GBT14139-1993 硅外延片.pdf

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1、669-782UHD8C1瘍黔中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)Gs/T14139一93吞﹄t2卜硅.延片Siliconepitaxialwafers1993一02一06發(fā)布1993一10一01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14139一93硅外延片Siliconepitaxialwafers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方一法和檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在N型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的N型外延層(N/N`，和在P型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的P型外延層(P/PI)

2、的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品用于制作半導(dǎo)體器件‘弓1用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB12962硅單晶GB12964硅單晶拋光片GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度換算規(guī)程GB/T14142硅外延層晶體完整性檢測(cè)方法腐蝕法GB/T14145硅外延層堆垛層錯(cuò)密度測(cè)定干涉相襯顯微鏡法GB/T14146硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容一電壓法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語YS/T23硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法YS,"T24外延釘缺

3、陷的檢測(cè)方法YS/T28硅片包裝產(chǎn)品分類3-，導(dǎo)電類刑產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為N型和P型.3-2規(guī)格產(chǎn)品按直徑尺寸分為(50.8mm,76.2mm,80mm,90mm和100mm,3.3外延片晶向產(chǎn)品按晶向分為<111>,<100>等。3.4產(chǎn)品牌號(hào)產(chǎn)品牌號(hào)表示為:國(guó)家技術(shù)監(jiān).局1993一02一06批準(zhǔn)1993一10一01實(shí)施GB/T14139一93MSi一XXEWOXX丁可直徑尺寸晶向外延片導(dǎo)電類型、結(jié)構(gòu)·硅單晶材料示例:MSi-N/N十一EW<111>價(jià)76.2表示N/N'結(jié)構(gòu)<111>晶向直徑為76.2

4、mm的硅外延層。技術(shù)要求外延片襯底參數(shù)硅單晶襯底的電阻率應(yīng)符合表1的規(guī)定，其他各項(xiàng)參數(shù)應(yīng)符合GB12962的規(guī)定。表1硅單晶襯底的電阻率電阻率，n·cm導(dǎo)電類型摻雜元素硅單晶直徑,mm不大于鎮(zhèn)50.80.012Sb76.20.01580,90,1000.02N(50.80.009As76.20.0180,90,1000.015簇50.80.009PB76.20.0180,90,1000.0154.2襯底晶向硅單晶拋光片襯底的晶向、幾何尺寸等參數(shù)應(yīng)符合GB12964的規(guī)定。4.3外延層電阻率4.3.1N型外延層摻雜

5、元素為磷,P型外延層摻雜元素為硼。4.3.2外延層中心電阻率及其允許偏差應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2外延層中心電阻率及其允許偏差中心電阻率,n·cm允許偏差,%0.5-3士18>3-10士20>10-20士25GB/T14139一93續(xù)表2中心電阻率，?！m允許偏差，%>20-50士30>50-100士353.3外延層徑向電阻率變化應(yīng)符合表3的規(guī)定.表3外延層徑向電阻率變化中心電阻率,I"cm徑向電阻率變化RV,%J毛3(10>3簇15I瑪一P,I表中RV(%)二X100?.”?’”.”’””。?(1)P,式中:IP

6、z-P,}一平行和垂直于主參考面二條直徑的r/2處(r為半徑)四個(gè)電阻率測(cè)量值Pz中與P,值之差的最大值;P<—中心處的電阻率測(cè)量值.4-4外延層厚度4.4.1外延層厚度及其允許偏差應(yīng)符合表4的規(guī)定。表4外延層厚度及其允許偏差中心厚度，f.m厚度允許偏差，%5^-50士104.4.2外延層徑向厚度變化應(yīng)符合表5的規(guī)定。表5外延層徑向厚度變化中心厚度，dam徑向厚度變化TV,%5-50(6ITi一T,I表中TV(%)二X100.·?“’..····??(2)T,式中:ITS-T,}一平行和垂直于主參考面二條直徑的r

7、/2處(二為半徑)四個(gè)厚度測(cè)量值幾中與T,值之差的最大值;T,—中心處厚度測(cè)量值。4.5外延層缺陷4.5.1外延層位錯(cuò)密度不大于3000cm-=.GB/T14139一93‘︺外延層堆垛層錯(cuò)密度不大于50cm嘆︺外延層表面缺陷限度戶﹄曰缺陷限度應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6外延層表面缺陷限度17號(hào)缺陷名稱外延片直徑，mm缺陷限度}蕊76.25條總長(zhǎng)提直徑l滑移線80,90,10010條總長(zhǎng)鎮(zhèn)2倍直徑外延層厚度,fLm(15>15-25>25點(diǎn)狀缺陷個(gè)數(shù)成50.86,7,1076.210,12,1580,90,10020,2

8、2,25廷E0.83凹坑個(gè)數(shù)76.24口，80,90,100J}突起不得超過十外延層厚度l冠狀邊緣