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1、LED製程簡(jiǎn)介?上游磊晶(EPI)?中游晶粒(ChipProcess)?下游封裝(Package)-1-LED磊晶上游LED磊晶上游磊晶方式?液相磊晶(LPE)?有機(jī)金屬氣相磊晶(MOCVD)?分子束磊晶(MBE)MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)亦稱(chēng)MOVPE,OMVPE,OMCVDMOCVD為L(zhǎng)ED業(yè)界主流機(jī)臺(tái)；其優(yōu)點(diǎn)為?磊晶速度快：4~5hr?量產(chǎn)能力佳：90片(紅),1~21片(藍(lán))?應(yīng)用領(lǐng)域廣：LED,LD,HBT設(shè)備：MOCVD攜帶氣體(CarrierGas)：H2MOCVD(Meta
2、lOrganicChemicalVaporDeposition)亦清管路或反應(yīng)腔氣體(PurgeGas)：稱(chēng)MOVPE,OMVPE,OMCVDN2-2-原料：?基板(Substrate)：GaAs,Sapphire,InP?有機(jī)金屬氣體(MO)如TMA,TMG,TMI?其它反應(yīng)氣體：NH3?氫化物(Hydride)如PH3,AsH3?摻質(zhì)如CP2Mg,DMZn,SiH4磊晶環(huán)境?高溫(750°C~1100°C)?低壓(10~100Torr)磊晶(Epitaxy)：於單晶基板上沿特定方向成長(zhǎng)單晶晶體，並控制其厚度及摻質(zhì)濃度?；?Substrate
3、)：支撐成長(zhǎng)之單晶薄膜，厚度約300~350m。摻質(zhì)(Doping)：摻入P型(N型)材料改變磊晶層中主要導(dǎo)電載子電洞(電子)濃度。發(fā)光層(Activelayer)：發(fā)光區(qū)，電子與電洞結(jié)合。緩衝層(Bufferlayer)：緩衝磊晶層與基板間因晶格差異而造成缺陷。-3--4-LED晶粒制作?電極蒸鍍：減少電極(金屬)與磊晶片(半導(dǎo)體)間接觸電阻。?金屬墊片：導(dǎo)線連結(jié)。?電極pattern：金屬電極促使電流擴(kuò)散，但僅能佔(zhàn)晶粒部份面積，以免擋住晶粒正面投射光。?切粒：2”磊晶片約切割成20,000個(gè)Chip-5--6-封裝目的?易搬運(yùn)、持取使用?環(huán)境
4、抵抗：溫度、?濕度及震動(dòng)?電性連結(jié)?光學(xué)結(jié)合：發(fā)光角度?熱傳導(dǎo)封裝製程?上銀膠→置晶?！蚓€→灌樹(shù)脂→硬烤成型整理﹕晶片中心2003.9.9-7-
