NOR FLASH和NAND FLASH的區(qū)別

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1、NORFLASH和NANDFLASH的區(qū)別NOR和NAND介紹：NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存?！　∠唷癴lash存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)

2、的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。　　NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP,eXecuteInPlace），這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。NOR與NAND的區(qū)別：性能

3、比較flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0?！　∮捎诓脸齆OR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms?！　?zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給

4、定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當(dāng)選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項因素。　　●NOR的讀速度比NAND稍快一些。　　●NAND的寫入速度比NOR快很多?！　　馧AND的擦除速度遠比NOR快?！　　馧AND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更加簡單?！　　馧AND的實際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜的多?！OR可以直接使用，并在上面直接運行代碼，而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅(qū)動。容量和成本　　NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND

5、結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格?！　ORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲，NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。物理構(gòu)成　　NANDFlash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memorycell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bitline，形成所謂的b

6、yte(x8)/word(x16)，這就是NANDDevice的位寬。這些Line會再組成Page，(NANDFlash有多種結(jié)構(gòu)，我使用的NANDFlash是K9F1208,下面內(nèi)容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea))，每32個page形成一個Block(32*528B)。具體一片flash上有多少個Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個block，故總?cè)萘繛?096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用

7、來保存ECC校驗碼等額外數(shù)據(jù)的，故實際中可使用的為64MB?！　ANDflash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：　　ColumnAddress：StartingAddressoftheRegister.翻成中文為列地址，地址的低8位　　PageAddress：頁地址　　BlockAddress：塊地址　　對于NANDFlash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數(shù)據(jù)寬度是8位?？煽磕陀眯浴　〔捎胒lahs介質(zhì)時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統(tǒng)來說，F(xiàn)la

8、sh是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖陀眯裕?、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性?！　勖陀眯裕　≡贜AND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是