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《微機(jī)原理習(xí)題答案-周杰英__張萍06_習(xí)題答案》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為哪幾個(gè)類型？試分別說明它們各自的特點(diǎn)。解：從存取方式來分，有讀寫存儲(chǔ)器RAM和只讀存儲(chǔ)器ROM。RAM也稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，CPU在執(zhí)行程序的過程中能對(duì)它進(jìn)行讀出和寫入操作。在RAM中可分為雙極型（Bipolar）和MOS型RAM兩大類。雙極型RAM具有很高的存取速度，但是雙極型RAM的集成度低，單片容量小，功耗大，成本高。MOS型RAM具有功耗低、集成度高、單片容量大的特點(diǎn)，但存取速度則較慢。MOS型RAM又可以分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM兩種。ROM器件的功能是只許讀出，不許寫入
2、，一旦有了信息，就不能輕易改變，也不會(huì)在掉電時(shí)丟失，所以它只能用在不需要經(jīng)常對(duì)信息進(jìn)行修改和寫入的地方。ROM可以分為4種：掩膜ROM、可編程ROM、可擦除、可編程ROM和可電擦除的、可編程ROM等。2、列出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)。解：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)有：存儲(chǔ)芯片容量、存取速度、可靠性、價(jià)格、易失性、集成度、功耗和電源種類等。3、試比較SRAM和DRAM的優(yōu)缺點(diǎn)。解：SRAM用由6管構(gòu)成的觸發(fā)器作為基本電路，不需要刷新電路，而且易于用電池作后備電源。DRAM是利用電容的記憶功能保存信息，由于電
3、容存在漏電電流，即使電源不掉電，電荷會(huì)隨著電容放電而泄露，從而導(dǎo)致信息丟失，所以需要刷新。與SRAM相比，DRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是集成度高、功耗小、價(jià)格低。而不足之處是與CPU的接口電路比較復(fù)雜，有兩個(gè)問題要解決：一個(gè)是上面所講的刷新問題，另一個(gè)是地址信號(hào)的輸入問題。DRAM一般用于組成大容量的內(nèi)存系統(tǒng)。4、若某微機(jī)系統(tǒng)的系統(tǒng)RAM存儲(chǔ)器由四個(gè)模塊組成，每個(gè)模塊的容量為128K字節(jié)，若四個(gè)模塊的地址是連續(xù)的，最低地址為00000H，試指出每個(gè)模塊的首末地址。解：第一個(gè)模塊：00000H～1FFFFH；第二個(gè)
4、模塊：20000H～3FFFFH；第三個(gè)模塊：40000H～5FFFFH；第四個(gè)模塊：60000H～7FFFFH。5、對(duì)于下列芯片，它們的片內(nèi)地址線各有多少根？若分別用以下芯片組成容量為64K字節(jié)的模塊，試指出分別需要多少芯片？（1）Intel2114（1K×4位）；（2）Intel6116（2K×8位）；（3）Intel2164（64K×1位）；（4）Intel3148（4K×8位）。解：（1）片內(nèi)地址線10根。需要128片。（2）片內(nèi)地址線11根。需要32片。（3）片內(nèi)地址線16根。需要8片。（4）
5、片內(nèi)地址線12根。需要16片。6、試比較存儲(chǔ)器讀周期和寫周期的差別。存儲(chǔ)器的讀周期和寫周期的主要差別在于數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上的時(shí)間不同和總線上數(shù)據(jù)的來源不同。對(duì)于存儲(chǔ)器的讀周期，是在地址線和選通控制線穩(wěn)定后，被讀出的數(shù)據(jù)才出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上，數(shù)據(jù)來自于存儲(chǔ)器；而對(duì)于存儲(chǔ)器的寫周期，則是往存儲(chǔ)器內(nèi)寫入新的信息，故在所有選通控制信號(hào)出現(xiàn)之前，數(shù)據(jù)線上應(yīng)有待寫的穩(wěn)定數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來自于CPU。7、某RAM芯片，容量為4K′4位，該芯片有數(shù)據(jù)線、地址線、片選信號(hào)線和讀寫控制線。請(qǐng)問：RAM#1RAM#2RAM#3RA
6、M#4RAM#530000H32000H34000H37000H38000H圖6-31題7內(nèi)存模塊示意圖（1）該RAM芯片有幾根地址線？幾根數(shù)據(jù)線？（2）現(xiàn)要在8088為CPU的微機(jī)系統(tǒng)中，用該芯片構(gòu)成右圖中RAM#2和RAM#4兩個(gè)內(nèi)存模塊，請(qǐng)畫出擴(kuò)展這兩個(gè)模塊的存儲(chǔ)器連接圖。（連接圖中可選用三八譯碼器和與非門等。）解：（1）該RAM芯片有12根地址線，4根數(shù)據(jù)線。（2）RAM＃2地址范圍：32000H—33FFFH。可分成兩組：第一組為32000H～32FFFH；001100100000000000
7、00……00110010111111111111第二組為33000H～33FFFH00110011000000000000……00110011111111111111RAM＃4為另一組，地址范圍為：37000H～37FFFH00110111000000000000……00110111111111111111上面每組用兩塊RAM芯片組成，共用6片。上面的地址范圍可以看出，三組地址范圍的高5位A19～A15是相同的，都是00110；中間三位A14A13A12的值分別是010、011、111。因此，可以將A1
8、4A13A12連三八譯碼器的C、B、A輸入引腳，用三八譯碼器輸出選擇線、、分別作為三組的組選擇信號(hào)線，連各芯片的引腳。三組地址范圍的低12位都是從全0變到全1，用于RAM片內(nèi)單元的尋址，因此地址總線中的A0～A11的連各RAM芯片的地址引腳。連接圖如上所示。8、某微機(jī)系統(tǒng)的CPU為8088，且工作于最小方式，原有系統(tǒng)RAM存儲(chǔ)器模塊的容量為128K字節(jié)，其首地址為40000H，現(xiàn)用2128RAM芯片（容量2K×8位）擴(kuò)展一個(gè)容量為16K字節(jié)
