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《正電子壽命測量》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、本科生畢業(yè)論文（設(shè)計）題R止電子湮沒壽命測量學(xué)院物理學(xué)院專業(yè)核工程與核技術(shù)學(xué)生姓名孫世超學(xué)號0942024012年級2009級指導(dǎo)教師梁勇飛教務(wù)處制表二0—三年五月二十日正電子湮沒壽命測量專業(yè)：核工程與核技術(shù)學(xué)生：孫世超指導(dǎo)教師：梁勇飛摘要正電子壽命測量實驗是大學(xué)核電子學(xué)實驗課程的主要內(nèi)容，而很多文獻資料中具體實驗過程的描述相對較少。實驗中用22Na為放射源Al為湮沒材料，測量22Na的級聯(lián)輻射和淹沒光子之間的時間差作為正電子在AI中的淹沒壽命。主要研究正電子壽命測量實驗中具體的試驗方法和過程，包括延時調(diào)節(jié)
2、，閾值調(diào)節(jié)，能量刻度，時間分辨率測量，以及數(shù)據(jù)分析等內(nèi)容。關(guān)鍵字正電子湮沒壽命閾值分辨率英文摘要Positronlifetimemeasurementexperimentsarethemaincontentofuniversitynuclearelectronicsexperimentalcourse、andthedescriptionoftheexperimentprocessinthedocumentliteratureisrelativelysmall,wasusedasaradioactivesou
3、rce,andAlwasusedasAnnihilationmaterial.TheintervalbetweentheoccuranceofcascadephotonsandtheoccuranceofSubmergedphotonisbeenmeasuredasPositronannihilationlifetime.theexperimentmainlyresearchinexperimentaloperationandprocessjncludingtheadjustmentofdelaytime,
4、thresholdadjustment,energycalibration,measurementofTimeresolutionandexperimentaldataanalysis?摘要英文摘要1第一章引言3第二章正電子與正電子湮沒概述4笫一節(jié)正電子與正電子淹沒4第二節(jié)正電子在介質(zhì)中的行為4第三節(jié)正電了湮沒壽命譜5第四節(jié)正電子湮沒譜學(xué)5第章實驗原理6笫一節(jié)實驗原理及框圖6第二節(jié)儀器介紹72.1時幅轉(zhuǎn)換器72.2恒比定時甄別器82.3快符合電路82.4多道分析器9第四章實驗內(nèi)容91.閾值調(diào)節(jié)92.延時調(diào)節(jié)
5、123.參數(shù)設(shè)置134.讀取數(shù)據(jù)135.時間刻度146.時間分辨率測罐157.數(shù)據(jù)處理16討論對實驗壽命值產(chǎn)生影響的若干問題181.背散射182.能窗設(shè)置193.統(tǒng)計謀差19致謝20參考文獻21第一章引言1930年Dirac預(yù)言了正電子的存在，Anderson于1932年在宇宙射線中發(fā)現(xiàn)了正電子，揭開了研究物質(zhì)與反物質(zhì)的序幕，正電子素的發(fā)現(xiàn)加深了對正電子物理的研究，也形成了一門獨立的課題正電子淹沒譜學(xué)。隨著對正電子與正電子素，及其與物質(zhì)相互作用的深入研究，正電子淹沒技術(shù)在原子物理，分子物理,態(tài)物理，表面物理
6、，化學(xué)，醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。正電子的淹沒有自由淹沒態(tài)和捕獲淹沒態(tài)和、正電子素淹沒三種當(dāng)材料的晶格為完整晶格時，正電子在其中往往發(fā)生自由淹沒，當(dāng)材料晶格中出現(xiàn)缺陷時，正電子在其中就會發(fā)生捕獲態(tài)淹沒。由于缺陷中電子密度較低，束縛態(tài)正電子的壽命一般大于自由態(tài)正電子的壽命。缺陷的線度越大，正電子越容易被捕獲，壽命越長，故壽命的長短反映了缺陷的大小和種類。缺陷的濃度越高，相應(yīng)長壽命成分的相對強度也越大，長壽命成分的強度反映了缺陷的濃度。因此對正電子壽命譜的研究和測量，可以為材料的微觀結(jié)構(gòu)提供很多信息?，F(xiàn)在正電子淹
7、沒技術(shù)是研究材料的微觀結(jié)構(gòu)，物質(zhì)內(nèi)部的電子動量分布的重要手段，尤其慢正電子在研究材料的表面特性方面具有重要意義?，F(xiàn)在正電子湮沒壽命測量來研究物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)的手段已發(fā)展為一門獨立的課題：正電子湮沒譜學(xué)。主要的實驗手段有，正電子湮沒壽命譜，湮沒Y射線多普勒展寬譜以及湮沒Y角關(guān)聯(lián)譜。國內(nèi)研究主要集中在正電子湮沒壽命譜測量的應(yīng)用上，比如：通過分析不同材料中的壽命譜得到該材料內(nèi)結(jié)構(gòu)信息等，尤其從慢正電子的壽命譜可以得到材料表面納米級缺陷分部信息。在壽命譜解譜工作，以及實驗譜儀的組裝測試都有大量研究。實驗中用22Na為放
8、射源AI為湮沒材料，測量的級聯(lián)輻射和淹沒光子之間的時間差作為正電子在AI中的淹沒壽命。正電子壽命測量實驗是大學(xué)核電子學(xué)實驗課程的主要內(nèi)容，而很多文獻資料中具體實驗過程的描述相對較少。本實驗主要研究正電子壽命測量實驗中具體的試驗方法和過程，包括延時調(diào)節(jié)，閾值調(diào)節(jié)，能量刻度，時間分辨率測量，以及數(shù)據(jù)分析等內(nèi)容，為以后的正電子湮沒壽命測量實驗提供參考。第二章正電子與正電子湮沒概述第一節(jié)正電子與正電子淹沒正電子是電子的反
