光電子材料與器件 題庫.doc

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1、《光電子材料與器件》題庫選擇題:1.如下圖所示的兩個原子軌道沿z軸方向接近時，形成的分子軌道類型為(A)(A)(B)(C)(D)2.基于分子的對稱性考慮，屬于下列點群的分子中不可能具有偶極矩的為（C）（A）Cn（B）Cnv（C）C2h（D）Cs3.隨著溫度的升高，光敏電阻的光譜特性曲線的變化規(guī)律為（B）。（A）光譜響應(yīng)的峰值將向長波方向移動（B）光譜響應(yīng)的峰值將向短波方向移動（C）光生電流減弱（D）光生電流增強4.利用某一CCD來讀取圖像信息時，圖像積分后每個CCD像元積聚的信號在同一時刻先轉(zhuǎn)移到遮光的并行讀出

2、CCD中，而后再轉(zhuǎn)移輸出。則該CCD的類型為（B）（A）幀轉(zhuǎn)移型CCD（B）線陣CCD（C）全幀轉(zhuǎn)移型CCD（D）行間轉(zhuǎn)移CCD5.對于白光LED器件，當(dāng)LED基片發(fā)射藍光時，其對應(yīng)的熒光粉的發(fā)光顏色應(yīng)該為（D）（A）綠光（B）紫光（C）紅光（D）黃光6.在制造高效率太陽能電池所采取的技術(shù)和工藝中，下列不屬于光學(xué)設(shè)計的為（C）（A）在電池表面鋪上減反射膜;（B）表面制絨;（C）把金屬電極鍍到激光形成槽內(nèi);（D）增加電池的厚度以提高吸收7.電子在原子能級之間躍遷需滿足光譜選擇定則，下列有關(guān)躍遷允許的表述中，不正確

3、的是（B）：（A）總角量子數(shù)之差為1（B）主量子數(shù)必須相同（C）總自旋量子數(shù)不變（A）內(nèi)量子數(shù)之差不大于28.物質(zhì)吸收一定波長的光達到激發(fā)態(tài)之后，又躍遷回基態(tài)或低能態(tài)，發(fā)射出的熒光波長小于激發(fā)光波長，稱為（B）。（A）斯托克斯熒光（B）反斯托克斯熒光（C）共振熒光（D）熱助線熒光9.根據(jù)H2+分子軌道理論，決定H原子能否形成分子的主要因素為H原子軌道的（A）（A）交換積分（B）庫侖積分（C）重疊積分（D）置換積分10.下列軌道中，屬于分子軌道的是（C）（A）非鍵軌道（B）s軌道（C）反鍵軌道（D）p軌道11.N

4、2的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，其原因是由于分子中存在（D）（A）強σ鍵（B）兩個π鍵（C）離域的π鍵（D）三鍵12.測試得到某分子的光譜處于遠紅外范圍，則該光譜反映的是分子的（B）能級特性。（A）振動（B）轉(zhuǎn)動（C）電子運動（D）電聲子耦合13．下列的對稱元素中，所對應(yīng)的對稱操作屬于虛動作的是（C）（A）C3（B）E（C）σh（D）C614.某晶體的特征對稱元素為兩個相互垂直的鏡面，則其所處的晶系為（C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）單斜晶系15.砷化鎵是III-V族化合物半導(dǎo)體，它的晶體結(jié)構(gòu)是（D　

5、）。（Ａ）NaCl結(jié)構(gòu)（B）纖鋅礦結(jié)構(gòu)（C）鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（D）閃鋅礦結(jié)構(gòu)16.原子軌道經(jīng)雜化形成分子軌道時，會發(fā)生等性雜化或非等性雜化。下列物質(zhì)中化學(xué)鍵屬于不等性雜化的是（B）。（A）CH4（B）H2O（C）石墨烯（D）金剛石17.關(guān)于金屬的特性，特魯?shù)履Ｐ筒荒艹晒忉尩氖牵ˋ）（A）比熱（B）歐姆定律（C）電子的弛豫時間（D）電子的平均自由程18.下列有關(guān)半導(dǎo)體與絕緣體在能帶上的說法中，正確的是（B）。（A）在絕緣體中，電子填滿了所有的能帶（B）在0K下，半導(dǎo)體中能帶的填充情況與絕緣體是相同的（C）半導(dǎo)體中禁帶

6、寬度比較大（D）絕緣體的禁帶寬度比較小19.在非本征半導(dǎo)體中，載流子（電子和空穴）的激發(fā)方式為（B）？（A）電（B）熱（C）磁（D）摻雜20．在P型半導(dǎo)體材料中，雜質(zhì)能級被稱之為（C）。（A）施主能級（B）深陷阱能級（C）受主能級（D）淺陷阱能級21.對于自然界中鮮花的顏色，以下因素不起決定作用的是（B）。（A）太陽光的強弱（B）光的吸收（C）光的反射（C）光的透射22.下列有關(guān)載流子遷移率的說法，錯誤的是（C）（A）遷移率的大小反映了施加電場影響載流子運動的強度（B）對于某一特定材料，遷移率由平均自由時間決定

7、（C）輕摻雜材料中，晶格振動散射對遷移率的影響可以忽略（D）非輕摻雜材料中，高溫時晶格振動散射是影響遷移率的主要因素23.下列關(guān)于半導(dǎo)體材料中費米能級位置的正確的說法是（B）（A）P型半導(dǎo)體中，費米能級靠近導(dǎo)帶（B）在熱平衡下，PN結(jié)兩邊的半導(dǎo)體具有同一條費米能級（C）N型半導(dǎo)體中，費米能級靠近價帶（D）在外加電壓下，PN結(jié)兩邊的半導(dǎo)體具有同一條費米能級24.下列半導(dǎo)體對光的吸收作用中，吸收波長位于本征吸收波長閾值短波側(cè)的是（D）。（A）激子吸收（B）自由載流子吸收（C）雜質(zhì)吸收（D）基質(zhì)吸收25.高溫下半導(dǎo)體

8、材料中的雜質(zhì)已完全電離，此時若升高溫度，則材料的電阻率的變化趨勢是（C）。（A）升高（B）不變（C）下降（D）先升高后下降26.紅寶石激光器屬于（A）A.固體激光器B.氣體激光器C.液體激光器D.染料激光器27.半導(dǎo)體激光器的縮寫是（B）A.LEDB.LDC.LCDD.ELD28.下列激光器屬于氣體激光器的是（B）A.摻釹釔鋁石榴石激光器B.Ar+激光器C.GaAs半導(dǎo)體激光器D.光解