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《半導(dǎo)體工藝及器件仿真工具SentaurusTCAD》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、第1章可制造性設(shè)計(jì)工具SentaurusTCAD2/117Sentaurus簡(jiǎn)介SentaurusTCAD全面繼承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，它可以用來(lái)模擬集成器件的工藝制程，器件物理特性和互連線特性等。SentaurusTCAD提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括SentaurusWorkbench,Ligament,SentaurusProcess,SentaurusStructureEditor,MeshNoffset3D,SentaurusDevice,Tecplot?SV，Insp
2、ect,AdvancedCalibration等等。2021/8/26浙大微電子3/117Sentaurus簡(jiǎn)介SentaurusProcess和SentaurusDevice可以支持的仿真器件類型非常廣泛，包括CMOS，功率器件，存儲(chǔ)器，圖像傳感器，太陽(yáng)能電池，和模擬/射頻器件。SentaurusTCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。2021/8/26浙大微電子4/117SentaurusTCAD的啟動(dòng)運(yùn)行vncviewer在xterm中輸入：source/opt/demo/se
3、ntaurus.envGENESISe&2021/8/26浙大微電子5/1172021/8/26浙大微電子6/1172021/8/26浙大微電子7/117本章內(nèi)容1集成工藝仿真系統(tǒng)SentaurusProcess2器件結(jié)構(gòu)編輯工具SentaurusStructureEditor3器件仿真工具SentaurusDevice4集成電路虛擬制造系統(tǒng)SentaurusWorkbench簡(jiǎn)介2021/8/26浙大微電子8/117本章內(nèi)容1集成工藝仿真系統(tǒng)SentaurusProcess2器件結(jié)構(gòu)編輯工具SentaurusStru
4、ctureEditor3器件仿真工具SentaurusDevice4集成電路虛擬制造系統(tǒng)SentaurusWorkbench簡(jiǎn)介2021/8/26浙大微電子9/117SentaurusProcess工藝仿真工具簡(jiǎn)介SentaurusProcess是當(dāng)前最為先進(jìn)的工藝仿真工具，它將一維，二維和三維仿真集成于同一平臺(tái)中，并面向當(dāng)代納米級(jí)集成電路工藝制程，全面支持小尺寸效應(yīng)的仿真與模擬。SentaurusProcess在保留傳統(tǒng)工藝仿真軟件運(yùn)行模式的基礎(chǔ)上，又做了一些重要的改進(jìn)。2021/8/26浙大微電子10/117202
5、1/8/26浙大微電子增加了模型參數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)瀏覽器（PDB），為用戶提供了修改模型參數(shù)和增加模型的方便途徑。增加了一維模擬結(jié)果輸出工具Inspect和二維、三維模擬結(jié)果輸出工具（TecplotSV）。增加了小尺寸模型。這些小尺寸模型主要有：高精度刻蝕模型，基于MonteCarlo的離子擴(kuò)散模型，注入損傷模型，離子注入校準(zhǔn)模型等等。增加了這些小尺寸模型，提高了工藝軟件的仿真精度，適應(yīng)了半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求。11/117SentaurusProcess基本命令介紹用戶可以通過(guò)輸入命令指導(dǎo)SentaurusProcess的執(zhí)行
6、。而這些命令可以通過(guò)輸入命令文件或者用戶終端直接輸入。2021/8/26浙大微電子12/117(1)文件說(shuō)明及控制語(yǔ)句exit:用于終止SentaurusProcess的運(yùn)行。fbreak:使仿真進(jìn)入交互模式。fcontinue:重新執(zhí)行輸入文件。fexec:執(zhí)行系統(tǒng)命令文件。interface:返回材料的邊界位置。load:從文件中導(dǎo)入數(shù)據(jù)信息并插入到當(dāng)前網(wǎng)格。logfile:將注釋信息輸出到屏幕以及日志文件中。mater:返回當(dāng)前結(jié)構(gòu)中的所有材料列表，或在原列表中增加新的材料。mgoals:使用MGOALS引擎設(shè)置
7、網(wǎng)格參數(shù)。2021/8/26浙大微電子13/117(2)器件結(jié)構(gòu)說(shuō)明語(yǔ)句init:設(shè)置初始網(wǎng)格和摻雜信息。region:指定結(jié)構(gòu)中特定區(qū)域的材料。line:指定網(wǎng)格線的位置和間距。grid:執(zhí)行網(wǎng)格設(shè)置的命令。substrate_profile:定義器件襯底的雜質(zhì)分布。polygon:描述多邊形結(jié)構(gòu)。point:描述器件結(jié)構(gòu)中的一個(gè)點(diǎn)。doping:定義線性摻雜分布曲線。profile:讀取數(shù)據(jù)文件并重建數(shù)據(jù)區(qū)域。refinebox:設(shè)置局部網(wǎng)格參數(shù)，并用MGOALS庫(kù)進(jìn)行細(xì)化。bound:提取材料邊界并返回坐標(biāo)列表。
8、contact:設(shè)置電極信息。2021/8/26浙大微電子(3)工藝步驟說(shuō)明語(yǔ)句deposit:用于淀積一個(gè)新的層次。diffuse:用于高溫?cái)U(kuò)散和高溫氧化。etch:用于刻蝕。implant:實(shí)現(xiàn)離子注入。mask:用于定義掩膜版。photo:淀積光刻膠。strip:去除表面的介質(zhì)層。stress:用于計(jì)算應(yīng)力。2021/8/2
