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1、第4章 雙極性接面電晶體4-1PNP與NPN電晶體之物理特性及架構(gòu)4-2電晶體之電流成分4-3共基極組態(tài)4-4共射極組態(tài)4-5共集極組態(tài)總目錄節(jié)目錄4-1PNP與NPN電晶體之 物理特性及架構(gòu)1.電晶體的物理結(jié)構(gòu)及電路符號節(jié)目錄(1)電晶體的三個接腳?射極（E）：發(fā)射載子的電極。?集極（C）：收集載子的電極。 ?基極（B）：控制載子多寡的電極。(2)分類多數(shù)載子－電洞少數(shù)載子－電子多數(shù)載子－電子少數(shù)載子－電洞PNP型NPN型節(jié)目錄2.電晶體的物理特性(1)摻入雜質(zhì)的濃度比：(2)製造寬度比：(3)射極（E）與集極（C）對調(diào)
2、使用，則增益下降，耐壓也會下降。(4)不可以使用兩個背對背二極體來取代電晶體 ，因為它不具放大作用。節(jié)目錄4-2電晶體之電流成分1.電晶體的偏壓接法節(jié)目錄(1)電晶體的二個PN接面JE：射、基極的PN接面JC：集、基極的PN接面(2)電晶體當(dāng)放大器使用JE：施加順向偏壓JC：施加逆向偏壓節(jié)目錄(3)工作原理空乏區(qū)寬度縮小多數(shù)載子自P→N大量移動（PNP電晶體）多數(shù)載子流動為零造成少數(shù)載子的流動E、B順偏B、C逆偏節(jié)目錄2.電晶體的電流放大作用(1)應(yīng)用克希荷夫電流定律IE=IC+IB?IC約占IE之90~99.8%?IB約
3、占IE之0.2~10% ?IC=IC多數(shù)+ICO少數(shù)(2)電晶體為電流控制元件，即IC=f(IB)(3)欲提高電流放大率射極雜質(zhì)濃度增加基極寬度WB變窄節(jié)目錄4-3共基極組態(tài)1.電晶體放大器的種類節(jié)目錄(1)電晶體E、B、C三隻腳，分別擔(dān)當(dāng)輸入端、輸出端及接地端任務(wù)。(2)種類(3)電晶體放大器三個不同端點(diǎn)之區(qū)分共基極接地式放大器（CB）共射極接地式放大器（CE）共集極接地式放大器（CC）節(jié)目錄2.共基極放大電路節(jié)目錄(1)電流之符號，以流入電晶體者為正，流出 電晶體者為負(fù)。?PNP電晶體：IE為正，IB與IC為負(fù)。 ?N
4、PN電晶體：IE為負(fù)，IB與IC為正。(2)共基極組態(tài)：訊號由E、B極輸入，C、B極取出，B極為迴路所共有。(3)基極與其他電極的電壓分別為VEB與VCB。?PNP電晶體：VEB為正，VCB為負(fù)。 ?NPN電晶體：VEB為負(fù)，VCB為正。節(jié)目錄3.輸出（集極）特性曲線節(jié)目錄(1)集極特性曲線：表示集極電流IC與VCB及IE之 間的關(guān)係。(2)三個工作區(qū)域?作用區(qū)指IE=0之曲線上方及VCB=0的垂直線右側(cè)。電晶體的射、基極接面加上順向偏壓，而集、基極接面為逆向偏壓。電晶體是導(dǎo)通的，可以擔(dān)任放大工作。節(jié)目錄?截止區(qū)?飽和區(qū)指
5、IE=0之曲線下方。電晶體的射、基極接面及集、基極接面皆為逆向偏壓。電晶體是截止的，可當(dāng)開關(guān)（OFF）使用。指VCB的水平軸擴(kuò)展到0V的左邊部分。電晶體的射、基極接面及集、基極接面皆為順向偏壓。電晶體相當(dāng)於短路，可當(dāng)開關(guān)（ON）使用。節(jié)目錄4.輸入（射極）特性曲線(1)射極特性曲線：表示當(dāng)VCB為固定值時，VEB與IE的關(guān)係。(2)當(dāng)VEB愈大時，IE隨VEB的增加而增加。(3)當(dāng)VEB固定時，若
6、VCB
7、愈大時，IE也愈大，其曲線愈往左移，但影響甚少。節(jié)目錄5.電流增益(1)公式?的典型值在0.90~0.998之間（其值
8、近於1，但小於1）。(2)考慮少數(shù)載子，則IC=?IE多數(shù)+ICO少數(shù)ICO（或稱ICBO）表示射極開路（IE=0）時，集、基極之間的洩漏電流。節(jié)目錄6.電路特性(1)Ri甚小（約20~200Ω），Ro甚大（約100k~1MΩ）。(2)電流增益，通常小於1，但近於1。(3)電壓增益(4)功率增益Ap=Av×Ai=Av×?Ap(dB)=10logAp(5)Vo與Vi同相位。(6)用途：用於極高頻放大與振盪器。節(jié)目錄4-4共射極組態(tài)1.共射極放大電路(1)共射極組態(tài)：以射極（E）擔(dān)任接地端，訊號由B、E極輸入，C、E極取出。(
9、2)射極與其他電極的電壓為VBE與VCE?PNP電晶體：VBE與VCE均為負(fù)。 ?NPN電晶體：VBE與VCE均為正。節(jié)目錄2.輸出（集極）特性曲線節(jié)目錄(1)集極特性曲線：在一組輸入電流IB值之範(fàn)圍 內(nèi)，其VCE對IC的一組曲線。(2)三個工作區(qū)域?作用區(qū)指IB=0之曲線上方以及VCE=VCE(sat)的垂直線右側(cè)部分。電晶體的B、E接面為順向偏壓，C、B接面則為逆向偏壓。IC=?IB+ICEO≒?IB被用來作電流、電壓或功率放大 之用。指VCE=VCE(sat)的左邊部分。電晶體的B、E與C、B接面均為順向偏壓。電晶體
10、是飽和的，可當(dāng)開關(guān)（ON）使用。?飽和區(qū)?截止區(qū)在共射極組態(tài)中，當(dāng)IB=0時，IE≠0，因為。電晶體的B、E與C、B接面均為逆向偏壓。ICEO表示在基極開路（IB=0）時，集、射極間的洩漏電流。電晶體是截止的，相當(dāng)於開路，可當(dāng)開關(guān)（OFF）使用。節(jié)目錄節(jié)目錄3.輸入（基極）特性曲線(1)當(dāng)VBE愈大時，
