資源描述：
《algan基msm結(jié)構(gòu)紫外探測器設(shè)計和研制論文》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、摘要光電探測在紫外波長范圍的研究引起了人們廣泛的關(guān)注。隨著科技的發(fā)展，紫外探測技術(shù)得到的廣泛的應(yīng)用，軍事上，紫外探測技術(shù)可廣泛的用于導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)、紫外通信技術(shù)對抗、生化武器分析等領(lǐng)域中。在民用領(lǐng)域中，紫外探測技術(shù)也有著廣泛的應(yīng)用，可用于重大火災(zāi)的探測、生物醫(yī)藥分析、臭氧監(jiān)測、紫外樹脂固化、燃燒工程、紫外水凈化處理、太陽照度監(jiān)測、公安偵察、紫外天文學(xué)等非常廣泛的領(lǐng)域中?？傊?，紫外探測技術(shù)是隨著經(jīng)濟和科技的發(fā)展，是繼紅外和激光探測技術(shù)之后的又一項在軍事和民用上廣泛應(yīng)用的光電探測技術(shù)，當(dāng)今，世界各國都把紫外探測技術(shù)列為當(dāng)今研究研究開發(fā)的重點課題。金屬．半導(dǎo)體．金屬(MS
2、M)結(jié)構(gòu)紫外探測器的結(jié)構(gòu)為平面型、制備工藝也比較簡單、在制作的過程中只需制作金屬．半導(dǎo)體肖特基接觸，而無需制作p-n結(jié)、不需要進行n型和P型摻雜，不需要制作歐姆接觸，并且用它制作的日盲型紫外探測器具有高響應(yīng)度、低暗電流、高紫外／可見光抑制比、高探測率、高量子效率等諸多優(yōu)點而倍受青睞，成為AIGaN基紫外探測器研制的首選結(jié)構(gòu)之一。本論文詳細的介紹了我們在制作A1GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器過程中所作的工作，包括：材料結(jié)構(gòu)設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料生長、器件制作、器件測試及性能分析。測試的結(jié)果顯示：器件截止波長為276nm，說明器件有良好的日盲特性；在262nm處有陡峭
3、的截止邊，峰值響應(yīng)也在262nm處，4V偏壓下的峰值響應(yīng)度為0．2A／W；紫外／可見光的對比度約為3個數(shù)量級；在1．5V偏壓下的暗電流約為lnA，在5．3v偏壓下的暗電流約為l釁。測得擊穿電壓在50V以上。測試完成后，對測試結(jié)果進行了分析。退火的AIGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器比不退火的I．v特性曲線平滑且對稱性良好，說明退火能優(yōu)化肖特基接觸。這些工作為制作性能良好的AIGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器提供參考，對研究單片集成、制作AIGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外焦平面陣列具有重要的指導(dǎo)意義。關(guān)鍵詞：鋁鎵氮日盲光譜響應(yīng)紫外探測器ABSTRACTAtpresent，AIGaN
4、-basedultravioletphotodetectors(PDs)havereceivedmuchattentionfortheirimportanceintherangeofultravioletwavelength．Becauseoftheimmunityfrominterferenceofvisiblelight，solar-blindPDsisusedforawiderangeofmilitaryandcommercialapplications，suchasthemissileguidanceandwarning，ultravioletcommun
5、icationandbiochemistryanalysis，biologyandmedicineanalysis，etc．Asthethirdgenerationsemiconductormaterialofadirectbandgap，GaNbandgapis3．4eVattheroomtemperature．WiththevariationofA1composition，bandgapofternaryalloyA1GaNcanbechangefrom3．4eVto6．2eVcontinuously．Thisrangewhichisabsorbedbyozo
6、nelayeroftheEarthcoversthemainwindowof200nm——280nto．BecauseofintrinsicadvantagesofMSMstructure，suchasplanarstructure，simplepreparation，withoutmakingap-njunction，avoidingsanleissuessuchasdopingandohmiccontact，easytoobtainhighquantumefficiency,highresponsiveness，easeofmonolithicoptoelec
7、tronicintegration，etc，MSMstructurebecomewidelyaccepted．Wehavedesigned，fabricated，andcharacterizedofA1GaN-basedMSMu!travioletPDs．neresponsivitycurvesshowthatthecut—offwavelengthof276nm，indicatingthePDshaveagoodsolar-blindcharacteristic．Theultraviolet
8、visiblerejectionisabout3ordersofmag
9、nitud
