低維硅納米結(jié)構(gòu)的制備及其性能研究.pdf

《低維硅納米結(jié)構(gòu)的制備及其性能研究.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。

1、、－古一．＿＝￣——－？＾二ｉ＼Ａ，鴻磚．－攻Ｘ■Ｌ疾、—－．＇ｒＡ？．．皆＝Ｉ‘？與＝三、寺、、＇’’，ｊ；．：：１０２９３／．：?jiǎn)挝淮a?zhēng)Ъ?jí)背＿．一。．＇？；—Ｖ．，？—＿＿＇．＇．個(gè)＇．＇；八＇＇．．ｆ爭(zhēng)．個(gè)；ｆ了乃也．；＇．：心．］；米＿Ｍ．碩女＃僅俗戈‘部：飛聲ｌｌ布－左命《＾方．．賴祖＇＞曜－…‘、；ｙ人，Ｖ：人；．、濟(jì)‘．粒．．．－其－’－Ｖｖ氣；論文題目；低維娃納

2、米結(jié)構(gòu)的制備及其性能研究、？？Ｉ、－＇？＇＊－ｉＶ、—＇Ｖ令山’、．＾心＇．Ｖ＾．＾巧蒂葵—一？ｒ．‘，‘１０１２０２０８０４Ｙ學(xué)號(hào)；’，．－．．．姓胡明月：名導(dǎo)師＞微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科專業(yè)．讓Ｉ化：，４；半導(dǎo)體納米材料硏究方向工學(xué)碩±申請(qǐng)學(xué)位類別２０１５年４＿Ｊ論文提交日期南京郵電大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取巧的研究成果

3、。盡我所知，除了文中特別加示法和致謝的地方外，論文中小包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過。的研究成果，也不包含為獲得南京郵電大學(xué)或其它教行機(jī)構(gòu)的學(xué)位或巧書而使用過的材料與我＾同工作的同志對(duì)本硏究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并衷示了謝意。一。本人學(xué)位論文及涉及相關(guān)資料若有不實(shí)，愿窓承擔(dān)切相關(guān)的法律貴任．；Ｍ）ＩＳ４．Ｉ研究生簽名日期；，＿Ｉ南京郵電大學(xué)學(xué)位推文使用授權(quán)聲明本人授權(quán)南京郵電大學(xué)可站保留并向國(guó)家有關(guān)部口或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子文檔；Ｌ＾允許論文被查閱和借

4、閱；；可ッ將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索可斗采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編本學(xué)位論文。本文電子文檔的內(nèi)容和紙質(zhì)論文一致的內(nèi)容相。論文的公布（包括刊登）授權(quán)甫京郵電大學(xué)研究生院辦理。涉密學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書。研巧生簽名：：導(dǎo)師簽名；日期瑪聽馬ｊ各PropertiesandFabricationofLow-dimensionalSiliconNanostructuresThesisSubmittedtoNanjingUniversityofPostsand

5、TelecommunicationsfortheDegreeofMasterofEngineeringByHuMingyueSupervisor:Prof.LiWeiApril2015摘要低維Si半導(dǎo)體納米材料具有很多特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)，在光電子和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域都有很大的潛在應(yīng)用前景，因此，低維Si半導(dǎo)體納米材料成為了科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。在論文中主要制備和研究了兩種低維的Si納米結(jié)構(gòu)，一種是無序的Si量子，另一種是有序的Si納米柱。論文中主要以化學(xué)腐蝕方法制備出小尺寸Si量子點(diǎn)，通過TEM、XRD等測(cè)試手段對(duì)其結(jié)

6、構(gòu)和形貌進(jìn)行表征，TEM圖像表明制備所得的Si量子點(diǎn)平均尺寸為1.7nm，粒子平均密112度約為7.52×10顆/cm，XRD測(cè)試表明以化學(xué)腐蝕方法制備出的產(chǎn)物主要是不同晶面的Si量子點(diǎn)。通過PL譜對(duì)制備所得的Si量子點(diǎn)進(jìn)行光學(xué)性能分析，PL譜表明Si量子的水溶液在紫藍(lán)光區(qū)域表現(xiàn)出強(qiáng)的、穩(wěn)定的光致發(fā)光現(xiàn)象。PL分析與計(jì)算結(jié)果表明，Si量子點(diǎn)的可調(diào)諧藍(lán)光發(fā)射特性可歸因于量子限制效應(yīng)模型。在此基礎(chǔ)上以沉積的方法制備出納米晶Si固體薄膜，XPS分析表明納米晶Si固體薄膜表面的主要成分是硅元素。通過PL譜對(duì)制備所得的納

7、米晶Si固體薄膜進(jìn)行光學(xué)性能分析，PL譜分析表明制備出的納米晶Si固體薄膜在紫藍(lán)光區(qū)域可調(diào)諧發(fā)光，很好的保留了Si納米顆粒的原有屬性，其發(fā)光現(xiàn)象也可歸因于量子限制模型。同時(shí)還利用納米膠體晶體刻蝕方法制備出有序的Si納米柱陣列，通過SEM、AFM等測(cè)試手段對(duì)其結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征，SEM和AFM圖像表明制備所得的有序Si納米柱的平均尺寸為120nm。并以此納米Si柱為敏感層制備濕敏傳感器，對(duì)濕敏傳感器的性能研究表明以納米Si柱為敏感層的濕敏傳感器具有較高的靈敏度且響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間較短。關(guān)鍵詞:硅量子點(diǎn)，光致發(fā)光，量子

8、限制效應(yīng)，有序硅納米柱，傳感器IAbstractLow-dimensionalsiliconnanomaterialshaveattractedenoughattentionduetothemhaveavarietyofspecialpropertieswhichmakethemusefulintheareaofoptoelectronic,andbiomedicalapplicati