CVD法制備石墨烯

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1、JournalofELECTRONICMATERIALS,39,10,2010上圖CVD方法中，Ni催化劑位于Si/SiO2襯底的表面，焦耳加熱至900-1000度，然后通入CH4，在催化劑的作用下生成了石墨烯J.Phys.DAppl.Phys.43(2010)455402這里用的是Co催化劑NanoLett.9,1(2009)a圖為生長(zhǎng)石墨烯之前的光學(xué)圖像，b圖為生長(zhǎng)石墨烯之后的光學(xué)圖像，可以看到石墨烯覆蓋在了原來(lái)Ni催化劑的表面上圖也給出了基片的構(gòu)造其他一些制備方法NATURE4685492010

2、在Cu/Si/SiO2表面上涂一層PMMA，加熱后在Cu表面生成了石墨烯其他一些制備方法APPLIEDPHYSICSLETTERS96,063110(2010)無(wú)定形碳位于Ni薄膜和Si/SiO2襯底之間，加熱再冷卻，在Ni的表面生成了石墨烯其他一些制備方法small2010,6,11,1226在MgO(001)上覆蓋Co，再在其表面覆蓋上聚苯乙烯，真空中加熱生成石墨烯生長(zhǎng)機(jī)理PhysRevB.80.235422該模型認(rèn)為在生長(zhǎng)過(guò)程中，襯底中的Ru被蝕刻掉了，文中還結(jié)合LEEM圖像進(jìn)行了驗(yàn)證NewJo

3、urnalofPhysics11(2009)063046本文研究了在Ru(001)和Ir(111)表面上生長(zhǎng)石墨烯的影響因素naturematerials74062008通過(guò)IV光譜的測(cè)量和模擬得到了石墨烯在Ru(001)表面的堆疊方式PhysRevLett.104.186101利用VASP計(jì)算研究了Ir/Ru/Cu表面上C-C對(duì)的穩(wěn)定性，之所以要研究C-C對(duì)是因?yàn)槠涫鞘┥L(zhǎng)過(guò)程中成核的中心PhysRevB.80.245411實(shí)驗(yàn)中觀察到的石墨烯在Pt(111)面生長(zhǎng)的過(guò)程