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《我國LED行業(yè)市場綜合發(fā)展態(tài)勢圖文深度調(diào)研分析報告》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、我國LED行業(yè)市場綜合發(fā)展態(tài)勢圖文深度調(diào)研分析報告LED下游照明市場巨大。LED產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游的芯片，中游的封裝及下游的應(yīng)用。2015年，中國LED市場規(guī)模為3967億元,其中芯片130億元，封裝642億元，應(yīng)用3195億元?？梢钥吹?，產(chǎn)業(yè)鏈中下游應(yīng)用占比最高達81%,且占比不斷提升，增速最快。下游應(yīng)用分為通用照明、景觀照明、汽車照明、信號及指示、背光應(yīng)用、顯示屏等多個領(lǐng)域。其中通用照明占比從2009年的13%增長到2015年的45%,增速迅猛。LED行業(yè)屬于典型的下游推動上游，未來照明應(yīng)用將推動整個LED行業(yè)的蓬勃發(fā)展。國內(nèi)LED市場規(guī)模將突破
2、4000億元120%100%80%60%40%-LED芯片（億元）—LED北裝（億尢）—LED&^（億元）十-LED芯片增連LED#裝垢連LED曲"1增連?）內(nèi)LED應(yīng)用中照明占比超64%1630%w%■背光■顯示照明■其他Z7T從耗電量上看，LED燈功率最小最節(jié)能。目前市場上的照明燈主要分為口熾燈、節(jié)能燈和LED燈。從發(fā)光性能上看，口熾燈是通過鉤絲的熱效應(yīng)發(fā)光。節(jié)能燈通過加熱燈絲發(fā)射電子碰撞氮原子和汞原子發(fā)射岀紫外線，然后紫外線激發(fā)熒光粉發(fā)光，節(jié)能燈缺點是存在頻閃，高頻閃的節(jié)能燈還會產(chǎn)生電磁輻射，長久使用對眼睛易造成損害。而LED燈是釆用半導(dǎo)體的電
3、子效應(yīng)發(fā)光，是一種低電壓直流恒流源的發(fā)光器件，不存在節(jié)能燈的頻閃、電磁輻射等問題。經(jīng)過成本計算,同樣亮度同樣的照明時間下，在LED燈上投入的費用只有節(jié)能燈的47%、白熾燈的14%,從數(shù)據(jù)看出LED燈性價比最高。LED燈性價比最高約1()(X)小040\0.04度15元約2000()小時□w0.005/1/*卜時LED燈十大優(yōu)勢]
4、介紹
5、高故能世鼻白光叢高發(fā)光*1能己經(jīng)達到303lai/w易于通過條饑來調(diào)節(jié)包侈和亮虎小尺寸明顯小于傳統(tǒng)光源?打減燈具設(shè)計時彫狀和尺寸的約東尢向壯減吵不處餐方向的岌尢.捉升燈具故卓時用社廣泛用于先源容易破損的橋集工業(yè)空何等
6、it網(wǎng)千負(fù)競繭店.冷甜It他場所即時啟動.須緊開關(guān)喑間達到益丸亮度.無重啟運遲問越.不食須緊開關(guān)夠響適川于藝總品保存芋場所環(huán)保牲不含汞.警0的竟光物質(zhì)也致少持久性可吏持久吏高效低根供高品用燈光.痔命吏長LED照明滲透率逐步提升。國內(nèi)LED照明滲透率從2015年的31%增加到2016年的36%,未來仍將繼續(xù)提升，據(jù)報道，到2020年末LED照明滲透率會達到60%oLED燈光效不斷提升是必然趨勢，芯片技術(shù)提升是其關(guān)鍵。LED燈最大的優(yōu)點是高光效和節(jié)能。在過去13年中，常用的LED燈光效值從2003年的20(lm/w)提升到2016年的170(li】i/W
7、),將近8倍的增長，技術(shù)的突破速度驚人。提升LED光效的方法主要包括：提高外延片量子效率、提高封裝的取光效率以及使用高性能熒光粉等。其中電能光能的轉(zhuǎn)換效率是影響LED光效的最核心因素，封裝技術(shù)和熒光粉是在此基礎(chǔ)上再提升光效。我國LED光效不斷提升CREE白光LED不斷刷新世界最高光效紀(jì)錄3002502001501005020062008200920102011201220132014LED燈具價格不斷下降是發(fā)展趨勢。目前降低其成本的方法有兩種，一是通過規(guī)?；a(chǎn)降低單個成本價格，二是提升技術(shù)水平降成本。其中提升技術(shù)水平的方法可從降低外延芯片成本、改善
8、封裝技術(shù)、降低燈具其它結(jié)構(gòu)成本三個方面改進。中BHED燈泡半肋tJrlJU代■白熾燈）八＜屯）申DSLED燈總牛約恂I取代旳■白tntll/I我國LED燈泡價格下降競爭力逐年提升LED燈具降成本方法多樣(1)規(guī)?；a(chǎn)自動化設(shè)備大規(guī)模生產(chǎn)(2)提升技術(shù)芯片增大外延片面積改善外延生長增加電流密度降低正向偏壓封裝與芯片隔離進行封裝COB封裝，LED多芯片集成封裝其它合理設(shè)計燈具結(jié)構(gòu)，如散熱體等模塊化，將外延片.驅(qū)動電源和散熱體一起封裝成模塊單元LED芯片是LED照明燈具的心臟。LED芯片是PN結(jié)，其主要功能是把電能轉(zhuǎn)化為光能，是LED燈的核心部件。當(dāng)有電
9、流通過時，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，復(fù)合產(chǎn)生的能量以光子的形式發(fā)岀。LED芯片分類方法多樣，按用途分為大功率、小功率兩種；按形狀分為方片、圓片兩種；按顏色分為紅色、綠色、藍(lán)色三種。LED芯片制作流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鐐(GaN)基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學(xué)氣相沉積外延爐(MOCVD)中完成的。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底。MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及III族的有機金屬和V族的NII3在襯底表面進行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。接下來是對LED的PN結(jié)的兩個電極進行加工，包括清洗、蒸
10、鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對led毛片進行劃片、測試和分選，最終得到所需的LED芯片。LED燈結(jié)構(gòu)
