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1、第30卷第4期礦冶工程V0l_30No42010年08月MININGANI)METALLURGICALENGINEERINGAugust2010Sn摻雜ZnO納米棒的制備及表征①童孟良，劉建輝。(1．湖南化工職業(yè)技術(shù)學院化工系，湖南株洲412004；2．湖南經(jīng)仕集團，湖南株洲412005)摘要：以zn(Ac)：·2H0和LiOH·H0作為反應物，加入一定量的SnCI·5H：O，以超聲輔助醇熱法制備出一系列不同sn摻雜濃度的ZnO納米棒。用XRD、TEM、FT—IR和EDX對所合成的樣品進行表征。結(jié)果表明醇熱18h的純ZnO晶體形態(tài)多為棒狀，粒徑分布均勻，長度在45Bill左右，且分散
2、性良好；而摻sn的ZnO納米棒的直徑和長度則隨著摻雜濃度的增大而增長。摻雜后的ZnO晶體仍為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，但隨著sn摻雜濃度的增大，晶體的結(jié)晶性降低。在室溫下對摻sn的ZnO樣品進行熒光光譜檢測，可以觀察到3個發(fā)射峰，包括：在400～410Bin處的紫色發(fā)射峰，在455～470nm藍色發(fā)射峰，在530nln附近的綠光發(fā)射峰；隨著sn摻雜濃度的增大，發(fā)射峰的強度逐漸降低。關(guān)鍵詞：ZnO納米棒；摻雜；超聲；醇熱法中圖分類號：TG115文獻標識碼：A．文章編號：0253—6099(2010)04—0098—03PreparationandCharacterizationofSn．dope
3、dZnONanorodsTONGMeng—liang，LIUJian．hui(1．DepartmentofChemicalEngineering，HunanChemicalVocationalandTechnicalCollege，Zhuzhou412004，Hunan，China；2，HunanJingshiGroup，Zhuzhou412005，Hunan，China)Abstract：ZnOnanorodswithdifferentSndopingconcentrationshavebeensynthesizedviaaultrasound··assistedalcohol·t
4、hermalmethodwithZn(Ac)2·2H2O，LiOH·H2OandSnC14·5H2Oasstartingmaterials．XRD，TEM，F(xiàn)F—IRandEDXwereemployedtocharacterizetheas—preparedsamples．Theresultsshowthatafter18halcoholthermalprocessingtheundopedZnOismostlyinthecrystalformofrodswithlengthabout45nm，uniformsizedistributionandgooddisper-sion．How
5、ever，thediameterandlengthoftheSn—dopedZnOnanorodsincreasewiththeenhancementofdopingconcen—tration．TheSn—dopedZnOisstillhexagonalwurtzitestructure，butitscrystallinitygraduallyreduceswiththeincreaseofdopingconcentration．ThefluorescencespectrumofZnOmeasuredatroomtemperatureshowsthreeemissionpeakso
6、ftheSn—dopedZnOnanorods，suchasavioletemissionpeakat400～410nm，abluepeakat455—470nmandagreenpeakatabout530nm．TheemissionintensityoftheSn—dopedZnOdecreasesgraduallywiththeincreaseofdopingcon—centration．Keywords：ZnOnanorod；doping；ultrasound；alcohol—thermalprocess氧化鋅是一種重要的多功能半導體材料，具有很的地位日益突出J。由于奇特的光
7、學和電學方面的高的導電、導熱性能和化學穩(wěn)定性及良好的紫外吸收性能，準一維ZnO納米材料(如納米棒、納米線)得到性能。同時室溫下氧化鋅具有很高的激子結(jié)合能了廣泛的研究4一J。制備一維ZnO納米材料的方法(60meV)，遠大于ZnSe(21meV)和GaN(25meV)的很多，可分為物理法和化學法』。物理方法有熔融激子結(jié)合能，使之成為最有潛在前景的紫外發(fā)光器件驟冷、濺射沉積、重離子轟擊和機械粉碎等，但因所需材料之一。自從1997年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的紫外光發(fā)射設(shè)備
