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1、ManufactureofNano-particles1.Physicalmakingprocess2.Chemicalmakingprocess物理決策過程1.機(jī)械粉碎和研磨(自頂向下方法)2.物理氣體合成(自下而上的方法)通過物理氣相合成納米粒子的制備蒸發(fā)與凝結(jié)噴嘴擴(kuò)張激光燒蝕超臨界噴涂濺射.機(jī)械粉碎和研磨使用機(jī)械力，如剪切力，壓縮力和影響力，讓大尺寸的顆粒變小。研磨法(Grinding).研磨的定義中使用的是硬度較高的材料作為介質(zhì)研磨顆粒通過剪切力，摩擦力和沖擊力，使顆粒大小小打破分類的研磨方法1.干磨工藝2.濕磨過
2、程干磨工藝干磨的最小粒徑可達(dá)到約8?m的作為研磨顆粒在干燥條件下的培養(yǎng)基中，通過使用陶瓷，玻璃，和鋼球。這種方法容易造成顆粒膠的介質(zhì)和污染它.濕磨過程使用球作為粉碎介質(zhì)的干式研磨處理的相同，但它附加的溶劑，表面活性劑，以協(xié)助的分散性和防止顆粒結(jié)塊.這個(gè)過程可以自上而下到納米級的粒徑.1022濕式珠磨機(jī)如何得到的納米粒子通過濕研磨過程1.磨礦介質(zhì)的選擇2?？紤]顆粒硬度3。漿料的粘度和固含量四，產(chǎn)品規(guī)格的研磨介質(zhì)5。初始顆粒大小7.分散劑的選擇1/15磨礦介質(zhì)的選擇作為研磨介質(zhì)（球），必須具有高密度，高硬度，高摩擦性，表面上沒
3、有空隙和顆粒大小組成。例如，陶瓷，玻璃，鋼鐵，WC，...等..考慮顆粒硬度研磨粉末的硬度必須低于中等。因此，它可以防止介質(zhì)失去，導(dǎo)致污染的粉末和降低介質(zhì)的壽命時(shí)間。漿料的粘度和固含量漿料的粘度應(yīng)該是低于100厘泊的控制中，為了使研磨介質(zhì)的運(yùn)行平穩(wěn)。粉末的含量在漿液中不高于35重量％的，以防止BET（比表面積）的增加導(dǎo)致粘度增加。研磨介質(zhì)的尺寸研磨介質(zhì)（球）相對于最終磨削顆粒尺寸的大小。通常他們有1/1000的關(guān)系，即用0.1毫米研磨介質(zhì)可以獲得100nm的最后的顆粒大小。初始顆粒大小顆粒和研磨介質(zhì)的尺寸比為1:10，得到
4、良好的分散性。使用倍數(shù)階段得到預(yù)期的顆粒大小。料漿溫度的控制研磨漿料的溫度控制在40℃，防止粘度增加導(dǎo)致顆粒凝聚體。分散劑的選擇嗎？分散劑可以封裝新的成形顆粒的表面，以防止它附聚物再次。分散劑可以是含有兩個(gè)官能團(tuán)的一種是親水性的，另一個(gè)是疏水性的表面活性劑或偶聯(lián)劑。1017物理氣體合成定義物理氣體合成過程涉及的材料原子數(shù)的生成，通過各種手段，和均相成核和隨后的冷凝和凝固。顆粒形成的進(jìn)展粒子成核粒子增長顆粒團(tuán)聚ParticleNucleationrelativetofreeenergyvariation?G?G=?Gs+?G
5、v?Gs=液滴生成的界面自由能?Gv=液滴生成的體積自由能?G=4?r2?+(4/3)?r3?Gv??=液滴單位表面積的界面能?Gv?=單位體積液滴的自由能變化?G=整個(gè)系統(tǒng)之自由能變化(以合力表示)?G最高那點(diǎn)?GC為臨界自由能?GC所對應(yīng)的晶核半徑rc為晶粒臨界半徑晶核要成長必須液滴的半徑超過rc反應(yīng)要能夠進(jìn)行自由能變化必須高過於?GC當(dāng)r小於rc時(shí)液滴會蒸發(fā)消失當(dāng)r>rc時(shí)液滴會繼續(xù)成長?GCParticlenucleation超飽和條件下的系統(tǒng).更高超飽和率的粒子成核進(jìn)步依賴于粒子成核。（V=KEXP-?GC/RT
6、）=KEXP{-[16??3M2]/[3R3?2（在P/P0）2]}V=成核速率R=氣體組成P/P0=超飽和率?=密度的產(chǎn)品M=分子量反應(yīng)物P=真正的蒸氣壓P0=平衡蒸氣壓粒子增長相對于原子核碰撞的粒子的增長，當(dāng)核形成，他們將增長繼續(xù)相互碰撞。多個(gè)細(xì)胞核形成更多的機(jī)會碰撞，因此，蒸汽的濃度的占主導(dǎo)地位的顆粒生長過程。粒子生長控制方程e=2R=（6C0M/???）1/3D=顆粒尺寸C0=氣相反應(yīng)物的濃度（mole/cm3）M=分子量反應(yīng)物?=密度的產(chǎn)品N=顆粒number/cm3顆粒結(jié)塊顆粒附聚物發(fā)生在顆粒生長的最后階段，由
7、于顆粒的碰撞和范德華力，形成的顆粒很容易結(jié)塊。物理氣體合成
