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1、2016年7月建材與裝飾經(jīng)濟(jì)·管理·綜述淺析高純鍺γ譜儀操作方法盧翔丁泮魯磊（海南核電有限公司海南省昌江縣572700）摘要：我過(guò)環(huán)保輻射系統(tǒng)中使用的最多γ譜儀是高純鍺γ譜儀，本文主要介紹了高純鍺γ譜儀的組成、能量刻度、效率刻度操作和數(shù)據(jù)處理分析。關(guān)鍵詞：電高純鍺γ譜儀；刻度；數(shù)據(jù)分析中圖分類號(hào)：O571.33文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1673-0038（2016）30-0175-021概述儀器的標(biāo)準(zhǔn)源必須和待測(cè)樣品的形態(tài)保持一致，包括包容標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境樣品放射性核素含量測(cè)量的γ能譜儀按探測(cè)器主要可源和樣品的介質(zhì)、標(biāo)準(zhǔn)源和樣品的幾何形狀、標(biāo)準(zhǔn)源和樣品與探分為：是高純鍺（
2、HPGe）γ譜儀，是碘化鈉（NaI）γ譜儀。高純鍺測(cè)器的相對(duì)位置等；同時(shí)還要確定標(biāo)準(zhǔn)源和樣品的核素組成；系（HPGe）γ譜儀能量分辨率高、線性好。碘化鈉（NaI）γ譜儀較之則統(tǒng)的刻度分為能量刻度和效率刻度，首先要進(jìn)行能量刻度，然后探測(cè)效率高，但能量分辨率較差，在分析核素較多、譜線較復(fù)雜才能進(jìn)行效率刻度。的樣品時(shí)則難以勝任。因此，高純鍺（HPGe）γ譜儀是γ射線能譜3.3.2能量刻度分析的重要設(shè)備，特別是在中子活化分析和能量分辨率要求較（1）γ譜儀的能量刻度是指確定能譜中多道分析器的道址與高的γ能譜分析場(chǎng)合，它是必不可少的儀器。γ射線能量的關(guān)系，也就是利用已知能量
3、的γ放射源測(cè)出對(duì)應(yīng)能量的峰位，然后作出能量和峰位（道址）的關(guān)系曲線。2高純鍺（HPGe）γ譜儀工作原理γ射線在探頭中沉積能量，形成電壓脈沖，電壓脈沖經(jīng)線性放大、A/D轉(zhuǎn)換等處理后，被計(jì)算機(jī)系統(tǒng)采集。γ射線沉積的能量在閃爍體中變成熒光放出，熒光在光電倍增管的光陰極上打出電子，而后被放大形成電壓脈沖。γ光子沉積的能量多，探頭輸出的脈沖幅度越大。微機(jī)多道系統(tǒng)分析脈沖的高度分布，就可以得出γ射線在閃爍體中沉積的能量的分布，這就是閃爍體能譜儀測(cè)到的γ能譜。3系統(tǒng)的使用3.1系統(tǒng)的組成本儀器主要由CANBERRA的HPGe（N型同軸）探測(cè)器、圖1LYNX、γ譜儀、鉛屏蔽室、
4、電液氮混合冷卻設(shè)備、Genie2000操作（2）有了這樣的能量刻度，測(cè)到的峰位就可以找出射線能量。系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)。（3）一般能量刻度至少包括5個(gè)不同的能量，并且所選的能3.2工作條件量應(yīng)該盡量均勻覆蓋所研究的能區(qū)。適用于能量和效率刻度的電源：100~240V交流，50/60Hz；常用核素及主要核素為241Am、133Ba、65Zn、60Co、152Eu、40K電壓范圍：90~265V交流，47~63Hz；等。儀器操作環(huán)境溫度：20±2℃；典型的能量刻度曲線近似為一條直線，對(duì)HpGeγ譜儀能量操作環(huán)境濕度：5~80%相對(duì)濕度，無(wú)冷凝?？潭惹€一般為2次曲線，能量曲線
5、一般是根據(jù)測(cè)量要求對(duì)能3.3操作方法量-道址（峰位）作最小二乘擬合得到，如果譜儀穩(wěn)定，在連續(xù)工3.3.1刻度前準(zhǔn)備作情況下，一般不需要經(jīng)常作能量刻度，但當(dāng)發(fā)現(xiàn)或懷疑譜儀不在譜儀刻度之前，必須進(jìn)行以下工作：穩(wěn)定時(shí)則需重新作能量刻度。根據(jù)樣品活度大小、形態(tài)確定放射性樣品的測(cè)量方式，刻度3.3.3效率刻度!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!進(jìn)度、安全性、經(jīng)濟(jì)性等方面的提升至關(guān)重要，應(yīng)在不斷完善的[2]鐘敏.論加強(qiáng)施工現(xiàn)場(chǎng)管理的途徑及其重要性[J].科技資訊，2006（6）.同時(shí)積極推廣。收稿日期：2016-7
6、-3參考文獻(xiàn)[1]胡建明.加強(qiáng)施工現(xiàn)場(chǎng)管理的思考[J].商業(yè)文化，2008（7）.·175·經(jīng)濟(jì)·管理·綜述建材與裝飾2016年7月（1）γ譜儀的效率刻度，宜用單能γ源。Sum/Non-LinearLeastSquaresFitPeakArea；（2）HpGeγ譜儀也可以選用發(fā)射多種能量的γ射線源，也可④選中Analyze下拉菜單中的本底扣除修正（AreaCorrec－用混合核素的γ源，刻度時(shí)要進(jìn)行符合相加修正，相對(duì)測(cè)量方tion），在打開(kāi)窗口中點(diǎn)擊Select，選擇本底譜文件（本底譜的尋峰法。和峰面積分析方法必須與樣品譜一致）；（3）在進(jìn)行體源效率刻度時(shí)，選擇
7、的刻度源，必須滿足要求，⑤選中Analyze下拉菜單中的效率修正（EfficiencyCorrec－但由于在γ譜分析中，被測(cè)量的介質(zhì)種類繁多，不可能把每種介tion）推薦參數(shù)為Dual；（效率校正類型必須與效率刻度時(shí)一致）；質(zhì)都選作刻度源介質(zhì)，所以在實(shí)際應(yīng)用中，即使介質(zhì)差異較大，⑥選中Analyze下拉菜單中的核素識(shí)別（NID）推薦參數(shù)為也可通過(guò)自吸收改正得到較準(zhǔn)確的結(jié)果。NIDwithInterferenceCorrection；在打開(kāi)窗口中NIDLibrary欄點(diǎn)擊select選擇已定義的核素庫(kù)文件；圖23.4樣品分析圖5（1）在主菜單中選擇在edit菜單下
8、選editsample，
