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《Si基ZnO薄膜制備技術研究.pdf》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內容在工程資料-天天文庫。
1、分類號:jH望LUDC:密級編號-亙壘衛(wèi)王翻Si基ZnO薄膜制備技術研究TECHNOLOGICALSTUDYOFZn0THINFILMSGROWN0NSiSUBSTI己ATE學位授予單位搜代碼:量壹型王盔芏f!Q!塹!學科專業(yè)名稱搜代碼:世盟王生皇固佳盟王堂fQ8螋盟2研究方向:血王疆盟皇M曼M5搜查申請學位級別:題±指導教帥:王盈副麴援研究_:£:墼.睦查論文起止時間;笪業(yè)』l二生盟』衛(wèi)長春理工大學碩士學位論文原刨性聲踢本人鄭重聲明:所呈交的碩士學位論文,《si基ZnO薄膜制各技術研究》是本人在指
2、導教師的指導下,獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經注明引用的內容外,本論文不包含任何其他個人或集體已經發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體,均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律結果由本人承擔。作者簽名:!!§!叢盔塵墜年王月且同長春理工大學學位論文版權使用授權書本學位論文作者及指導教師完全了解“長春理工大學碩士、博士學位論文版權使用規(guī)定”,同意長春理工大學保留并向中國科學信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其它國家有關部門或
3、機構送交學位論文的復印件和電子版,允許論文被查閱和借閱。本人授權長春理工大學可以將本學位論文的全部或部分內容編八有關數(shù)據(jù)庫進行檢索,也可采用影印、縮印或掃描肄復制手段保存和匯編學位論文。導師簽名:蘭麴2三生年—L月—盟R摘要ZnO薄膜作為一種新型寬帶隙半導體材料,有其廣泛應用。本文首先從理論上探討了ZnO薄膜在微光器件中光電陰極上的潛在應用。并通過對少數(shù)載流子擴散方程的求解推導了ZnO光電陰極的量子效率。為了將7m0光電陰極實用化,采用磁控濺射方法在si襯底上制備了ZnO薄膜,深入研究了si基Zn0
4、薄膜的結構和光學等特性。為了提高si基ZnO薄膜的質量,我們研究了引入A1203緩沖層,深入研究了不同厚度A12仉緩沖層對ZnO薄膜結構和光學特性的影響,并給出了其規(guī)律。我們還探索性的開展了引入Ga203緩沖層技術,發(fā)現(xiàn)通過引入A1203緩沖層和G8203緩沖層后,si基ZnO薄膜的性質有了一定程度的提高,從而為制備si基ZnO光電陰極和其它si基ZnO光電子器件提供理論和技術支持。關鍵宇:ZnO薄膜光電陰極緩沖層ABSTRACTAsanclvtypeofwidebandgapsemiconduct
5、ormaterialjZnOthinfilmiswidelyused.Inthispapeafirstly,thefeasibilityofZnOthinfilmtobeusedasthepholoc“hodeinlow·lightopticaldeviceswasstudiedfromtheoreticalanalysisandthequantumefficiencyoftheZnOphotocathodewasdeducedthebysolvingtheminorcarrierdiffusion
6、equationInordertofurtherappliedtheZnOphotocathodeZnOthinfilmwasgrownonSisubstratebymagnetronsputteringmethodandthestructureandopticalpropertiesofZnOthinfilmonSisubstratewasinvestigated.InordertoimprovethequalityofZnOthinmm,A1203bufferlayerwasintroduced
7、andtheinfluenceofthethicknessA1203bufferlayeronthestructuralandopticalpropertiesofZnOthinfilmwerestudiedFurthermore,Ga203thinfilmwastdedtointroduceasthebufferlayenItasfoundthatbyintroduceAIz03andGa20sbufferlayers,thequalityofZnOthinfilmsgrownonSisubstr
8、atewengreatlyimproved.TheseachievementswillbehelpfulformanufactureSi·basedZnOphotocathodeandotherSi—basedZnOoptoelectronicdevicesfromtheoryandtechnologyKeywords:ZnOthinfilmphotocathodebufferlayer目錄摘要????????ABSTRACT?....................