簡(jiǎn)要分析湯遜理論與流注理論對(duì)氣體放電過(guò)程.doc

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1、習(xí)題1第36頁(yè)1.簡(jiǎn)要分析湯遜理論與流注理論對(duì)氣體放電過(guò)程、電離因素以及自持放電條件的觀點(diǎn)有何不同？答：湯遜理論理論實(shí)質(zhì)：電子碰撞電離是氣體放電的主要原因，二次電子來(lái)源于正離子撞擊陰極使陰極表面逸出電子，逸出電子是維持氣體放電的必要條件。所逸出的電子能否接替起始電子的作用是自持放電的判據(jù)。流注理論認(rèn)為形成流注的必要條件是電子崩發(fā)展到足夠的程度后，電子崩中的空間電荷足以使原電場(chǎng)明顯畸變，流注理論認(rèn)為二次電子的主要來(lái)源是空間的光電離。2.解釋?duì)痢ⅵ隆ⅵ?、η系?shù)的定義。答：α系數(shù)：它代表一個(gè)電子沿著電

2、場(chǎng)方向行徑1cm長(zhǎng)度，平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。β系數(shù)：一個(gè)正離子沿著電場(chǎng)方向行徑1cm長(zhǎng)度，平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。γ系數(shù)：表示折合到每個(gè)碰撞陰極表面的正離子，使陰極金屬平均釋放出的自由電子數(shù)。η系數(shù)：即一個(gè)電子沿電場(chǎng)方向行徑1cm時(shí)平均發(fā)生的電子附著次數(shù)。3.均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)氣隙放電特性有何不同？答：在均勻電場(chǎng)中，氣體間隙內(nèi)流注一旦形成，放電達(dá)到自持的程度，氣隙就被擊穿。不均勻電場(chǎng)分稍不均勻和極不均勻，在同樣極間距離時(shí)稍不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓比均勻電場(chǎng)的均勻電場(chǎng)氣隙的要低，在極不均勻電場(chǎng)氣

3、隙中自持放電條件即是電暈起始條件，由發(fā)生電暈至擊穿的過(guò)程還必須升高電壓才能完成。4.對(duì)極間距離相同的正極性棒-板、負(fù)極性棒-板、板-板、棒-棒四種電極布局的氣隙直流放電電壓進(jìn)行排序？答：負(fù)極性棒-板最高，其次是棒-棒和板-板，最小的是正極性棒-板。5.氣隙有哪些放電現(xiàn)象？答：在極不均勻電場(chǎng)中，氣隙完全被擊穿以前，電極附近會(huì)發(fā)生電暈放電，產(chǎn)生暗藍(lán)色的暈光，這種特殊的暈光是電極表面電離區(qū)的放電過(guò)程造成的。在外電離因素和電場(chǎng)作用下，產(chǎn)生了激發(fā)、電離、形成大量的電子崩，在此同時(shí)也產(chǎn)生激發(fā)和電離的可逆過(guò)程

4、-復(fù)合，這就是電暈。6.如何提高氣隙的放電電壓？答：一是改善氣隙中的電場(chǎng)分布，使之均勻化，二是設(shè)法削弱或抑制氣體介質(zhì)中的電離過(guò)程。7.簡(jiǎn)述絕緣污閃的發(fā)展過(guò)程及防污措施。答：絕緣子污閃是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，大體可分為積污、受潮、干區(qū)形成、局部電弧的出現(xiàn)和發(fā)展等階段，采用措施抑制或阻止各階段的形成和轉(zhuǎn)化，就能有效地阻止污閃事故。防污措施：1.增大爬電比距2.清掃表面積污3.用防污閃涂料處理表面4.采用半導(dǎo)體釉和硅橡膠的絕緣子。8.雷擊放電過(guò)程與實(shí)驗(yàn)室的長(zhǎng)氣隙放電過(guò)程有何主要區(qū)別？答：雷擊放電與實(shí)驗(yàn)室的長(zhǎng)

5、間隙火花放電有著某些共同之處。但由于雷電路徑往往達(dá)數(shù)千米，是一種超長(zhǎng)間隙的火花放電，而且作為電極的雷云，它不是一個(gè)金屬極板，因此，雷電又不同于實(shí)驗(yàn)室中的長(zhǎng)間隙放電，它具有多次重復(fù)雷擊現(xiàn)象和特點(diǎn)。一次雷擊的三個(gè)階段:先導(dǎo)階段、主放電和迎面流注階段、余輝階段。當(dāng)先導(dǎo)接近地面時(shí)，因周圍電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到了能使空氣電離的程度，在地面或突出的接地物體上形成向上的迎面先導(dǎo)（也稱迎面流注）。當(dāng)它與下行先導(dǎo)相遇時(shí)，進(jìn)入了第二個(gè)階段也就是主放電階段，出現(xiàn)了強(qiáng)烈的電荷中和過(guò)程，伴隨著雷鳴和閃光。n主放電完成后,云中剩余電

6、荷沿導(dǎo)電通道流向大地，這一階段稱為放電的余輝（或余光）階段，電流約數(shù)百安，持續(xù)時(shí)間0.03s~0.15s.