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1、第三講:載帶自動焊(TapeAutomatedBonding簡稱TAB)TAB和WB(WireBonding)相比的優(yōu)點:1.結(jié)構(gòu)輕、薄、短、小,封裝高度不足1mm2.電極尺寸、電極與焊區(qū)節(jié)距比引線鍵合大為減小3.引線電阻、電容和電感小4.方便芯片測試5.TAB采用Cu箔引線,導熱和導電性能好,機械強度高6.引線鍵合的強度一般為0.05~0.1N/點,TAB比引線鍵合高3~10倍,0.3~0.5N/點,從而提高可靠性7.易于大規(guī)模自動化生產(chǎn)。單層載帶:Cu的厚度35~70μm,另外,鋁、鋼、42合金也可
2、作為基體材料。特點是成本低,制作工藝簡單,耐熱性能好,不能篩選和測試芯片。雙層載帶:聚酰亞胺液體薄膜(12μm)涂覆在35μm厚的銅箔上或者依次濺射鉻和銅到厚度為50~75μm的聚酰亞胺膜上。特點是可彎曲,成本較低,設(shè)計自由靈活,可制作高精度圖形,能篩選和測試芯片,帶寬為35mm時尺寸穩(wěn)定性差。三層載帶:銅箔(厚度18~75μm),粘接劑(厚度18μm左右)和聚酰亞胺(厚度75~125μm)構(gòu)成。特點是Cu箔與PI粘接性能好,可制作高精度圖形,可轉(zhuǎn)繞,適于批量生產(chǎn),能篩選和測試芯片,制作工藝較復雜,成本
3、較高?;鶐Р牧希阂蟾邷匦阅芎?,與Cu箔的粘接性好,熱匹配性能好,收縮率小且尺寸穩(wěn)定,抗化學腐蝕性強,機械強度高。吸水率低。聚酰亞胺(PI)金屬材料:一般采用Cu箔,因為Cu的導電導熱性能好,強度高,延展性好,與各種基帶粘接牢固,易于加工精細復雜引線圖形,又易于電鍍Au、Ni、Pb-Sn等易焊接金屬。凸點的金屬材料:UBM:UnderBumpMetalization凸點下金屬化電鍍后一般要退火(<200oC):消除電鍍中因吸H2而造成的應(yīng)力,可避免Sn須的生長。雙層不采用減法工藝。因為PI固化后會收縮,
4、導致尺寸精度和粘接強度問題形成凸點的目的:1.為不同的芯片連接工藝提供合適的焊接材料2.提供托腳以防止引線指與芯片邊緣短路3.焊點起形變緩沖作用。分:帶凸點的載帶和帶凸點的芯片兩種。形狀分為:蘑菇狀和柱狀凸點。凸點高度:通常20~30微米。成分:Au、Ni、Cu帶凸點的載帶:轉(zhuǎn)移凸點的載帶:組合鍵合、單點鍵合熱壓焊、熱聲焊、共晶/焊料/熱氣焊、激光焊、激光超聲焊熱壓焊:主要鍵合參數(shù)為溫度壓力和鍵合時間。組合鍵合通常采用恒溫加熱和脈沖加熱法。恒溫加熱體采用低熱脹合金:鐵鈷鎳合金、不銹鋼/鎢合金、金剛石、立
5、方氮化硼。脈沖加熱體:鉬或鈦刀口要求環(huán)氧樹脂的粘度低,流動性好,應(yīng)力小且氯離子和α粒子含量小。各向異性導電膜:應(yīng)用于焊接受限情況:如LCD封裝作用:可將TAB外引線和ITO(銦-錫氧化物)連接到玻璃基板上。組成:是由均勻散布在環(huán)氧樹脂粘接劑中的高導電性細金屬顆粒如鎳、金或碳等組成,也可由鍍涂導電材料的塑料欣組成。性質(zhì):在壓力下,只在垂直方向?qū)щ娔ぶ械念w粒尺寸和分布非常嚴格,以免水平方向顆粒間短路。第四講:倒裝芯片技術(shù)(FlipChipTechnology)優(yōu)點:1.互連線很短,互連產(chǎn)生的電容、電阻電感比
6、引線鍵合和載帶自動焊小得多。從而更適合于高頻高速的電子產(chǎn)品。2.所占基板面積小,安裝密度高??擅骊嚥季?,更適合于I/O數(shù)的芯片使用。3.簡化安裝互連工藝,快速、省時,適合于工業(yè)化生產(chǎn)。缺點:1.芯片上要制作凸點,增加了工藝難度和成本。2.焊點檢查困難。3.倒裝焊同各材料間的匹配所產(chǎn)生的應(yīng)力問題需要解決。