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《GaSb基化合物半導(dǎo)體激光器件刻蝕工藝研究.pdf》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、分類號：rN205LDC：535密級：町公開編號：GaSb基化合物半導(dǎo)體激光器器件刻蝕工藝研究STUDY0FTHEETCHlNGTECHNOLOGYFORGaSb-BASEDLASER學(xué)位授于單位及代嶼：籃壹型工盔芏¨!j盟)學(xué)科專業(yè)g稱及代碼：壟主王摧!Q!Q31研究方問：堂皇士熊查丑墮旦申請學(xué)位羰別：亟±指導(dǎo)教帥：型國至塾援研咒生：董堡疊長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)一
2、生聲明本人鄭重聲明：所呈變的博士學(xué)位論文．(fGaSb基化臺物半導(dǎo)體激光器器件刻蝕工藝研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下．獨(dú)立進(jìn)行研
3、々E上作所默均的成小，障文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，率論文不包含任何其他個人或禁體已經(jīng)趾表或拱寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個人和集體，均d_{hZ中吼叫惋方式標(biāo)明。本人完全意_l}{到本聲明的法律結(jié)果山本人承擔(dān)。長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工，、學(xué)碩士、博1=_學(xué)位淪文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長春理工大學(xué)保留并向國家有關(guān)韶門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論之柏復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借詞。本人授權(quán)k春理工大學(xué)司以將扣學(xué)nr論文帕壘部或黼圩內(nèi)容編八霄關(guān)數(shù)掘
4、庫進(jìn)行降索．也叫采州暈j川．綿_：i_】_￡{啪‘i復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。指導(dǎo)導(dǎo)師簦名≯迅盈《—!!!生年壁J19___】摘要本論文在簡要介紹GaSb基化臺物半導(dǎo)體激光器及其器件工藝的發(fā)展現(xiàn)狀后，分析討論了Ifl前GaSb基材料的刻蝕工藝存在的問覷．并將其分為兩部分分別進(jìn)行研究：第一部分是GaSb基材料的臺面濕法刻蝕工藝條件的研究，第二部分是GaSb的化學(xué)機(jī)械拋光工藝研究。在第一部分中．本文主要對現(xiàn)有的GaSh基材料的濕法刻蝕工藝進(jìn)行了改進(jìn)。實(shí)驗(yàn)中分別利用鹽酸系和磷酸系腐蝕液對GaSb材料進(jìn)行
5、了臺面刻蝕的研宄。實(shí)驗(yàn)丹析表明，HCI／H!O!／CH3COOH和H3POdtt202／C4H06這兩種腐蝕液對GaSb材料都有較好的刻蝕效果．均可達(dá)到各向異性、臺面腐蝕形貌良好、腐蝕速率穩(wěn)定可控的濕法刻蝕條件，說明強(qiáng)酸，強(qiáng)氧化劑／弱酸的腐蝕液的組合可以很好地適用于GaSb基材料的刻蝕。其中．通過調(diào)整H；P04／H二O!／C4Hp6這一體系的組分，最大程度地消除了濕法刻蝕工藝中廣泛存在的下切效應(yīng)以及鉆蝕現(xiàn)象(即燕尾效應(yīng))．其表面粗糙度也明顯降低。第二部分主要根據(jù)化學(xué)機(jī)械拋光的工作機(jī)理以及參數(shù)特性，針
6、對GaSb基村料CMP的各項(xiàng)影口自因素進(jìn)行了分析并實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)表明GaSb材料的化學(xué)機(jī)械拋光遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于另兩種傳統(tǒng)拋光方法．井得出壓力與拋光效果的關(guān)系。使用酸性和堿性兩種拋光液實(shí)驗(yàn)后．發(fā)現(xiàn)經(jīng)酸性拋光液拋光的樣品在表面形貌以及表面粗糙度等參數(shù)上均比堿性的好：最后利用非離子表面活性劑優(yōu)化了堿性拋光液的拋光效果。關(guān)鍵詞：GaSb．濕法刻蝕，酒石酸，下切效應(yīng)，CMP．表面粗糙度ABSTRACTAfterabriefintroductionforthcdevelopmentofGaSb—basedlaserandI
7、tsdevicetechnolog)thisdissertationgivesexhaustiveanalysisanddiscussiononpresentissuesoftheetchingprocessforGaSbTherearetwomainparts：oneisastud)forthechemicalmesaetchingforGaSb．a(chǎn)ndtheotheristheCMPtechnologyforGaSbInthefirstparttherearesomeimprovementsfo
8、rthepresentchemicaletchingmethodsforGaSh№usedhydrochloricacidandphosphoricacidsystemsseparalel3tOinvestigatetheeffectsofmesaetching．a(chǎn)ndfindthatbothofHCl／H!O：，CH3COOHandH，P04，H二O：／C㈣HOhadgoodresults．suchasanisotropy、bluffmesaandcontrollableetchingratesT
9、henwe砌[islthecomponentsofthephosphoricacidsystemandfinallygolaalmostperfectresultwhichhasgoodetchingmorpholog)andIonlongitudinaletchingaswellaslousurfaceroughnessConsideringtheworkingprincipleandparametercharacteristicsofChemicalMechani
