)，電容器的容量頻率特性好；而極性介質(zhì)的介電常數(shù)隨頻率變化較大，其電容的容量頻率特性較差。聚酯薄膜聚丙烯薄膜△C/C(%)-300.1110100KHZf

3、容量頻率特性薄膜電容器損耗與外界因素的關(guān)系1）損耗頻率特性曲線聚酯薄膜聚丙烯薄膜薄膜電容器損耗與外界因素的關(guān)系2）損耗溫度特性曲線聚酯薄膜聚丙烯薄膜薄膜電容器結(jié)構(gòu)－芯子結(jié)構(gòu)示意圖薄膜電容規(guī)格型號(hào)介紹CL——聚酯膜電容器例如：CL11（有感箔式聚酯膜電容器）CL21（金屬化聚酯膜電容器）CBB——聚丙烯膜電容器例如:CBB21（金屬化聚丙烯薄膜電容器）CBB81(高壓金屬化聚丙烯薄膜電容器)聚酯和聚丙烯薄膜的特點(diǎn)1、聚酯（PET）1）機(jī)械強(qiáng)度高、成膜容易（最薄可達(dá)0.6μm)、薄膜的抗張強(qiáng)度好、彈性大、柔韌性

4、好。2）耐熱性好，最高工作溫度可達(dá)125℃，高溫時(shí)，薄膜仍具有柔順性，在-60℃時(shí)不發(fā)脆。3）介電常數(shù)大。4）易于金屬化，容積比高。5）但與其他塑料薄膜相比，聚酯膜的體積電阻率較低，損耗角正切也較大；當(dāng)使用溫度高于100℃時(shí)，其體積電阻率直線下降，損耗角正切值也迅速增大，所以使用溫度要求較高時(shí)，可以選用PEN材料。聚酯和聚丙烯薄膜的特點(diǎn)2、聚丙烯（OPP）1）具有很高的耐水性，且不受強(qiáng)酸強(qiáng)堿腐蝕，對(duì)有機(jī)溶劑也有較強(qiáng)的抵抗力。2）電性能優(yōu)良，介電強(qiáng)度高，損耗角正切值小，且與溫度頻率的關(guān)系不大。3）但聚丙烯易受

5、光、熱和空氣中的氧所腐蝕，導(dǎo)致介質(zhì)老化而性能變差。另外，聚丙烯的耐溫性也相對(duì)較差。箔式與金屬氧化膜的區(qū)別箔式電容特點(diǎn)1.耐電流強(qiáng)度高2.無自愈能力，耐峰值電壓差金屬氧化膜特性1.自愈性好，耐壓能力強(qiáng)2.耐電流能力差制造工藝－有感箔式CL11/CBB11外檢、電測(cè)試、打標(biāo)志卷繞/焊接熱壓定型包封制造工藝金屬化卷繞式CBB21等外檢、電測(cè)試、打標(biāo)志卷繞定型噴金焊接包封金屬化聚酯膜電容器主要用于直流耦合、濾波、旁路、隔直等場(chǎng)合。是薄膜電容器里最通用的一類電容器。一般用于中、低頻場(chǎng)合。在照明或者低端電源市場(chǎng)，有被用

6、于高頻場(chǎng)合，但要確保電容器的本體溫升在10℃以內(nèi)。聚丙烯電容的應(yīng)用CBB21II和MKP21將是未來通用類聚丙烯電容器的主力。照明/彩電/電源典型應(yīng)用：高頻脈沖場(chǎng)合。選用依據(jù)：電壓電流波形；頻率；爬升速率：dv/dt。確保電容器的本體溫升在5或者8℃以下最大電壓與頻率特性i=V/XcXc=1/(2πfc)i=2πfcV公司內(nèi)部薄膜電容命名規(guī)則物料描述：R_電容_CL21_224K/400V_10mm_K腳_短腳RoHS_名稱(電容)_類型(CL21)_容量(224)_誤差(K)_額定電壓(400V)_腳距(

7、10mm)_引腳形狀(K腳)_短腳_尺寸(14*13*7.5)_腳徑(0.6)R_電容_CBB21/22_333K/630V_10mm直腳_短腳RoHS_名稱(薄膜電容)_型號(hào)(CBB21/22)_容量(333)_誤差(K)_額定電壓(630V)_腳距(10mm)_引腳形狀(直腳)_短腳_尺寸(13.5*11*6.5)_腳徑(0.6)編帶物料我們公司現(xiàn)在用到的編帶規(guī)格有2.5mm編帶5mm編帶7.5mm編帶R_電容_CBB21/22_153K/630V_7.5mmK腳_編帶RoHS_名稱(電容)_型號(hào)(CB

8、B21/22)_容量(15*10^3PF)_誤差(K)_額定電壓(630V)_腳距(7.5mm)_引腳形狀(K腳)_編帶_尺寸(12.5*10*6)_腳徑(0.6)安規(guī)電容安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全.它包括了X電容和Y電容。Y電容—抑制共模信號(hào)干擾X電容—抑制差模信號(hào)干擾X電容X電容接在相線和零線之間，主要受電壓峰值的影響。為了避免擊穿短路，重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)是耐壓等級(jí)X