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《寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)深度：碳化硅與氮化鎵的興起與未來(lái)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、微電均是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)，在SiC功率器件研發(fā)上已經(jīng)有所布局。n風(fēng)險(xiǎn)提示。SiC與GaN行業(yè)技術(shù)進(jìn)步不及預(yù)期；下游需求電動(dòng)汽車與5G推進(jìn)不及預(yù)期；SiC與GaN若成本下降不及預(yù)期；國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)研發(fā)與銷售受國(guó)外企業(yè)擠壓而不及預(yù)期。內(nèi)容目錄硅的瓶頸與寬禁帶半導(dǎo)體的興起.-6-Si材料的歷史與瓶頸...................................................................................-6-SiC/GaN：穩(wěn)定爬升的光明期.....
2、................................................................-7-SiC：極限功率器件的理想材料..........................................................................-8-SiC：極限功率器件的理想的材料...............................................................-8-SiC產(chǎn)業(yè)鏈：歐美占據(jù)關(guān)鍵
3、位置................................................................-10-SiC市場(chǎng)：汽車是最大驅(qū)動(dòng)力....................................................................-12-重要SiC企業(yè)梳理.....................................................................................-14-
4、GaN：5G應(yīng)用的關(guān)鍵材料................................................................................-19-GaN：承上啟下的寬禁帶半導(dǎo)體材料........................................................-19-GaN在電力電子領(lǐng)域與微波射頻領(lǐng)域均有優(yōu)勢(shì).........................................-21-GaN產(chǎn)業(yè)鏈：海外企業(yè)為主，
5、國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步涉足.....................................-22-GaN市場(chǎng)：射頻是主戰(zhàn)場(chǎng)，5G是重要機(jī)遇..............................................-24-重要GaN企業(yè)梳理...................................................................................-26-投資建議...................................
6、.........................................................................-29-風(fēng)險(xiǎn)提示............................................................................................................-30-圖1：硅材料面臨諸多性能限制.-6-圖2：半導(dǎo)體材料特性對(duì)比...............................
7、...................................................-6-圖3：半導(dǎo)體材料與器件發(fā)展史..........................................................................-6-圖4：SiC、GaN與Si性能差異...........................................................................-7-圖5：SiC、GaN與Si各
8、有優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域....................................................................-7-圖6：SiC與GaN處于穩(wěn)步爬升的光明期.............................................................-8-圖7：三種不同的SiC結(jié)構(gòu).................................................
