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1、*第十章紅外光譜一、概述Introduction二、紅外光譜基本原理PrinciplesofInfraredSpectroscopy三、特征基團(tuán)與吸收頻率FunctionalGroupandAbsorptionFrequency四、紅外光譜的解析應(yīng)用AnalysisofInfraredSpectroscopyInfraredSpectroscopy(IR)*一、概述紅外吸收光譜(IR)是一種分子振動-轉(zhuǎn)動光譜(吸收光譜),是由分子的振動-轉(zhuǎn)動能級間的躍遷而產(chǎn)生的。峰位峰強(qiáng)峰形IR判斷可能存在的官能團(tuán)推斷未知物結(jié)構(gòu)對于某一特定的官能團(tuán)和相關(guān)的化學(xué)鍵,不管分子中其他部分的結(jié)構(gòu)如何,它總是在相同
2、或幾乎相同的波數(shù)處產(chǎn)生特征的吸收譜帶,除光學(xué)異構(gòu)體及長鏈烷烴同系物外,幾乎沒有兩種化合物具有相同的IR譜圖。特征性強(qiáng)應(yīng)用范圍廣分析速度快樣品量少*波長(?m)波數(shù)(cm-1)近紅外區(qū):0.78~2.512820~4000中紅外區(qū):2.5~254000~400遠(yuǎn)紅外區(qū):25~300400~33絕大多數(shù)有機(jī)化合物紅外吸收波數(shù)范圍:4000~400cm-1用波長2.5~25?m,頻率4000~400cm-1的光照射樣品,引起分子內(nèi)振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷所產(chǎn)生的吸收光譜。紅外光譜的產(chǎn)生:紅外區(qū)域的劃分:*橫坐標(biāo):波長(μm)或波數(shù)(cm-1)(cm-1)=104/λ(μm)縱坐標(biāo):吸光度(A)或透光率(
3、T)多以百分透光率T%來表示*T=I/I0(遵守Lambert-Beer定律)A=lg(1/T)IR中,“谷”越深(T越?。?,吸光度越大,吸收強(qiáng)度越強(qiáng)。*二、紅外光譜基本原理滿足兩個(gè)條件:(1)輻射能滿足物質(zhì)產(chǎn)生振動能級躍遷所需的能量;(2)伴隨凈的偶極矩的變化。對稱分子:沒有偶極矩,輻射不能引起共振,無紅外活性。如:N2、O2、Cl2等。非對稱分子:有偶極矩,紅外活性。*分子振動方程雙原子分子的簡諧振動及其頻率化學(xué)鍵的振動類似于連接兩個(gè)小球的彈簧Hooke定律ABre平衡位置平衡位置伸伸縮振動頻率(折合質(zhì)量)K化學(xué)鍵的力常數(shù)(毫達(dá)因/埃)與鍵能和鍵長有關(guān)*表某些鍵的伸縮力常數(shù)K(毫達(dá)因/埃
4、)鍵類型—C?C—>—C=C—>—C-C—力常數(shù)15?179.5?9.94.5?5.6峰位2060cm-11690cm-11190cm-1化學(xué)鍵鍵強(qiáng)越強(qiáng)(即鍵的力常數(shù)K越大),原子折合質(zhì)量越小,化學(xué)鍵的振動頻率越大,吸收峰將出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū)。*伸縮振動化學(xué)鍵兩端的原子沿鍵軸方向作來回周期運(yùn)動對稱伸縮振動?s、非對稱伸縮振動?as鍵長有變化,鍵角無變化。彎曲振動(變形振動)使化學(xué)鍵的鍵角發(fā)生周期性變化的振動面內(nèi)彎曲振動?(剪式振動?、面內(nèi)搖擺?)面外彎曲振動?(面外搖擺?、扭曲振動?)分子中基團(tuán)的基本振動形式*1.由于,故紅外振動波數(shù):2.與C原子成鍵的其他原子隨著原子質(zhì)量的增加,m增加,相應(yīng)的
5、紅外振動波數(shù)減?。?.與H原子相連的化學(xué)鍵的紅外振動波數(shù),由于m小,均出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū),如:*面外搖擺?面內(nèi)搖擺?對稱伸縮振動?s非對稱伸縮振動?as扭曲振動?剪式振動?*非線性分子:3N-6(平動3、轉(zhuǎn)動3)線性分子:3N-5(平動3、轉(zhuǎn)動2)分子振動自由度分子總的自由度3N=平動自由度+轉(zhuǎn)動自由度+振動自由度原子在三維空間的位置可用x,y,z表示,即3個(gè)自由度。含N個(gè)原子的分子,分子自由度的總數(shù)為3N個(gè)。研究多原子分子時(shí),常把復(fù)雜振動分解為許多簡單的基本振動,這些基本振動數(shù)目稱為分子的振動自由度,簡稱分子自由度。*(1)峰位化學(xué)鍵的力常數(shù)K越大,原子折合質(zhì)量越小,鍵的振動頻率越大,吸收峰將
6、出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū)(短波長區(qū));反之,出現(xiàn)在低波數(shù)區(qū)(高波長區(qū))。(2)峰數(shù)峰數(shù)與分子自由度有關(guān)。無瞬間偶極距變化時(shí),無紅外吸收。(3)瞬間偶基距變化大,吸收峰強(qiáng);鍵兩端原子電負(fù)性相差越大(極性越大),吸收峰越強(qiáng)。(4)由基態(tài)躍遷到第一激發(fā)態(tài),產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)吸收峰,基頻峰。(5)由基態(tài)躍遷到第二激發(fā)態(tài)或更高激發(fā)態(tài),產(chǎn)生的弱的吸收峰,倍頻峰。峰位、峰數(shù)與峰強(qiáng)*電負(fù)性不同的取代基,通過靜電誘導(dǎo)效應(yīng),引起分子中電子分布的變化,改變了鍵的力常數(shù),使基團(tuán)頻率發(fā)生位移。1.誘導(dǎo)效應(yīng)(I效應(yīng))影響吸收譜帶位置的主要因素(內(nèi)部因素)I效應(yīng)推電子誘導(dǎo)效應(yīng)(+I效應(yīng))吸電子誘導(dǎo)效應(yīng)(-I效應(yīng))+I效應(yīng):如?C=O:隨著
7、取代基供電子性增大,+I效應(yīng)增加,使羰基雙鍵性降低,?C=O向低波數(shù)移動。HCOOHCH3COOHCH3(CH3)16COOH?C=O1739cm-11722cm-11703cm-1紅移*-I效應(yīng)如?C=O:隨著取代基電負(fù)性增大,-I效應(yīng)增加,使羰基雙鍵性增加(化學(xué)鍵力常數(shù)增加),?C=O向高波數(shù)移動。?C=O1715cm-11800cm-11828cm-11928cm-1?C=O1715cm-11735cm