FLASH芯片種類與區(qū)別

FLASH芯片種類與區(qū)別

ID:47854601

大?。?4.42 KB

頁數(shù):6頁

時間:2019-11-28

FLASH芯片種類與區(qū)別_第1頁
FLASH芯片種類與區(qū)別_第2頁
FLASH芯片種類與區(qū)別_第3頁
FLASH芯片種類與區(qū)別_第4頁
FLASH芯片種類與區(qū)別_第5頁
資源描述:

《FLASH芯片種類與區(qū)別》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫

1、Flash芯片的種類與區(qū)別一、IICEEPROMIICEEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議。IIC通信協(xié)議具有的特點:簡單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA),一條串行時鐘線(SCL);串行半雙工通信模式的8位雙向數(shù)據(jù)傳輸,位速率標(biāo)準(zhǔn)模式下可達100Kbit/s;一種電可擦除可編程只讀存儲器,掉電后數(shù)據(jù)不丟失,由于芯片能夠支持單字節(jié)擦寫,且支持擦除的次數(shù)非常之多,一個地址位可重復(fù)擦寫的理論值為100萬次,常用芯片型號有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等,其常見的封裝多為DIP8,SOP8,TSSOP8等;?二、SPINorFlashSPINorFlash,采用的是S

2、PI通信協(xié)議。有4線(時鐘,兩個數(shù)據(jù)線,片選線)或者3線(時鐘,兩個數(shù)據(jù)線)通信接口,由于它有兩個數(shù)據(jù)線能實現(xiàn)全雙工通信,因此比IIC通信協(xié)議的IICEEPROM的讀寫速度上要快很多。SPINorFlash具有NOR技術(shù)FlashMemory的特點,即程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上,擁有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線,能快速隨機讀取,允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行;可以單字節(jié)或單字編程,但不能單字節(jié)擦除,必須以Sector為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作,在對存儲器進行重新編程之前需要對Sector或整片進行預(yù)編程和擦除操作。NorFlash在擦寫次數(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)達不到IICEEPROM,并且由于

3、NOR技術(shù)FlashMemory的擦除和編程速度較慢,塊尺寸又較大,因此擦除和編程操作所花費的時間會很長;但SPINorFlash接口簡單,使用的引腳少,易于連接,操作方便,并且可以在芯片上直接運行代碼,其穩(wěn)定性出色,傳輸速率高,在小容量時具有很高的性價比,這使其很適合應(yīng)于嵌入式系統(tǒng)中作為FLASHROM,所以在市場的占用率非常高。常見到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型號都是SPINorFlash,其常見的封裝多為SOP8,SOP16,WSON8,US0N8,QFN8、BGA24等。?三、ParallelNorFalsh(CFIFlash)ParallelNor

4、Falsh,也叫做并行NorFlash,采用的Parallel接口通信協(xié)議。擁有獨立的數(shù)據(jù)線和地址總線,它同樣繼承了NOR技術(shù)FlashMemory的所有特點;由于采用了Parallel接口,ParallelNorFalsh相對于SPINorFlash,支持的容量更大,讀寫的速度更快,但是由于占用的地址線和數(shù)據(jù)線太多,在電路電子設(shè)計上會占用很多資源。ParallelNorFalsh讀寫時序類似于SRAM,只是寫的次數(shù)較少,速度也慢,由于其讀時序類似于SRAM,讀地址也是線性結(jié)構(gòu),所以多用于不需要經(jīng)常更改程序代碼的數(shù)據(jù)存儲。常見到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF02

5、0等型號都是ParallelNorFlash,其常見的封裝多為TSSOP32、TSOP48、BGA64,PLCC32等。?四、ParallelNandFlashParallelNandFlash同樣采用了Parallel接口通信協(xié)議,NandFlash在工藝制程方面分有三種類型:SLC、MLC、TLC。NandFlash技術(shù)FlashMemory具有以下特點:以頁為單位進行讀和編程操作,以塊為單位進行擦除操作;具有快編程和快擦除的功能,其塊擦除時間是2ms,而NOR技術(shù)的塊擦除時間達到幾百ms;芯片尺寸小,引腳少,是位成本(bitcost)最低的固態(tài)存儲器;芯片包含有壞塊,其數(shù)目取決于

6、存儲器密度。壞塊不會影響有效塊的性能,但設(shè)計者需要有一套的壞塊管理策略!對比ParallelNorFalsh,NandFlash在擦除、讀寫方面,速度快,使用擦寫次數(shù)更多,并且它強調(diào)更高的性能,更低的成本,更小的體積,更大的容量,更長的使用壽命。這使NandFlash很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等,在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。其主要用來數(shù)據(jù)存儲,大部分的U盤都是使用NandFlash,當(dāng)前NandFlash在嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用仍然極為廣泛,因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通過軟件進行完善。常見到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4

7、G08ABADA等型號都是ParallelNandFlash,其常見的封裝多為TSOP48、BGA63、BGA107,BGA137等。五、SPINandFlashSPINandFlash,采用了SPINorFlash一樣的SPI的通信協(xié)議,在讀寫的速度上沒什么區(qū)別,但在存儲結(jié)構(gòu)上卻采用了與ParallelNandFlash相同的結(jié)構(gòu),所以SPInand相對于SPInorFlash具有擦寫的次數(shù)多,擦寫速度快的優(yōu)勢,但是在使用以及使用過程中會同樣

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。