微細(xì)加工(考點(diǎn)總結(jié)).doc

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1、微細(xì)加工(考點(diǎn)總結(jié))　　首先，要看相片里有個(gè)最后沒(méi)電的ppt,然后是一個(gè)對(duì)比的表格和圖片?！　〉谝徽挛⒓?xì)加工的基本方法微細(xì)加工技術(shù)是指制造【微小尺寸】【零件和圖案】的生產(chǎn)加工技術(shù)?！　∥⒓?xì)加工技術(shù)分為【單項(xiàng)】的微細(xì)加工技術(shù)和【系統(tǒng)】的微細(xì)加工技術(shù)?！　。ㄗ詈笠粋€(gè)多一個(gè)零）微細(xì)加工的范圍、特點(diǎn)和應(yīng)用微細(xì)加工技術(shù)的加工尺度范圍概念【上限尺度——亞毫米】機(jī)械切削直徑0.1mm,精度0.01mm的軟鋼軸，實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)吃刀深度在0.1mm以上進(jìn)行普通車削加工時(shí)，單位面積的切削阻力為196～294N／mm2；（有較多的位錯(cuò)缺陷）當(dāng)吃刀深度在50μ

2、m左右進(jìn)行微細(xì)銑削加工時(shí)，其值約為980N／mm2；（有較少的位錯(cuò)缺陷）當(dāng)吃刀深度在1μm以下進(jìn)行磨削加工時(shí)，則其阻力高達(dá)12740N／mm2?！　。ń咏鼰o(wú)位錯(cuò)缺陷）【下限尺度——納米】（濺射去除或鍍膜加工，原子或分子加工?！　。┪⒓?xì)加工與一般尺寸加工不同主要表現(xiàn)在精度表示方法不同一般尺寸加工的精度用其加工誤差與加工尺寸的比值來(lái)表示，這就是精度等級(jí)的概念(如?30H7)?！　≡谖⒓?xì)加工時(shí)，由于加工尺寸很小，需要用誤差尺寸的【絕對(duì)值】來(lái)表示加工精度，即用去除一塊材料的大小來(lái)表示，從而引入了【"加工單位"】的概念?！　≡谖⒓?xì)加工中，加工

3、單位可以小到分子級(jí)和原子級(jí)。　　加工機(jī)理不同微細(xì)加工時(shí)，由于切屑很小，切削在晶粒內(nèi)進(jìn)行，晶粒作為一個(gè)個(gè)不連續(xù)體而被切削。　　這與一般尺寸加工完全不同，一般尺寸加工時(shí)，由于吃刀量較大，晶粒大小可以忽略而作為一個(gè)連續(xù)體來(lái)看待?！　∫蚨Ｒ?guī)的切削理論對(duì)微細(xì)加工不適用?！　〖庸ぬ卣鞑煌话愠叽缂庸ひ垣@得一定的尺寸、形狀、位置精度為加工特征?！　《⒓?xì)加工則以分離或結(jié)合分子或原子為特征，并常以能量束加工為基礎(chǔ)，采用許多有別于傳統(tǒng)機(jī)械加工的方法進(jìn)行加工?！　∥⒓?xì)加工的應(yīng)用及分類微細(xì)加工技術(shù)最大的應(yīng)用領(lǐng)域是集成電路工業(yè)?！　〉c我們上述的加工方法

4、不同之處是它是主要利用【曝光】和【刻蝕】技術(shù)進(jìn)行的加工方式?！　≡诩呻娐饭I(yè)中現(xiàn)在如果沒(méi)有微細(xì)加工現(xiàn)在的情況是不可想象的，例如，一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)振蕩器，用電子管制造時(shí)其尺寸約5cm，造價(jià)數(shù)美元；而用微細(xì)加工則其尺寸只有15μm，造價(jià)只有千分之幾美分?！　∮捎诖嬖凇緜?cè)面刻蝕】，使刻蝕成的窗口常比光刻膠【窗口尺寸大些】?！　榱诵拚?，就要從設(shè)計(jì)值中減去【刻蝕余量】?！　】涛g余量的大小與【被加工材料、刻蝕液的種類及被加工材料的厚度】等許多因素有關(guān)，須用實(shí)驗(yàn)來(lái)確定?！　?cè)面“刻蝕”或【“鉆蝕”】現(xiàn)象側(cè)面刻蝕【越小】，刻蝕系數(shù)越【大】，則刻蝕部分

5、的側(cè)面【越陡】，因此【產(chǎn)品尺寸】的【精度就越穩(wěn)定】?！　〉诙挛⒓?xì)加工中的基本工藝在半導(dǎo)體發(fā)展的早期，首先使用的半導(dǎo)體材料是【鍺】，但它很快被硅取代了?！　∫?yàn)楣柙诖髿庵醒趸梢孕纬梢粚咏Y(jié)合力很強(qiáng)的透明的【氧化硅(SiO2)】薄膜，它可作【硅表面的保護(hù)層、電路間的絕緣介質(zhì)、以及作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜】?！　　旧榛墸℅aAs)】具有很高的【遷移率】，是一種重要的半導(dǎo)體材料?！　〉捎谏榛壴谏L(zhǎng)大的單晶和形成絕緣層方面還存在某些技術(shù)問(wèn)題，因此在目前的【微電子學(xué)中占統(tǒng)治地位的半導(dǎo)體材料仍然是硅】?！　C制作的流程框圖（文字說(shuō)明）1從單晶

6、棒切成單晶片2生成氧化膜3旋轉(zhuǎn)涂附光刻膠4投影曝光5顯影6刻蝕7摻雜8更新版圖重新轉(zhuǎn)移圖形9器件金屬互連10測(cè)試、標(biāo)記硅片11封裝半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理金屬是通過(guò)【自由電子】來(lái)導(dǎo)電的。　　但半導(dǎo)體導(dǎo)電除了依靠【電子】外還依靠【空穴】，所以半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型可分為【電子型(N型)和空穴型(P型)?！　　堪雽?dǎo)體的導(dǎo)電類型可以通過(guò)摻雜來(lái)進(jìn)行控制。　　【摻雜】是半導(dǎo)體器件制造工藝中一個(gè)最基本、最重要的方法?！　　纠蠋熚串?huà)】在一定的溫度下，晶體中的原子要作熱運(yùn)動(dòng)，價(jià)電子可以從原子熱運(yùn)動(dòng)中得到能量，從束縛的狀態(tài)變?yōu)樽杂蔂顟B(tài)，成為自由電子?！　∫怨铻槔齺?lái)

7、看看它的導(dǎo)電機(jī)理【當(dāng)一個(gè)價(jià)電子脫離硅原子核的束縛成為自由電子的同時(shí)，在它原來(lái)的地方由于缺少了一個(gè)價(jià)電子而留下一個(gè)空位，我們把這個(gè)空位稱為空穴。　　】因?yàn)楹送怆娮铀鶐У呢?fù)電荷總量等于原子核，現(xiàn)在由于少了一個(gè)價(jià)電子，這個(gè)原子就帶正電，也可以理解為留下的空位是帶正電荷?！　　镜沁@個(gè)空位不會(huì)總是空著的，因?yàn)猷徑膬r(jià)電子會(huì)跑過(guò)來(lái)填補(bǔ)?！　　苦徑脑幼吡艘粋€(gè)價(jià)電子后又出現(xiàn)了一個(gè)空位?！　∵@樣，【空位不斷地出現(xiàn)又不斷被填補(bǔ)?！　　俊驹谕怆妶?chǎng)的作用下，電子和空穴的定向運(yùn)動(dòng)能形成電流?！　∵@種能形成電流的導(dǎo)電電子和導(dǎo)電空穴稱為半導(dǎo)體中的載流子?！?/p>

8、　】這樣，半導(dǎo)體中除了電子的導(dǎo)電作用外還有空穴參加導(dǎo)電?！　　舅园雽?dǎo)體與金屬的導(dǎo)電機(jī)理是不一樣的。　　】光刻光刻是一種以【光復(fù)印圖形】和【材料腐蝕】相結(jié)合的表面精密加工技術(shù)。　　前者是使【掩膜圖形】復(fù)印到基片表面的【光刻膠】上，然后