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《微機(jī)原理與接口課件9.ppt》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、《微機(jī)系統(tǒng)與接口》第四章半導(dǎo)體存儲器MEMORY主要內(nèi)容存儲介質(zhì)的類別和特點(ROM/RAM/FLASH)*半導(dǎo)體存儲器連接IBM-PC系列機(jī)MEM的內(nèi)存組織1微型計算機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖存儲器I/O接口輸入設(shè)備I/O接口數(shù)據(jù)總線DB控制總線CB地址總線AB輸出設(shè)備CPU2時鐘復(fù)位電路IO/MRDWRALEA19~A8AD7~AD0DENDT/RCPUCLKREADYRESETSTBOEDO8282DI鎖存器BA收發(fā)器OET8286ABRDWRDBRAMCSDBRDWRI/OPORTRDABDBROM譯碼器譯碼器
2、譯碼器8086/8088典型系統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器外部存儲器總線作用3存儲介質(zhì)的類別和特點存儲器（計算機(jī)實現(xiàn)大容量記憶功能的核心部件）?存儲記憶信息（按位存放）位(BIT)存放--具有記憶功能：應(yīng)用：程序/數(shù)據(jù)信息：讀寫/數(shù)據(jù)發(fā)生電路:(鎖存器/觸發(fā)器--寄存器UP內(nèi)部)磁:磁化光:凹坑(激光反射)性能:容量、存取速度、成本內(nèi)/外部存儲器與MPU接口:串/并行Serial/Parallel4半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo)容量=字?jǐn)?shù)(存儲單元數(shù))×字長==位數(shù)微機(jī)（8/16/32/64位字長）兼容8位機(jī)==>字節(jié)BYTE為
3、單位62C256：（256K）32K*8B27C010：1M（128K*8B）27C210：1M（64K*16B）最大存取時間訪問一次存儲器（對指定單元寫入或讀出）所需要的時間幾ns到幾百ns27C512-15?150nsPC100SDRAM-8:8ns,PC133SDRAM-7ns其它性能指標(biāo)可靠性、集成度、價格等5存儲器應(yīng)用結(jié)構(gòu)高速、昂貴低速、價廉寄存器高速緩存主存儲器次存儲器（盤）離線存儲器6半導(dǎo)體存儲器分類半導(dǎo)體存儲器Memory只讀存儲器ROM掩膜ROM可編程ROM（PROM）UV可擦除PROM（
4、EPROM）OTP-ROM(One-TimePROM)快閃ROM（FLASH-ROM:整片/塊）電可擦除PROM（E2PROM）（字節(jié)、頁）隨機(jī)存取存儲器RAM雙極型RAMMOS型RAMSRAM（雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器）DRAM（電容）SDRAMIRAM(EDO,SDRAM,DDR,RAMBUS….)NVRAM+SRAM+BATT根據(jù)運行時存?。ㄗx寫）過程的不同分類7靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）特點1.基本存儲電路主要由R—S觸發(fā)器構(gòu)成，其兩個穩(wěn)態(tài)分別表示存儲內(nèi)容為“0”或為“1”，電源供電?存入的數(shù)據(jù)才可以保存和
5、讀出，掉電?原存信息全部丟失?所謂“易失性”（volatile)。(相對非揮發(fā)Nonvolatile)2.一個基本存儲電路能存儲一位二進(jìn)制數(shù)，而一個八位的二進(jìn)制數(shù)則需八個基本存儲電路。一個容量為M×NB（如64K×8B）的存儲器則包含M×N個基本存儲電路。這些大量的基本存儲電路有規(guī)則地排列在一起便構(gòu)成了存儲體區(qū)分不同的存儲單元?每個單元規(guī)定一個地址號。8RAM單元工作原理(Select=1選中單元)Select=1&/Read=?鎖存輸入數(shù)據(jù)Select=1&/RD=0三態(tài)門開(輸出允許)存儲器讀操作數(shù)據(jù)總
6、線9RAM芯片簡化外部結(jié)構(gòu)地址線讀寫控制選擇芯片(允許)(一級譯碼)數(shù)據(jù)線(W位)選中2m個單元之一簡化RAM芯片I/O引腳(編碼信號)104*4RAM芯片例A0-An-1共n個編碼信號?2n個輸出狀態(tài)。11譯碼器(Decoder)將每個代碼譯成一個特定輸出的信號的電路---翻譯原意編碼器(encoder)若干{0,1}(按一定規(guī)律)排在一起,編程不同代碼的電路A0A1An-1(0….00)(0….01)(1….11)=>Decoder=>(<=Encoder<=)2n個輸出狀態(tài)n個編碼信號實際(大容量):
7、內(nèi)部(X/Y)雙譯碼或稱復(fù)合譯碼結(jié)構(gòu)。12HM6264參數(shù):8K*8B,100ns,50/100uA,55mA,2V(min)維持電壓RAM存儲器芯片舉例HM6264:256B*32*8B--X:8Y:5(A0-A3,A10))HM6116:16K位=2K*8B—X:7/Y4(A0-A3)21113SRAM芯片外圍電路組成地址譯碼器對外部地址信號譯碼，用以選擇要訪問的單元。n個地址信號譯碼max?2n個輸出狀態(tài)。A0-12?213，I/O0-78位，I/O電路：WE（WR）、OE（RD）、CE或CE（CS）
8、。關(guān)鍵：三態(tài)輸出/寫入鎖存14存儲器讀時序圖/WE為高電平有效數(shù)據(jù)指定地址15存儲器寫時序圖有效數(shù)據(jù)指定地址A0-A12(A19)16MPU系統(tǒng)時序8086存儲器讀時序8086存儲器寫時序CPU-MEM時序配合:請查手冊讀寫周期參數(shù)時序的產(chǎn)生：軟件指令(1)取指;(2)存儲器訪問(讀/寫）17由于有指令隊列的存在，在EU執(zhí)行指令的同時，BIU可取指令，即BIU和EU可處于并行工作狀態(tài)。取指取指取指取指取數(shù)取指等待
